Высоковольтный переключатель

(54) ВЫ (57) Из ТНЫЙ ПЕРЕКЛЮе относитс Т КОВОЛ ретен ике и к пул ььзопресной тевано в ыт ж мпульсныхенно для уляторахмирования им щес м ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЭОБР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(21) 39 (22) 06 (46) 23 (72) В. (53) 62 (56) Ав В 84111Авто У 116203 пульсов запуска, поступающих на етку мощных модуляторных ламп. Высоковольтный переключатель содержит транзисторы 1.1-1.М., ограничительныедиоды (Д) 2,1-2.М, зарядные Д 3.13(М), разделительные Д 4.1-4,(М),защитный Д 5, резисторы 6. 1-6.М и7.1-7.М, конденсаторы 8.1-8.М, источник 9 питания, общую 1 О и выходную11 шины, нагрузку 12. Изобретениеуменьшает длительность среза выходных импульсов за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов.1 ил471782 импульсных модуляторах различногоназначения, преимущественно для формирования импульсов запуска, поступающих на сетку мощных модуляторныхламп,Цель изобретения - уменьшениедлительности среза выходных импульсов за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов.На чертеже представлена схемавысоковольтного переключателя.Высоковольтный переключатель со"держит М транзисторов 1,1-1,М, Мограничительных диодов 2.1-2.М, М зарядных диодов 3.1-3.(М), М разделительных диодов 4.1-4.(М),защитный диод 5, М первых резисторов 6,1-6,М, М вторых резисторов7,1-7.М, М конденсаторов 8,1-8,М,источник 9 питания, эмиттер первоготранзистора 1.1 подключен к общейшине 10 и первому выводу источника 9питания, а база - к выходной шине11, база каждого транзистора 1.11.М через соответствующий первый резистор 6.1-6.М соединена с общей шиной 10, каждый зарядный диод 3.13.(М) включен параллельно соответ-ствующему первому резистору 6.2-6.М,каждый ограничительный диод 2,1-2,Мподключен обратно-параллельно переходу база-эмиттер соответствующеготранзистора 1.1-1.М, коллектор каждого транзистора 1.1-1.М через соответствующий второй резистор 7.1-7.Мсоединен с вторым выводом источника9 питания и первыми выводами разделительных диодов 4,1-4.(М), коллектор каждого предыдущего транзистора 1. 1-1.(М) через соответствующий конденсатор 8.1-8,(М) подключен к эмиттеру последующего транзистора 1,2-1 М, коллектор М-го транзистора 1 М через М-й конденсатор8,М соединен с первыми выводами нагрузки 12 и защитного диода 5, вторые выводы которых подключены к общей шине 10.Высоковольтный переключатель такжесодержит (М) импульсных трансформаторов 13.1-13,(М) и (М) стабилитронов 14. 1-14(М), причем вто"рой вывод каждого разделительногодиода 41-4.(М) через первичнуюобмотку соответствующего импульсного5 10 15 20 30 1 13 Йзобретение относится к импульсной технике и может быть использовано втрансформатора 13.1-13.(М) и соответствующий стабилитрон 14,1-14,(М) которые соединены параллельно, подключен к коллектору соответствующего транзистора 1. 1-1,(М), первичная .обмотка каждого импульсного трансформатора 13.1-13.(М) включена параллельно переходу, база-эмиттер соответствующего транзистора 1.2-1,М.Высоковольтный переключатель работает следующим образом.В паузах между импульсами запуска все транзисторы 1.1-1,М заперты. В это время происходит заряд всехконденсаторов в 8.1-8.М через соответствующие резисторы 7,1-7,М и диоды 2.2-2.М, 3.1-3.(М) и 5 от источника 9 до напряжения этого источника, Диоды 4,1-4,(М) в это время заперты, При поступлении на входную шину 11 очередного положительногоимпульса запуска транзистор 1.1 отпирается, а к эмиттеру следующеготранзистора 1.2 подключается отрицательный перепад напряжения от верхней обкладки конденсатора 8.1, Этовызывает запирание диодов 2.2 и 3,1 и отпирание транзистора 1,2. Его базовый ток протекает через баэаэмиттерный переход, резистор 6.2,открытый транзистор 1,1 и конденсатор 8,1. 35После отпирания транзистора 1,2к эмиттеру транзистора 1,М прикладывается отрицательный перепад напряжения от верхней обкладки кон денсатора 8,(М). Этим аналогичноуказанному достигается запирание диодов 5, 2,М и 3,(М) и отпираниетранзистора 1.М, При этом на нагруз- .ке 12 формируются фронт и вершина145 .,отрицательного импульса с амплитудойв М раз большей, чем напряжение источника 9 питания. Диоды 4, 1-4, (М) остаются во время импульса в запертом состоянии. Во время импульса происходит частичный разряд конденсаторов 8.1-8.М.50 При поступлении на входную шину 11 очередного отрицательного импульса сброса транзистор 1.1 запирается.Транзисторы 1.2 и 1.М при этом еще остаются открытыьи . Поэтому, например, потенциал коллектора транзистора 1.1 оказывается более высоким,чем напряжение источника 9 питания. ЭтоСоставитель Д.ИвановТехред И.Попович КоРРектоР М.Демчик Редактор И,Шулла Заказ 5127/51Тираж 899 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д.4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г,ужгород, ул.Проектная,4 3 13471 вызывает протекание тока через первичную обмотку трансформатора 13.1 и диод 4,1. На вторичной обмотке возникает отрицательный импульс, ограничиваемый по амплитуде диодом 22, поступающий на базу транзистора 1.2 и его запирающий. Аналогично происходит запирание транзистора 1.М в результате протекания тока через первичную обмотку трансформатора 13.(М) и диод 4,(М) и образования отрицательного импульса на диоде 2,М и база-эмиттерном переходе транзистора 1.М. Последнее обеспечивает его запирание, Благодаря наличию стабилитронов 14.1-14,(М) ис. ключаются перенапряжения на коллекторах транзисторов, обусловленные протеканием токов через индуктивности рассеяния трансформаторов 13.113.(М). Длительность среза выходных импульсов предлагаемого высоковольт 25 ного переключателя меньше, чем у известных за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов. формула изобретения30 Высоковольтный переключатель,содержащий М транзисторов, М ограничительных диодов, Мзарядных диодов, Мразделительных диодов, защитный диод, М первых резисторов,М вторых резисторов М конденсаторов, источник питания, эмиттер пер 784вого транзистора подключен к общей шине и первому выводу источника питания, а база - к входной шине, база каждого транзистора через соответствующий первый резистор соединена с общей щиной, каждый зарядный диод включен параллельно соответствующему первому резистору, каждый ограничительный диод подключен обратно-параллельно переходу база-эмиттер соответствующего транзистора, коллектор каждого транзистора через соответствующий второй резистор соединен с вторым выводом источника питания и первыми выводами разделительных диодов, коллектор каждого . предыдущего транзистора через соответствующий конденсатор подключен к эмиттеру последующего транзистора, коллектор М-го транзистора через М-й, конденсатор соединен спервыми выводами нагрузки и защитного диода, вторые выводы которых подключены к общей шине, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения длительности среза выходных импульсов, введены Мимпульсных трансформаторов и Мстабилитронов, причем второй вывод каждого разделительного диода через первичную обмотку соответствующего импульсного трансформатора и соответствующий стабилитрон,. которые соединены параллельно,подключен к коллектору соответствующего транзистора, первичная обмотка каждого импульсного трансформатора вклю-. чена паралельно переходу база эмиттер соответствующего транзистора.