Способ получения растрированного электрографического фотоносителя

Изобретение относится к электро- фотографии, в частности касается технологии изготовления растрированного носителя информации, применяемого в системах записи и обработки информации.Известен способ получения растрированного электрографического фото- носителя, содержащего слой фоточувствительного полупроводника, заключаю щийся в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической неоднородности1 3.Создание растра с высоким разре 15 шением в виде периодической электрической неоднородности путем диспергирования в высокоомном фотопроводящем слое однородно распределенных низкоомных участков в виде точек или ли 20 нии вызывает значительные технологические трудности и требует больших экономических затрат.Целью изобретения является повышение экономичности получения раст 25 рированного электрографического фотоносителя.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения растрированного электрографического фотоносителя, содержащего слой фоточувствительного полупроводника, заключающемуся в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической неоднородности, последнюю Формируют путем экспонирования З 5 на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции, достаточной для образования фазовых превращений в слое, причем в качест-. ве материала фоточувствительного 4 О слоя используют стеклообразный халькогенид мьппьяка.Для создания оптической растровой картины используют когерентное излучение с длиной волны в области активного поглощения, которое при экспонировании вызывает увеличение электропроводиости освещенных мест фото- полупроводникового слоя и в нем образуется линейный растр поперечной 50 электропроводности в виде модуляции последней в соответствии с распределением интенсивности в проецируемой интерференционной картине. Укаэанные необратимые изменения электропровод ности вызываются фотоструктурными превращениями в полупроводниковом слое, возникающими под действием когерентного излучения, что и приво- дит к образованию растра в виде модуляции электропроводности фотополупроводника.Запись растровых изображений в соответствии с предлагаемым способом осуществляют следующим образом.Для получения линейнорастрированного иэображения на фототермопластнческий носитель, содержащий подложку из полиэтилентерефталата, проводящий слой, фоточувствительный слой из стеклообразного халькогенида мышьяка, термопластический слой, проецируют интерференционную картину, образованную двумя сходящимися когерентными лучами. Длину волны излучения выбирают из интервала значений 0,4-0,7 мкм, соответствующих области активного поглощения фото- полупроводника; а экспозицию - О, 1-1 Дж/см , достаточную для появ 2ления фотоструктурных превращений в фотополупроводнике, приводящих в свою очередь к изменению поперечной электропроводности последнего в местах засветки. Вследствие того, что при интерференции сходящихся волн проецируемое световое поле промодулировано по интенсивности в виде растра, то и распределение областей с пониженной (повышенной) электропроводностью в фотополупроводниковом слое будет представлять собой линейный растр.Полученный образец фототермопластического носителя с модулированным по электропроводности полупроводниковым слоем можно применять для записи оптического изображения, используя последовательный или одновременный способ фототермопластической записи, причем в отличие от обычной записи, когда изображение формируется за счет хаотической "морозной" или "луночной" деформации свободной поверхности термопластического слоя, деформирование. поверхности термопластика в соответствии с предлагаемым способом начинается в местах повышенной электропроводности фотополупровадника, отвечающих "впечатанному". ранее растру.П р и м е р. Запись растрового изображения проводят на носителе, основой которого служит модифицированный полиэтилентерефталат, толщиной 60 мкм. На основу наносят прово-,;10816 Составитель В,АксеновРедактор Н.Лазаренко Техред Л.Коцюбняк Корректор. И,Муска Заказ 1548/43 Тираж 464 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 13035, Москва, Ж, Раушская наб ., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная 4 дящее хромовое покрытие проводимостью 5 102 Ом/см . Фоточувствительный2слой выполнен из материала, содержащего 703 АзБеи 307 АзБе ,Ав 28 и имеет удельное сопротивлейне 7,6 10"Ом см, толщину 2, 1 мкм и кратность фотоответа К=24. Термопластический слой сополимера БМКвы" полнен толщиной 1,8 мкм. На пленку проецируют интерференционную картину, образованную когерентными лучами, сходящимися под Я =5 30 , что со-оответствует пространственной частоте линий порядка 300 мин/мм. Величина экспозиции составляет 1 Дж/см . За 1тем одновременным способом на пленку записывают изображение объекта. При этом напряжение короны выбирают равным 5 кВ, температура образцаф опри записи 75 С. 20Наряду с линейчатым растром описываемый способ позволяет также производить точечное растрирование изображения. Для этого фототермопластический.носитель помещают в область 25 интерференции двух сходящихся лазерных лучей и подвергают действию экспозиции, равной половине величины. экспбзиции, необходимой для получения.1 19 4линейчатого растра. Затем образецфототермопластического носителя(или проецируемая интерференционнаякартина) поворачивают в своей плоскости на некоторый угол К и вторичноподвергают такой же экспозиции,В результате в слое полупроводникаобразуется два наложенных линейчатыхрастра электропроводности со взаимной ориентацией, определяемой угломо(,. Если на таком образце последова- .тельным или одновременным способомосуществить фототермопластическуюзапись оптического изображения, топоследнее будет сформировано деформацией поверхности термопластика"луночного" типа, причем центры лунок, формирующих изображения, располагаются в точках пересечения засвеченных участков двух упомянутых линейных растров. Меняя взаимную ориентацию "впечатанных" линейных растров,можно получить регулярную деформацию термопластического слоя различной геометрии,Таким, образом, предлагаемым способом создается экономичная технологияполучения растрированного фотоносителя при высоком разрешении.