Одновибратор

,801192119 д)Н 03 К 3/284 САНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ ЕЛЬСТ которая соединена с роводимости, ходной шиной тор - с общеи эмиттером вто го типа провод которого соед и через четве базой второго па проводимос резистор соед соединенной с иена с шинои питани зистора перво н шиной источ вход времязадающеи ЙС-цепи соединенс эмиттером первого транзисторавторого типа проводимости, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения стабильности длительностивыходного импульса, коллектор второго транзистора второго типа проводимости соединен с эмиттером первоготранзистора второго типа проводимости. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРпо делАм изОБРетений и ОткРытий(56) Авторское свидетельство СССРВ 832710, кл. Н 03 К 3/284, 1981.(54)(57) ОДНОВИБРАТОР, содержащий.первый транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединенс выходом времязадающей ЯС-цепи,первый вход. которой соединен с коллектором второго транзистора первогтипа проводимости и через первыйрезистор - с базой первого транзистора первого типа проводимости,коллектор которого соединен с базой первого транзистора второготипа проводимости, коллектор которо. -го соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости ичерез второй резистор - с базойвторого транзистора второго типа и через третин резисшиной, соединенной сого транзистора второимости, коллектор.нен с выходной шинойтый резистор - странзистора первого тии, которая через пятый эмиттером второго транс .типа проводимостиика питания, второй20 Одновибратор работает следующимобразом,В исходном состоянии все транзисторы закрыты, на шине 13 высокийпотенциал, практически равный напряжению питания Е, на шине 15 низкийпотенциал . Конденсатор 5 заряженпрактически до напряжения питания,т.е, на нижней обкладке находится Изобретение относится к импульснойтехнике и может быть использовано вкачестве формирователя импульсов вустройствах автоматики и вычислительной техники. 5Цель изобретения - повышение стабильности длительности выходного импульса, которая достигается за счетустранения влияния остаточного напряжения на времязадающем конденса- Оторе.На чертеже приведена принципиальная схема одновибратора,Одновибратор содержит транзисторы1-4, времязадающую цепь, образованную конденсатором 5 и резистором 6,резисторы 7-11, входную шину 12,выходную шину 13, шину 4 источникапитания и выходную шину 5.Транзисторы 1 и 2- и -р-типапроводимости, транзисторы 3 и 4 ии - р - п-типа проводимости, База транзистора 1 соединена с коллекторомтранзистора 3, база которого соединена с коллектором транзистора 1. 25Эмиттер транзистора 1 соединен содной обкладкой конденсатора 5, аэмиттер транзистора 3 с его другойобкладкой, Эмиттер транзистора 1также соединен с выводом резистора б, 30второй вывод которого соединен сколлектором транзистора 2 и с резистором 7, второй вывод которогосоединен с базой транзистора 1 ивыводом резистора 8, который вторымвыводом соединен с резистором 9и базой транзистора 4, эмиттер которого соединен с общей шиной,Резисторы 1 О и 11 соединены сбазой транзистора 2, нходная шина д 012 соединена с базой транзистора 4,а выходная шина 13 - с вторым выводом резистора 1 О, с коллекторомтранзистора 4 и с эмиттером транзистора 3. Шина 4 источника питаниясоединена с эмиттером транзистора 2и с вторым выводок резистора 11.Выходная шина 15 соединена с коллектором транзистора 2,потенциал практически равный напряжению питания Е.При поступлении на шину 12 входного положительного запускающегоимпульса транзистор 14 открывается,потенциал на выходной шине )3 падает практически до нуля, и через резистор 10 открывается транзистор 2,Потенциал на выходной шине 15 возрастает до напряжения источника питания, ток через резисторы 7 и 8удерживает транзистор 4, а следовательно, и транзистор 2 н открытомсостоянии, Так как при включениитранзистора 4 напряжение на нижнейобкладке конденсатора 5 уменьшаетсяпрактически до нуля, а конденсатормгновенно разрядиться не может,то напряжение нр верхней обкладкеконденсатора 5 становится практически равным напряжению источникапитания (с отрицательным знаком ),Это начальное напряжение на онденсаторе 5 не зависит от остаточного напряжения, величина которогоопределяется как+П +1 Ег /(З) кгде Е - напряжение питания;коэффициент усиления транзисторов;- напряжение насыщения перехода коллектор-экиттер;Оц- напряжение насыщения перехода эмиттер-база транзистора 3;распределительные базовыебосопротивления транзисторов;к - сопротивление резисторав цепи коллектора транзистора 3 11,поскольку на другой обкладке конденсатора 5 в этот мокент времени образуется компенсирующее напряжение.Конденсатор 5 начинает разряжаться до нуля, а затем заряжаться через резистор 6 от высокого напряжения на выходной шине 15. Когда напряжение на конденсаторе 5 превышает напряжение на базе транзистора 1, которое определяется делителем напряжения на резисторах 7 и 8, транзисторы 1 и 3 открываются и входят в насыщение. Открытый транзистор 3 шунтирует ток, проходящий через резистор 8, транзистор 4 закрывается, что при1192119 Составитель Г.КрапиваТехред М,Надь Корректор Л.Патай ор В.Ковт Заказ 7172 6 Тираж 871ВНИИПИ Государственнопо делам изобретен 13035, Москва, Ж, Ра Подписноео комитета СССРй и открытийшская наб., д.4/ Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 3водит к закрытию транзистора 2. Потенциал на выходе 15 падает прак" тически до нуля, а.конденсатор 5 снова заряжается до напряжения питания Е. Закрывание транзистора 4 приводит к закрыванию транзисторов 1 и 3 и устройство возвращается в исходное состояние. Таким образом, удается устранитьвлияние остаточного наяряжения наконденсаторе, величина которого Ненормирована и может существенноменяться от смены транзисторов, атакже от изменения температуры,что приводит к повьаению стабильностидлительности выходных импульсов.