Датчик для определения концентрации газов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1052972
Автор: Кейзман
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХсаииамкпеиРЕСПУБЛИК Я 02 А 01 й 27/04 // С, 01 )ч 31/Об П ИЗО ЕН ОП ую окиси и й с я ия его тных те рически которог ой стор ой плен ск 88,72.2435,(прот п)ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ)ТЮ(54) (57 ) ДАТЧИК КОН 11 ЕНТРАЦИИ ГА полупроводников о т л и ч а ю щ с целью увеличе ности при комн он снабжен элек тором, обкладки с зазором с каж водниковой окис ДЕЛЕНИЯржащийую пленку,тем, что,увствитель-мпературах,м конденсаразмещеныны полупроИзобретение относится к техникеизмерения концентраций веществ,а точнее к датчикам, служащим дляизмерения концентрации газов, иможет быть использовано, например,в химической промышленности.Известны полупроводниковыедатчики для определения концентрациигазов, представляющие собой слоиполупроводниковых окислов с припаяными к ним омическими контактами 1,1Наиболее близким по техническойсущности.к предлагаемому являетсядатчик, представляющий собой полупроводниковую окисную пленку с припаяными к ней омическими контактами, 15расположенную на подложкр. Омические контакты подключены .к источникупостоянного напряжения и через полупроводниковую пленку течет ток. Привнесении датчика в газовую среду на 2поверхности пленки адсорбируютсямолекулы газа, что приводит к изменению поверхностного потенциала пленки и изменению тока., протекающегочерез нее. По изменениям тока определяют концентрацию газа 2 .Однако в области малых концентраций измеряемого газа поверхностьпленки обладает малой адсорбционнойспособностью. Это приводит к тому,что этот датчик, как и все остальные,не может быть использован для определения малых концентраций газоввследствие низкой чувствительности.Для повышения чувствительностииспользуют подогрев датчика до нескольких сот градусов, что исключаетего применение во многих средах,в частности во взрывоопасных.Цель изобретения - увеличение40 чувствительности датчика при комнатных температурах.Поставленная цель достигается тем, что датчик снабжен электрическим конденсатором, обкладки которого 45 размещены с зазором с каждой стороны полупроводниковой окисной пленки. На фиг. 1 изображен предлагаемыйдатчик, вид спереди; на фиг. 2вид А на фиг. 1, разрез; на фиг. 3схема вхлючения.Между обкладками 1 электрическогоконденсатора на подложке 2, выполненной из диэлектрического материала, размещен датчик 3, выполненныйв виде полупроводниковой окиснойпленки с припаянными к ней омическими контактами 4, К обкладкам конденсатора припаяны электроды 5 дляподключения его к источнику постоянного напряжения. Подложка 2 выполнена таким образом, чтобы между обкладкой конденсатора и датчикомимелся воздушный зазор для доступак датчику измеряемого газа.Конденсатор подключен к источнику б постоянного напряжения,через ключ 7 датчик через нагрузочное сопротивление 8 .и источник 9питания подключен к измерительномуприбору 10.Устройство работает следующимобразом.При помещении датчика в газовуюсреду с низкой концентрацией измеряемого газа молекулы газа адсорбируются поверхностью полупроводниковой пленки, однако их концентрация на поверхности недостаточна дляточного определения концентрации газа. При включении конденсатора 1происходит смещение уровня Фермиполупроводниковой пленки и увеличивается ее адсорбционная способность. Это приводит к тому, чтоповерхность пленки адсорбируетбольше молекул измеряемого газа,что вызывает большие изменения тока,текущего через пленку, и позволяетточно определять концентрацию измеряемого газа.Испытания показывают, что предлагаемый датчик может быть использовандля определения различных, в томчисле и очень малых, концентрацийгазов в различных средах,1052972 Составитель Л. Дикая ктор ВПетрам Техред Ж. Кастелевич Корректор аф Зимокос/5 Филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул, Проектная Заказ 8860/40 ТирВНИиПИ Госуда по делам изо 113635, Москв 873 твенног ретений Ж, Подписнокомитета СССРоткрытийушская наб.,
СмотретьЗаявка
2537785, 01.11.1977
ВОРОНЕЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
КЕЙЗМАН ВИКТОР БОРИСОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 27/04
Метки: газов, датчик, концентрации
Опубликовано: 07.11.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1052972-datchik-dlya-opredeleniya-koncentracii-gazov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик для определения концентрации газов</a>
Датчик локальной толщины жидкостной пленки
Номер патента: 1019229
Опубликовано: 23.05.1983
Авторы: Алексеенко, Барабаш, Беседин, Мужилко, Покусаев, Риферт
МПК: G01B 7/06
Метки: датчик, жидкостной, локальной, пленки, толщины
...из соотношения5 Ы. .раО,3 Ьгде Ъ " длина волн на поверхности жидкостной пленки;Кр- максимальная толщина жидкостной пленки на гребне волны.Кроме того, расстояние между контактными щупами по катетам треугольника равно Хдиаметрам д отверстийв диске.На фиг, 1 показано расположениеконтактнцх щупов на поверхности вращающегося диска на фиг. 2 - датчикв разрезе; на фиг, 3 - осциллограммаизменений локальной толщины жидкост- ной пленки; на фиг. 4 - схема обработки сигнала датчика.Датчик локальной толщины жидкостной пленки содержит контактные щупы 1-3, заделанные в тело металлического основания - диска 4 и.электроизолировамные от него слоем ди"электрика 5. На поверхности дискаконтактные щупы 1-3 расположены по.вершинам прямоугольного треугольника,...
Емкостный датчик для контроля тонких пленок
Номер патента: 292120
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Институт
МПК: G01R 27/26
Метки: датчик, емкостный, пленок, тонких
...тем, что датчик содержит не менее двух пар высокопотенциальных и низкопотенциальных электродов, образующих два накладных конденсатора, из,которых один расположен на исследуемой пленке, а 10 другой - против него на диэлектрическом основании.Диэлектрические характеристики исследуемого объекта определяются по разности измеренных значений параметров обоих конденса торов.На фиг, 1 представлена электрическая схема датчика; на фиг. 2 - график зависимости сигналов от диэлектрической проницаемости тонкой пленки.20 Емкостный датчик состоит из низкопотенциальных (заземленных) 1 и 2 и высокопотенциального 3 электродов, которые помещаются на пленку 4, нанесенную на диэлектрическое основание 5, и аналогичных низкопотенциаль ных б и 7 и...
Устройство для установки датчиков в измеряемом поле скоростей или расходовжидкости
Номер патента: 436282
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Коваленко, Центральный
Метки: датчиков, измеряемом, поле, расходовжидкости, скоростей, установки
...в виде зубчатых реек, соединенных с многоходовым редуктором.Недостатком известного устройства является необходимость ручной корректировки положения датчиков в зависимости от изменения глубины контролируемого потока.Для обеспечения автоматизации процесса и сокращения времени на установку датчиков в предлагаемом устройстве механизм крепления датчиков, выполненный в виде последовательного наслоения шарнирных ромбов, нижним концом укреплен на штанге, а верхним - соединен с поплавком, подвижно установленным на той же штанге.На чертеже дана сх ваемого устройства, состоящего из с подпятнит изобрете е Устройство ряемом поле сти, содержащ 5 ния датчиков,целью обеспе сокращения в механизм кре де последоват 0 ромбов и ниж ге, а верхним вижно...
Датчик для контроля толщины анодной пленки
Номер патента: 727979
Опубликовано: 15.04.1980
МПК: G01B 7/06
Метки: анодной, датчик, пленки, толщины
...и изоляционной втулки,закрепленной в одном из стаканов, штыри установлены во втулке, а в донышкедругого стакана выполнены отверстия дляпрохождения штырей.На фиг. 1 представлен датчик для кон-троля толщины анодной пленки, общий 1вид на фиг. 2 - сечение А-А фиг. 1.Он содержит верхний стакан 1, токо.провод в виде штырей 2, изоляционнуювтулку 3, нижний стакан 4, пружины 5штырей 2, изоляционную шайбу 6, пружину 20,Корпус датчика составляет верхний стакан1 и,нижний стакан 4. Верхний стакан1 корпуса имеет круговой выступающийпоясок 10 для пальцев рук. В верхнемстакане 1 на резьбе 11 установлена изоляционная втулка 3, в которой размещеныштыри 2, подпружиненные в направленииоси перемещения. Штыри закреплены отвыпаденияизоляционной шайбой 6....
Накладной емкостный датчик для контроля толщины полимерных пленок
Номер патента: 953445
Опубликовано: 23.08.1982
Авторы: Иванов, Свиридов, Скрипник
МПК: G01B 7/06
Метки: датчик, емкостный, накладной, пленок, полимерных, толщины
...или цилиндрическими) с одииаковым радиусом кривизны.Низко- и высокопотенциальныеэлектроды 3-6 конденсаторов 1 и 2 с,целью исключения влияния на результат измерения анизотропных свойств контролируемой пленки могут быть выполнены в виде концентрических компланарных колец (фиг, 2). Количество электродов, геометрические размеры и расстояние между ними определяются предполагаемой толщиной контролируемой пленки.Радиус кривизны рабочей поверхности емкостного датчика выбирается в соответствии с прочиостными характеристиками контролируемого мате-, риала, а также с учетом геометрических размеров конденсаторов. С достаточной степенью достоверности он может быть определен из соотноЯшения =О,где Й - радиус кривизны рабочих поверхностей; д -...
Предыдущий патент: Способ изготовления полупроводникового чувствительного элемента
Следующий патент: Газоанализатор
Случайный патент: Способ диагностики нарушения периферического кровообращения