Способ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе

(61) (21) (22) (46) ческой промышленнос увеличить производи таллизатора, Способ темой автоматическо включающей контур р ня расплава: датчик регулятор (Р) 12 ур 13 расплава;контур р пературы кристалличе зависимости от часто Д 15 температуры, Р вод 5;сконтур регул хладагента с коррек туре хладоносителя: Р 7 расхода, К 8, Д Р 1 О температуры. 1 и позволя 10. А. Кур-Култаев,Онуфриев(56) У 88 (54) КРИС ЛИЗА СССР81.ЦЕССАИСТАЛльсгво /02, 1 АРИЯ ПР ОВОМ К способуллизав хими тся к крист регул ьеь зова ааааана сааьеаь ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 8869263870603/23-2615,03.8507,03.87. Бкд. РВ. Г. ПономаренкоВ. И. Бей, 10. Д.Свердлин и Д, Н,66,012-52(088.8)Авторское свидете926, кл. В 01 Э 9СПОСОБ РЕГУЛИРОВАЛЛИЗАЦИИ В ВАЛЬЦОРЕИзобретение относирования процессаможет быть исполь тельность крисреализуется сисго регулирования,егулирования уров(Д) 11 уровня,овня, клапан (К)егулирования темского продукта вты вращения вальца;1 Ь, Р 14,приирования расходацией по темпераД б расхода,9 температуры, 1294363Изобретение относится к регулированию процесса химической технологии, а именно к способам регулирования процессов кристаллизации, проводимых в вальцовых кристаллиэаторах, и яв ляется усовершенствованием способа по авт, св. Р 886926.Цель изобретения - увеличение производительности кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта.На чертеже представлена принципиальная схема реализации способа.Кристаллиэатор содержит валец 115 в котором размещено разбрыэгивающее охлаждающее устройство 2, ванну 3 для расплава, ножи 4 для среза кристаллов, привод 5 для вращения вальца, датчик 6 расхода для передачи сигнала в регулятор 7 расхода, исполнительный механизм с регулирующим органом 8, датчик 9 температуры, соединенный с корректирующим регулятором 10, датчик 11 уровня расплава в ванне, соединенный с регулятором 12 уровня, который в свою очередь соединен с исполнительным механизмом с регулирующим органом 13, регулятор 14 частоты вращения вальца, соединенный с датчиком 15 температуры и корректирующим регулятором 16 частоты вращения вальца и уровня расплава в ванне.Датчик 6 расхода соединен с регулятором 7 расхода, воздействующим на35 исполнительный механизм с регулирую" щим органом 8. Датчик 9 температуры соединен с корректирующим регулятором 10, воздействующим на блок задания регулятора 7 расхода. Датчик 11 уровня соединен с регулятором 12 уровня, воздействующим на исполнительный механизм с регулирующим органом 13; Регулятор 14 частоты вращения вальца45 управляет приводом 5. Датчик 15 температуры соединен с корректирующим регулятором 16, воздействующим на блок задания регулятора 12 уровня и на регулятор 14 частоты вращения вальца.50Способ осуществляется следующим образом.Вращающийся от привода 5 валец 1 непрерывно контактирует с горячим расплавом, При этом на его охлажденной до заданной температуры поверхности образуется корка продукта, которая после выхода вальца 1 из ванны 3 увлекает жидкую пленку расплава идалее охлаждается и скапывается ножами 4,Расход хладоносителя измеряетсядатчиком 6 расхода, сигнал от которого поступает на регулятор 7 расхода,При отклонении расхода хладоносителяот заданного значения регулятор 7 вырабатывает командный сигнал, поступающий на исполнительный механизм с регулирующим органом 8, который изменяет подачу хладоносителя на охлаждение вальца 1 до тех пор, пока расходне устанавливается на заданном значении. Температура поверхности вальца 1 измеряется по зависимому от неекосвенному параметру - температуревыводимого иэ аппарата хладоносителя,которая измеряется датчиком 9 температуры, подсоединенным к корректирующему регулятору 10, При изменениитемпературы хладоносителя регулятор10 вырабатывает корректирующий сигнал, поступающий в блок задания регулятора 7 расхода, который управляетисполнительным механизмом с регулирующим органам. 8 так, что происходит компенсация изменения температуры хладоносителя эа счет измененияего расхода.Уровень расплава в ванне кристаллизатора измеряется датчиком 11 уров"ня, сигнал от которого поступает нарегулятор 12 уровня, При отклоненииуровня от заданного значения регулятор 12 вырабатывает командный сигнал,поступающий на исполнительный механизм с регулирующим органом 13, который изменяет подачу расплава вванну кристаллиэатора до тех пор,пока уровень расплава не установитсяна заданном значении, Регулятор 14частоты вращения вальца управляетприводом 5, обеспечивая определеннуЬчастоту вращения вальца.Температура кристаллического про-.дукта измеряется датчиком 15 температуры, подсоединенным к корректирующему регулятору 16, При изменениитемпературы кристаллического продукта регулятор 16 вырабатывает корректирующий сигнал, который поступаетв блок задания регулятора 12 уровня,который управляет исполнительным механизмом с регулирующим органом 13,а также одновременно - в регулятор14 частоты вращения привода 5. Воздействие корректирующего сигнала1294363 Формула изобретения 10 Способ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе ло авт,св, 0 ф 886926, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения производительности кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта, дополнительно регулируют частоту вращения Составитель Т. ГоленшинаРедактор С, Пекарь Техред Л.Олейник Корректор Е. Рошко Заказ 41)/4 Тираж 657 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 длится до тех пор, пока не происходит компенсация изменения температуры кристаллического продукта за счет изменения уровня расплава в ванне кристаллизатора и частоты вращения вальцаТаким образом, температура кристаллического продукта стабилизируется на заданном значении,В результате одновременного воздействия изменения температуры кристаллического продукта в зоне его съема с поверхности вальца на уровень расплава в ванне кристаллизатора и частоту вращения вальца существенно улучшается эффективность управления процессом. При этом, в первом случае, уменьшаются толщина слоя кристаллов, образовавшихся за время контакта вальца с расплавом, и толщина увлекаемой вальцом жидкой пленки расплава, а время охлаждения полученной при этом более тонкой корки 25 кристаллического продукта увеличивается. Во втором случае, толщина елоя кристаллов, образовавшихся за время контакта вальца с расплавом, и толщина увлекаемой вальцом жидкой пленкирасплава увеличиваются, а время охлаждения полученной при этом болеетолстой корки кристаллического продукта уменьшается,вальца по температуре кристаллического продукта, при этом при увеличениитемпературы кристаллического продукта по сравнению с заданным значениемодновременно с понижением уровнярасплава в ванне уменьшают частотувращения вальца, а при уменьшениитемпературы в одновремен сповышением уровня расплава в ванне увеличивают частоту вращения вальца,