Способ очистки проводов от изоляции
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)5 Но ликобри 1/12, ОТ ИЗО ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ Н АВТОРСНОМУ СВИ(54) СПО 5.92. Бюл, Р 200642/070.85Ермохин, П.П.Куликин, В,Г,Шамшуринмулин315 (088.8)птованная заявка В294194, кл. Н 02 СОБ ОЧИСТКИ ПРОВОРО 57) Изобретение относится к техноогии подготовки электрических про"одов к монтажу и может быть испольовано в электротехнической промьппЛО 1 2 4 А 1 ленности. Цель - повьппение качестваобработки проводов и производитель"ности. Рля очистки от изоляции провод 2 протягивают через проводоводитель 1 Блок 5 управления останавливает проводоводитель в момент про"хождения через эачистное устройство3 обрабатываемого участка провода.В этот момент источник 4 питания формирует в зачистном устройстве 3 поток6 низкотемпературной плазмы. Плот-,ность потока в ядре не менее 1 О Вт/ифпри атмосферном давлении. По истечении определенного времени воздействия потоком плазмы провод протягивают проводоводителем. 1 ил.1 131Изобретение относится к технологииподготовки электрических проводов кмонтажу и может быть использовано вэлектротехнической промьппленноВти.Целью изобретения является повышение качества обработки проводов нпроизводительности,На чертеже показано устройстводпя реализации способа.Устройство состоит из проводоводителя 1 для направления провода 2,эачистного устройства 3, источника4 питания, блока 5 управления. В эачистном устройстве Формируется поток6 плазмы.При кратковременном воздействиина эмалированный провод потока низкотемпературной плазмы реализуется режим нестационарной теплопроводимости,развитие которой определяется величиной коэффициента температуропроводности А=,З/уС, где М - теплопроводвость, у - плотность, С. - теплоемкость материала.При плотности потока низкотемнературной плазмы при атмссфернсм давлениибольше 10 Вт/м происходит Истрый6нагрев поверхности слоя изоляции вдо температуры разложения и испаре:ния, Продукты испарения уносятся,по"током плазмы. Натериал изоляции(эмаль, Лак, пластмассы, ткани) об-.ладает низкой теплопроводностью, поэтому скорость распределения теплового фронта вглубь слоя изоляцииблизка к скорости движения Фронтаиспарения материала изоляции.Иатериал провода, обычно медь, обладает высокой теплопроводностью(коэффициент температуропроводности длмеди " 10-ф м Ф/с),Вследствие большой разницы (длядиэлектриков, 10м /с) теплофизических свойств изоляции и материалапровода, после достижения тепловымфронтом поверхности провода под слоем изоляции материал провода не успевает нагреваться до высокой температуры эа время, пока поверхностипровода достигнет и фронт испаренияизоляции. Этик моментом, соответствующим полному удалению изоляции спровода, ограничивают время воздействия плазмы.Эксперименты показывают, что дляэффективной очистки провода от изоляции, не приводящей к значительномунагреву материала провода, необходимо использовать поток плазмы с плот 3294 2ностью в ядре не менее 10 Вт/м,СЧем вьппе плотность теплового потокаплазмы, тем меньше время обработки,и конечная температура нагрева провода,как правило, время обработки (0,5 с.Для очистки от изоляции провод 2протягивают через проводоводитель 1,Блок 5 управления останавливает проводоводитель в момент прохождения че 10 реэ зачистное устройство 3 обрабатываемого участка провода. В этот мо"мент источник литания формирует взачистном устройстве 3 поток 6 низко.температурной плазмы, действующий15 на провод определенное время. Послеэтого провод протягивают проводоводи"телем и операции повторяют,Среднемассовая температура плазмы в рабочем сечении должна быть2 О больше 5000 К.Для очистки берут, например, провод марки ПЭТФ 1,18 мм с эмалевой изоляцией толщиной 20 мкм и используют электродуговые плазматронымощностью 20 кВт.Провод помещаютмежду встречнонаправленными плазматронами. Расстояние между проводом и срезами выходных сопел 6 мм.Средняя плотность каждого тепло 33 ваго потока плазмы в ядре ЯХФ 10 Вт/и . Время воздействия плазмы 0,28 с. Температура проводапосле окончания воздействия плазмыв месте очистки не превышает 50 С.оЗ 5 Длина очищенного участка 6 мм. Очи"щенная поверхность провода не содержит следов сажи или окислов.Для очистки берут, например, одновременно четыре провода марки ПЭТящ 155 Ф 1,18 с эмалевой изоляцией20 мкм,.Используют четыре электродуговых плазматрона мощностью 15 кВт,располагают их вокруг проводов с шаогом угла 90 . Расстояние проводовд 5 до срезов выходных сопел 8 мм. Сред"няя плотность в ядре каждого теплового потока 6 10 ф Вт/мВремя воздействия плазмы на провода0,35 с. Температура проводапосле окончания воздействия плазмыне превышает 80 С. Длина очищенногоучастка 7,5 мм,Формула изобретенияСпособ очистки проводов от изоляции, включающий подачу проводов в зону очистки, нагрев обрабатываемого участка провода до разложения иэоля3 1313294 4ции и удаление изоляции, о т л и ч а- ние изоляции производят потоком ниэ" ю щ н й с я тем, что, с целью повы- котемпературной плазмы при атмосФершения качества обработки проводов и ном давлении, нри этом плотность теп)е, ( в производительности, нагрев и удале- лового потока не менев 10 Бти. Г.Май авчук Составите Техред А а Корректор А. Обручар ктор М.Панфиловская одписвое Тирам 374ВНИИПИ Государственного комитета , по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская на аказ 244 4/5 Производственно-полиграФическое предприятие, г.уагород, ул.Проектная,4
СмотретьЗаявка
3970642, 30.10.1985
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1131, МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
ЕРМОХИН Н. В, КУЛИК П. П, СИНЯГИН О. В, ШАМШУРИН В. Г, ТОКМУЛИН И. М
МПК / Метки
МПК: H02G 1/12
Опубликовано: 30.05.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1313294-sposob-ochistki-provodov-ot-izolyacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки проводов от изоляции</a>
Предыдущий патент: Способ возбуждения электрической дуги двуструйного плазмотрона
Следующий патент: Оптико-акустический приемник излучения
Случайный патент: Способ регулирования процесса ректификации