Эсл-элемент

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН И 4 Н 03 86 НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ОПИ К АВТО В 30ржащии второй т оторых с первым и а и соот выи иторы ры, колвенно соеответ диненыустройспервый торым тстве выходами но через исто ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ 21) 3752063/24-2122) 13,06,84,8012513 питания, а эмиттеры подключены кколлектору третьего транзистора,эмиттер которого через третий резистор соединен с общей шиной, базапервого транзистора через четвертыйрезистор соединена с шиной питанияи подключена к аноду первого диода, катод которого соединен с входоустройства, а база второго транзистора подключена к шине опорного напряжения и катоду второго диода,анод которого соединен с базой первого транзистора, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью увеличения надежности, дополнительныеэмиттеры первого и второго транзисторов соединены с базой третьего тран125318 вано при создании полулроводниковыхинтегральных схем (ИС),Целью изобретения является увеличение надежности за счет упрощения,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного ЭСЛ-элемента.ЭСЛ-элемент содержит первый 1 и 0второй 2 транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены спервым 3 и вторым 4 выходами устройства и соответственно через первый 5и второй 6 резисторы соединены с шиной питания, а эмиттеры подключенык коллектору третьего транзистораэмиттер которого через третий резистор 8 соединен с общей шиной, базапервого транзистора 1 через четвертый резистор 9 соединена с шинойпитания и подключена к аноду первого диода 10, катод которого соединенс входом 11 устройства, а база второго транзистора 2 ,подключена к 25шине опорного напряжения и катодувторого диода 12, анод которогосоединен с базой первого транзистора, дополнительные эмиттеры первого 1 и второго 2 транзисторов 30соединены с базой третьего транзистора 7.ЭСЛ-элемент работает следующимобразом,При подаче на вход 11 логического 0 диод 10 включается в прямомнаправлении, пропуская через себявесь ток резистора 9, поэтому токв базу транзистора 1 не поступаети он находится в выключенном состоя- щнии, выключая тем самым ток черезрезистор 5. Поэтому напряжение навыходе 3 равно напряжению источника питания, Диод 12 включен в обратном направлении.45Это приводит к увеличению быстродействия переключения плеча с низкого уровня на высокое, с большимлогическим перепадом, приближая кбыстродействию плеча с меньшим логическим перепадом за счет увеличениясноминала резистора 5.Увеличение быстродействия при переключении с высокого уровня на низкий плеча с большим логическим перепадом происходит за счет увеличения в этом случае тока, задаваемогоисточником тока,Получение разных логических перепадов на выходах с помощью повьппения Изобретение относится к импульсной технике и может быть использоВ этом случае источник тока в цепи эмиттеров транзисторов 1 и 2 образован по цепи Б, , дополнительный эмиттер транзистора 2 и транзистор 7 с резистором 8. Ток резистора 8, создаваемый напряжением на нем источника П, за вычетом падений напряжений на базо"эмит" терных переходах транзисторов 2 и 7, через коллектор транзистора 7 попадает в эмиттер включенного транзисто рв 2, понижая тем самым потенциал на выход ч за счет протекания токачерез резистор 6,При подаче на вход 11 логической"1" диод 10 включается в обратномнаправлении, поэтому ток резистора9 течет в базу транзистора 1 и вдиод 12, фиксируя уровень базы науровне Транзистор 2 выключается, а транзистор 1 включается. формируя нарезисторе 5 и на выходе 3 низкийуровень током, протекающим черезвключенный транзистор 1.В этом случае источник тока вцепи первых эмиттеров транзисторов1 и 2 образован по цепи П диод12, переход база - дополнительныйэмиттер транзистора 1 и транзисторс резистором 8. Т,е, в случаелогической единицы на входе 11 ток,задаваемый источником опорного напряжения, будет больше, чем в случае подачи на вход напряжения,соответствующего логическому нулю,на величину прямого падения нап"ряжения на диоде 12, из-за увеличения падения напряжения на резисторе 8,Таким образом, ток задаваемый источником тока на резисторе 8 и транзисторе 7, зависит от уровня логического сигнала на входе, поэтому логические уровни, создаваемые этим током на нагрузочных резисторах 5 и 6, с которых снимаются выходные сигналы, формируются разными даже в случае одинаковых номиналов этих резисторов 5 и 6.1251318 выхода, что существенно упрощает построение на основе этой схемы быстродействующих ИС с малой потребляемой мощностью, устранив в них яв ления гонок фронтов, вызывающие ложные срабатывания схем и повышая их быстродействие. Составитель А.ЯновТехред Л,Сердюкова КоР Самборская дактор Н,Слободян Тираж 816 ИИПИ Государственного о делам изобретений и Москва, Ж, Раушск ПодписноеССР каз 4426/58 ком открытиия наб.,130 рабочего тока при включении плечас большим логическим перепадом поз"воляет получить разные логическиеперепады на выходах устройства, повысив быстродействие выхода с большим логическим перепадом, сделавего равным быстродействию второго зводственно-полиграфическое предп е, г,ужгород, ул.Проектная,