Устройство для определения максимумов яркости в изображении

(504 С 0 САНИЕ ЕТЕН и мах автомапроцессовя повышение зования в сист оизводственных ретения являет стройства Кон для исполтизации пЦелью изоточности игурацияектродовентную сх я проводящих э вливает эквива подклю и 2 обус му в вид диненных кратност ротивле зменени еся при о малое со цепь, чт симума и лируемом ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(22) 26,048546) 07,09,87, Бюл. У 3371) Харьковский политехнический институт(56) Авторское свидетельство СССР У 814126, кл, С 06 К 9/00, 1972,Авторское свидетельство СССР У 1062734. кл. С 06 К 9/00, 1983. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМУМОВ ЯРКОСТИ В ИЗОБРАЖЕНИИ (57) Изобретение относится к некогерентным оптическим устройствам обработки информации и предназначено множества параллельно соеезисторов. При большой (10 10 ) изменения соия слоя 3 фотопроводника с м освещенности появляющеещении малого участка одно отивление шунтирует всю характеризует наличие макучения в заданном (контрополе. 3 ил.Изобретение относится к некогерентным оптическим устройствам обработки информации и предназначено для использования в системах автоматизации производственных. процессов. В частности, пространственный пиковый детектор предназначен для обнаружения максимумов освещенности заданного уровня в изображении объекта. Цель изобретения в . повышение точ-.ности устройства,На фиг. 1 изображено предлагаемоеустройство; иа фиг, 2 - зависимостьсопротивления слоя фотопроводника отплощади освещенной поверхности; нафиг. 3 - зависимость погрешности измерения максимальной освещенностив иэображении от процента заполненияприемной поверхности максимумом освещенности,Устройство содержит проводящие .электроды 1 и 2 и слой 3 проводника,Устройство работает. следующим образом,Конфигурация подключения проводящих электродов, представленных на фиг, 1, обусловливает эквивалентную схему в виде множества параллельных резисторов. При большой кратностиго(10 -10 ) изменения сопротивления слоя фотопроводника с изменением освещенности, появляющееся при освещении малого участка, одно малое сопротивление шунтирует всю цепь, что характеризует наличие максимума излучения в заданном (контролируемом) поле.При . кратности сопротивлений К 1 610 зависимость сопротивления к,от площади освещенной поверхности характеризует зависимость, приведенная на фиг. 2, где вертикальная ось характеризует сопротивление К, горизонтальная - отношение площади Б,; освещенной поверхности к полной площади Б приемной поверхности Сопротивление такого пространственного пикового детектора изменится не более, чем на 1,57., относительно темнового сопротивления Кт при изменении плошади Б светового пятна 0,5- 1007 относительно полной площади Б приемной поверхности.Так как слой фотопроводника 3 выполнен со сверхлинейной фотопроводимостью, то в режиме малых освещенкостей (1-20 Лк) при изменении освещенности Е в 2 раза сопротивление Кслоя фотопроводника изменится в 7-8раз, В результате этого погрешностьизмерения, вносимая равномерной поплощади Б -Б приемной поверхностифоновой освещенностью Е составляющей 50 от измеряемой освещейности10 Е, изменяется от нуля до 0,27. приизменении площади Б освещенногоучастка, составляющей от 100. до 0,53полной площади Б.С помощью предложенного устрой 15 ства возможно измерение максимальнойяркости (освещенности) в.локальныхучастках поля,При измерении освещенности в локальных участках, характеризующих20 максимумы излучения объекта, погрешность измерения максимальной освещенности в локальных участках связана сотношением площади этого участка Б,к полной площади Я приемной поверх 25 ности и обычно связана с неполным заполнением приемной поверхности измерителя изображением локального контролируемого участка, Зависимостьпогрешности о измерения максимальной30 освещенности в изображении объекта от .процента заполнения приемной поверхности максимумом освещенности характеризует зависимость, приведенная нафиг, 3,Предельная пространственная разрешающая способность пространственного пикового детектора определяется4расстоянием между строками и шириной строки меандра, зависит от40 технологических возможностей, обеспечиваемых оборудованием, и достигаетединиц .микрон. При максимальной полной площади приемной поверхности,ьсоставляющей 5-6 см , предельнаяпространственная разрешающая способбность составляет 3 10 -5 10 элементов на приемную поверхность или1,7 х 10 -7 10 линий на сторону,д50 формула изобретенияУстройство для определения максимумов яркости в изображении, содержащее диэлектрическое основание, на 55 котором расположен слой фотопроводникаоптическую плутоновую маску и проводящие электроды, о т л и ч а - ю щ е ес я тем, что, с целью повышения точности устройства, проводя.2 Й ь 1 а Составитель А.трушева Техред В.Кадар т Редактор С. орректор В. Бутяга 4049/47 Тираж 672. ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное к роектная, 4 Проиэводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород шие электроды выполнены в виде двухвстречно расположенных гребвнок, которые расположены на слое фотопроОюаУи водника, а оптическая плутоновая мас.ка расположена над проводящими электродами.