Стекло для люминесцентного слоя коллектора солнечных элементов

СОЮЗ СОЕЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) (11) ЗСЗ 1 ЫЙ КОМИТЕТ СССЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ОСУДАРСТ ДЕЛАМОБРЕТЕН 14 ЕЛЬСТВУ уни ОПИСАНИЕ АВТОРСКОМУ СВИ(54) СТЕКЛО ДЛЯ ЛЮИИНЕСЦЕНТНОГО СЛОЯКОЛЛЕКТОРА СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ(57) Иэобретение относится к гелиотехнике и поэволяет повышать эффек-.тивность преобразования солнечнойэнергии в электрическую, С целью повышения КПД коллектора солнечных эле.ментов стекло для люминесцентногослоя коллектора имеет состав, мас.Х:РО 44,0 - 46,5; 110 20,0 - 22,0;ЯО 11,5 - 13,5; Сэ 0 20,0 - 22,5КПД коллектора;составляет 4,5 - 8,032 табл,, БОз РО 5 СвО ЖОз 20,0 13,5 46,5 20,0 46,1 13,2 20,4 20,3 5,1 20,7 46,0 21,0 45,9 20,5 12,8 7,4 2,4 20,7 8,0 21,5 44,8 12,2 7,2 12,0 21,8 44,2 22,0 4,9 44,0 22,5 11,5 1 13Изобретение относится к гелиотехнике и может быть использовано в коллекторах солнечных элементов, которые предполагаются применять совместно с кремниевыми элементами, максимум спектральной чувствительностикоторых лежит в области 700 - 1000 нм,Целью изобретения является увеличение коэффициента полезного действия коллектора.Для изготовления стекла для люминесцентного слоя коллектора солнечных элементов используют фосфатное стекло, активированное ионами неодима и уранила, которое синтезируют на основе следующего состава; УОНРО, Н РО,; С СН СОО; Ы ОФосфатное стекло на основе указанного состава, .представляющего смесь исходных реактивов, готовят следующим образом. Исходные компоненты в мелкоКоллектор для солнечных элементов содержит преобразующий слой из фосфатного стекла, активированного ионами 1 Ои Ы , на который с целью защиты от воздействия атмосферной влаги и уменьшения потерь наносят слой из А 1 О толщиной около 0,21 мкм, На три боковые, а также на нижнюю грани наносят зеркальное отражающее покрытие из алюминия, Четвертая боковая грань остается открытой с целью подсоединения к кремниевому фотоэлементу.ЪКоллектор изготавливают следующим образом, На три торцовые и нижнюю 35543 2дисперсной фазе тщательно перемеши-вают и суспензируют в дистиллирован"ной воде до достижения рН 1, После 5этого медный тигель с суспензией помещают в сушильный шкаф и выдерживаютпри 150-160 С до тех пор, пока содержимое не принимает вид тягучей гомогенной массы. 10Находящуюся:в сушильном шкафусмесь периодически через 0,5-1 ч перемешивают, после чего переносят вмуфельную печь и выдерживают при15 580-620 С в течение 100+О мин.Полученный расплав постепенно охлаждают в эксикаторе над силикагелем,Состав стекла и значения эффективности преобразования энергии солнеч ного излучения:в электрическую энергию для предлагаемого коллектора(КПД коллектора) приведены в табл,1, Та блица 145 грани методом вакуумного термическогоиспарения наносят пленку из алюминиятолщиной 1 мкм, а на верхнюю граньметодом ВЧ-распыления напыляют просветляющий слой из А 10 э толщиной0,21 мкм, На свободную торцовую граньс помощью иммерсионного клея (и =1,6)закрепляют солнечный элемент. Размерыколлектора определяются областью егоприменения и выбираются, как правило,при толщине 1 - 10 Зависимость КПД коллектора от егогеометрических размеров приведена втабл,2,3355432 ной энергии в электрическую составляет 8 Е.Из табл. видно, что за счет использования фосфатного стекла с ано 5мально высокой концентрацией ионовк+ 3+УО и Нс 1 удается значительно (в1,8 раза по сравнению с известным)повысить КПД коллектора солнечных10 элементов. Таблица Толщина ПриДлинаколлекКПД коллектора,Е коллекмер тора,мм тора,мм, 600 3,0 8,0 4,0 600 7,8 Формула изобретения 10,0 600 4,5 Стекло для люминесцентного слоя 15коллектора солнечных элементов, включающее Р О,БО, ИЙ О,о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью увели" чения коэффициента полезного действия коллектора, оно дополнительно содержит Сз О при следующем соотношении компонентов, мас,Е:Р 0 44,0-46,5110 20,0-22,0Ы 0 11,5-13,5Сз О 20,0-22,5 7,5 2,0 600 1,0 600 4,5 3,0 3,0 650 7,8 370 4,5 Из табл,2 видно, что максимальное25значение КПД преобразования солнечСоставитель М. ГулюкинТехред М.Дидык Корректор Л, Пилипенко Редактор Н. Гунько Заказ 4015/21 Тираж 427 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4