Способ повышения равномерности освещенности

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 09) ИИ А 1 Ш 4 Н 01 3 1/50 61 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Сенченко(56) Авторское свидетельство СССР В 838823, кл. Н 01 Л 61/86, 1979.Авторское свидетельство СССР В 920896, кл. Н 01 Ю 61/00, 1980. (54) СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ РАВНОМЕРНОСТИ ОСВЕЩЕННОСТИ(57) Изобретение относится к области оптического приборостроения, осветительной техники. Целью изобретения является повышение равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах. После выбора необходимых значений индукции частоты В и у на разрядный канал лампы воздействуют переменным магнитным полем. Значения Ь и Ю выбирают, исходя из соотношений К( у - у) е Всоси = с уф, где- коэффициент равномерности освещенности объекта при наложении магнитного поля;- коэффициент равномерности освещенности объекта без наложения магнитного поля; К постоянный коэффициент, определяемый типом лампы; м - постоянная, определяемая типом лампы; о - постоянная Ел Р времени системы;- постоянная, определяемая типом лампы.5884 Е ; Е ,1- с,(5) 40 45 126Изобретение относится к оптическому приборостроению, осветительнойтехнике и может быть использовано вфотометрических приборах, в осветительной и проекционной технике дляповышения равномерности освещенностиобъекта,Цель изобретения - повышение равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах,Способ повышения равномерностиосвещенности в проекционных и регистрирующих системах осуществляетсяследующим образом.После включения проекционной илирегистрирующей системы измеряетсякоэффициент равномерности освещенности освещаемого объекта, который определяется по формуле 1 При этом значения Е ; и Евыбиев ЭЪч раются из совокупности измерений уров-ф ней освещенности в различных точках по; всей поверхности освещаемого объекта. Если полученное значение у не удовц олетворяет условиям данной конкретной задачи освещения, то по формулам К(- ,) (В с о (2) и - с и(3) определяют необходимые значения В и и магнитного поля, которыми надо воздействовать на разрядный канал лампы,чтобы обеспечить необходимую равномерность освещенности , Требуемое направление силовых линий магнитного поля выбирают из условия, чтобы колебания светящегося факела лампы происходили в плоскостй, перпендикулярной направлению распространения света от лампы к освещаемому объекту. Это реализуется в том случае, если силовые линии магнитного поля будут направлены поперек разряда, но вдоль направления распространения света от лампы к освещаемому объекту, например вдоль оптической оси системы.При определении величины В по формуле (2), если для данного типа лампы не известно значение К, которое, как экспериментально установлено, для разных типов ламп составляет 0,005-0,03 Тл, его можно определить экспериментально следующим образом.В отсутствии магнитного поля ( Ь, = О) определяется как это указано по формуле (1) значение, Затем на разрядный канал лампы воэдейству 1 О 15 20 25 30 35 ют поперечным переменным магнитным полем с произвольной, но известной величиной В и определяют значениеЗначение К в этом случае определяется как отношение К, (4) -Ь т.е. значение К определяется как величина, обратная изменению равномерности освещенности при изменении индукции магнитного поля на 1 Тл.При достаточно больших значениях налагаемого поля В (разных для разного типа ламп) амплитуда колебаний разрядного факела лампы оказывается настолько большой, что происходит срыв дугового разряда и погасание лампы. Поэтому для каждого типа ламп существует некоторый верхний предел допустимого значения индукции налагаемого магнитного поля К . Экспериментально установлено, что для разных типов ламп значение Ы составляет 0,05-0,2 Тл.Выбор частоты налагаемого поля Я по формуле (3) определяется следующими причинами. Для обеспечения повышения равномерности освещенности необходимо, чтобы эа время освещения объекта, характеризующегося постоянной времени системы регистрации светового сигнала , разрядный факел лампы совершил кратное целое число колебаний, т,еПри этом для каждого типа ламп существует предельно допустимые максимальные значения частоты изменения магнитного поля Д , выше которых начинают проявляться эффекты инерционности в движении разрядногофакела. В этом случае факел лампы не успевает колебаться с задаваемой полем частотой, в результате наблюдается резкое снижение равномерности освещенности, Экспериментально установлено, что для разного типа ламп значение Д составляет 5-10 кГц,После выбора необходимых значенийб и б) на разрядный канал лампы воздействуют поперечным переменным магнитным полем с выбранными характери- стиками В и сд . Светящийся разрядный факел лампы начинает совершать колебательные движения, воспринима