Способ выращивания томатов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1134136
Автор: Маслов
Текст
4(51) А 01 6 1 00 ГООУДАОТНЕИИ 1 й ИОМИТЕТ ОООв ПО ДЕЛАМ ИЭО)РЕТЕНИЙ И ОТНРЬГТФ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕЧЕЛЬСТВУ(54) (57). СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОМАТОВ,включав ший высаживание предварительно подготовленной рассады в борозды и.уход заней, о т л н ч а ю щ и н с я тем, что,с целью повышения продуктивности растенийза счет формирования мощной корневой системы и снижения затрат, с выращенной рассадыудаляют нижние 2.3 пары листьев, рассадуукладывают вдоль борозд, ориентированныхс юга на север, так, чтобы верхушки рфтенибыли папвалены в сторону севера, а помере роста растений н появления. нв пихпасынков нх кже освобождают от нижнихлистьев и приРапывают стебли до верхушкив почву без отчуждения от материнскогорастения./- Изобретение отмосатса. к савскомустау и может быть использовано лриванин томатов кзк в открь 3 том, так н в С . 3 пи 3 нф ь 3 грунтф.Известен способ зоздфль 3 ва 393 я туртоматов в защищенном грунте, включзллвырз 3 цнвзине рассады и пересадку фе натоянное место на стздиирззвн 333 Л третьейпары, лнйьфв в бороздь 3 яа, глубину 10 ( Известен"способ вырв 3 ннвзими томатовоткрытом грунте, прк/котором предвзрино вырз 3 ненную расс 4 р выскк 33 вают из 134136 хозаВЫРЗПП 3 3 СУЛЬ тельбияу от 10 до 24 см 121сыпзлн почвой до нижней пары листьевИзвестные сюзсобы обладают тем иедостзт. "Нзглубинку 10.12.сз 3. Яонфком, что, пр высадке рассады нз общепрл ч вой системы подрзстаеп 3 нйлпятую по згротехиккф. Зырзпв 3 ванил глубину, - Растений выпрямлллси,Г%растения из нзчз 33 ьнь 3 х стз 33 илх роста не ус 33 ф. Солнцувеютформировать достзточ 33 О рвзв 3 пую Так как использовалнсьвысокорослые рас.корневую систему, обфспфп 3 вафп 3 ую быстрое тееи, то в процессе ухода проводили нх под;и мо 33 р 3 ое развйтие.над 3 фмной части, 20 важу к заранеф подготовлфяной ппюлерф.Цель кзобрфте 3 п 3 я - повы 333 еняе продуктив-После плодоноптанял корнфнойсистемы, обраности растений за счет формирйаняи моп 3-, зованюй по предлз 33 зфмому способу, провелиной корневой системы и сйижю 3 ие затрат, отмыв и обнаружили, что образоваласьнз их вырзщнваниф. /ватан корневая системз, которал софлиааась сПостзвлф 33 иал пель достигаетсл тем, что 2 ф невой системой соседних кустов, С казщого к.согласно сбощбу вырзшявзнил Томатов, / был получен урожай (в среднем) по 70 кгвключающему фя 3 сзжкззнне предварительнотоматов,/подгото 3 ленной рассздь 3 в борозды н уходПредлагаемый способ посадки том;тов.за нфй, с выращенной рассздьг,удзплют яккниф позволяет более рациоиаль 33 О использоватьЪдары акстьфв рассаду уклздмвают в 33 ольземлю, тзя кзк бфз каких либо дополннтельборозд, орифнтиройтцтнжх С=3 пгз а север,.тзк нь 3 хматериальных затрйт снимаемый урожайчтобы верхушки растений 11 ыли изпрзвлщы в пять.п 3 естЬ раз выше, чем при обычномв сторону севера, з по мере роста растений способе посадки. Это относитсл кзк к выращи.и юявления нижних пасынков нх таске взяию томатов на болыпих. зеьтфльных ллошаосвобождз 3 ЕТ от. Нюкынх листьев и прикзпыва.длх (в условиях промышленного овощевод.ютстебля до верхушки в почву без о.,ства), тзк и в условял 1 г приусадебных хо. "чуждф 33 ня От ого растеняль зяйствр 3 де нмфетсл ьоз 30 ж 33 ость ДО 33 ол 3333 тщь,На фиг 1 фн с 33 осс 16 прототнп посз 3 ь- ю" включать вкорневую систему.растенй ки ра фяг. 2 - прфя 33 згземый с 3 ккиб. пасынки н снимать урожайс одной я .той жфпосадка рассзда 3; нз фиг, За- растение то земельной плошади в десать раз выше чфмз ф.мере роста 3 сор нздзфмиый ствоповорвчквзлсь к мочко. Г КОР уста3оэвтета СССР откр тийиаб д, 4/5 лиал ППП "Патент", г. Корректор В. Ги
СмотретьЗаявка
3665052, 30.11.1983
МАСЛОВ ИГОРЬ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, томатов
Опубликовано: 15.01.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1134136-sposob-vyrashhivaniya-tomatov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания томатов</a>
Способ преодоления летальности растений томатов
Номер патента: 912120
Опубликовано: 15.03.1982
Автор: Авдеев
МПК: A01H 1/04
Метки: летальности, преодоления, растений, томатов
...этого же сорта или линии в фазе образования 5-9 листьев.П р и м е р. Проводится восстановление репродуктивной способности йе., и а 1 а (а 11) мутантов. Оба мутанта летальны и гибнут через 1-2 недели после образования семядолей.формула изобретения Составитель Л. Иарчен коваТехред А. Бабинец Корректор У. Пономаренко Редактор Л.Авраменко Заказ 1184/3 Тираж 699 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035 Москва, ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная,3 91212Для восстановления репродуктивной способности мутанты в Фазе семядолей прививают на фертильные растения этих же сортов и линий, от которых произошли мутанты. Нормальные растения, используемые в качестве подвоя,...
Способ выращивания растений томата в гидропонике
Номер патента: 1683577
Опубликовано: 15.10.1991
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, гидропонике, растений, томата
...математического выражения. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ЬОи =,0,4 (ехр 0,005 уев - ехр 0,005 У 1 ),где ЛОч 1 - корректирующая доза азота, г/м;у 1 - количество солнечной радиации, поступившей за период от момента посадки рассады до момента проведения предыдущей коррекции, МДж/м 2;у - количество солнечной радиации, поступившей от момента посадки рассады до момента проведения текущей коррекции, МДж/м .В соответствии с принятым на этапе экспоненциального роста для растений томата соотношением элементов вычисляют корректирующие дозы иных элементов относительно найденной корректирующей дозы, азота и выполняют очередную коррекцию питательного раствора.При поступлении суммы солнечной радиации, равной 550 МДж, изменяют в питательном...
Способ получения рекомбинаций у растений томатов
Номер патента: 1577729
Опубликовано: 15.07.1990
Авторы: Заморзаева, Ущаповский
МПК: A01H 1/04
Метки: растений, рекомбинаций, томатов
...в потомстве,Действенность способа увеличения частоты рекомбинаций у растений подтверждается исследованиями на разных группах сцепления томатов с применением высоких и низких температур и в сочетании с действием митомицина С.П р и м е р 1. Активно вегетирующие растения томатов Г (ада/; сш/) помещают в следующие температурные режимы: 8 С (ниэкотемпературный), 38 С (высокотемпературный) и 23 С (контрольный) варианты. Предмейотические бутоны первого соцветия изо лируют в микротермокамерах с темперао турным режимом 23 С. Время термообработки 48 ч, При данном режиме обработок прямое действие экстремальныхтемператур на генеративные органы 55 растений приводит к дегенерации соцветий. Применение способа локальных обработок позволяет избежать...
Состав для регулирования роста растений
Номер патента: 272201
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Иностранна, Кеннет, Соединенные, Фмк
МПК: A01N 43/832
Метки: растений, роста, состав
...мелкие цветочные почки,Оценку химического воздействия на растения производят через месяц после обработки. Химическая обработка це вызывает фитотоксических явлений, однако фенилфуроксан фактически задерживает развитие цветочных структур. Так, у контрольных растений на 46% плодов больше, чем у обработанных растений,Обработанные растения подвергают вторцчной обработке через месяц после первой фенилфуроксаном в концентрации 138 ррт. Через 26 дней растения осматривают для оценки развития плодов, Вторая обработка значительно усиливает развитие плодов, причем обработаццые растения имеют на 23 Ъ плодов больше, чем контрольные. У пяти из обработанных растений имеются (измеримые) плоды на третьей и четвертой ветвях (побегах), в то время как ни...
Способ регулирования роста томатов и капусты
Номер патента: 1080806
Опубликовано: 23.03.1984
Авторы: Бескровный, Бондаренко, Зелендина, Ковпак, Котляренко, Криворучко, Медведев, Северин, Сукачева, Шульгина
МПК: A01N 65/00
Метки: капусты, роста, томатов
...ниже 0,01 О/о является также нежелательным, так как величины отмеченных показателей резко ухудшаются, что приводит к снижению эффективности способа.Поскольку полученные данные в интервале концентраций стимулятора 0,01 и 0,1/, близки, при изучении влияния стимулятора на качество рассады и на урожай томатов для замачивания семян используют 0,1%-ный раствор стимулятора.Оптимальная концентрация Биомоса-Т, необходимая для опрыскивания растений, определена методом сверхслабого спонтанного свечения.Пример 2. Опыт лабораторно-производственный. Объект исследования: рассада сорта Киевский 139.Рассаду томатов в фазе трех-четырех настоящих листьев опрыскивают водным раствором Биомоса-Т в концентрации 0,0005 - 5,0 О/о и по изменению уровня...
Предыдущий патент: Хлопкоуборочный аппарат
Следующий патент: Устройство для искусственного освещения растений
Случайный патент: Установка для деформирования образцов материалов при определении демпфирующих свойств