Способ формирования скрытого электростатического изображения

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУЬЛИН Соза 1 ю:.т ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ, саидетельсте Бюл. М 25щонас и С.И. Тамоинонасй ордена Трудовогони н ордена Дружбырственный университе СССР РОВАНИЯ СКРЫТО О ИЗОБРАЖЕНИЯ электрофотогра-. ред зарядкой, лектрическим. ра ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) 1. Лвторское свидетельйо заявке Р 3238707/28-12,кл. 6 03 6. 13/056, 1981.(54)(57) СПОСОБ ФОРИИГО 33 ИЖТРОСТАТИЧЕСКОГвкмяакюий обработкуФаческого носителя певномерную зарядку э разрядом, экспонирование изображения, подогрев и выдерживание носителя при температуре термополяризации, охлаждение до температуры, не превывающей температуру деполяризации, разрядку его до нулевого поверхностного потенциала и подогрев до температуры деполяризации, о т л и ч аю ц и и с я тем, что, с целью повышения качества изображения, обработ" ку ведут путем нагревания и.выдерживания не менее 4-6 мии при температуре, на 20-50 С превьаюакяцей температуру термополярнзации, и не более чем в течение 5-10 мйй охлаждения до температуры, не превышающей температуру термополяризации носите- Е ля.Изобретение относится к электро-, фотографии и касается способа формирования изображения на электрофотографическом носителе.Известен способ формирования скрытого электростатического иэображения, включающий обработку электрофотографического носителя перед зарядкой, равномерную зарядку электрическим разрядом, экспонирование изображения, подогрев и выдерживание но О сителя при температуре термополяризацин, охлаждение до температуры, не превышающей температуру деполяризации, разрядку его до нулевого поверхностного потенциала и подогрев до 15 температуры деполяризации 1.Недостатком данного способа является низкое качество изображения.Цель изобретения - повышение качества изображения. 33Поставленная . цель достигается тем, что согласно способу формирования скрытого электростатического изображения, включающему обработку электрофотографического носителя перед зарядкой, равномерную зарядку электрическим разрядом, экспонирование изображения, подогрев и выдерживание носителя при температуре термополяризации, охлаждение до температуры, не превышающей температуру деполяризации, разрядку его до нулевого поверхностного потенциала и подогрев до температуры деполяризации, обработку ведут путем наг-, ревания и выдерживания не менее З 4-6 мин при температуре, на 20-50 С превышающей температуру термополяризации, н не более чем в течение 5-10 мин охлаждения до температуры, не превышающей температуру термо О поляризации носителя. В предлагаемом способе используется озможность модификации состояния мрнсталлизующегося ПОлимерно 4 го органического полупроводника. После воздействия теплового импульса органический полупроводник переходят иэ кристаллического в стекло- образное состояние. Роль состояния йоаммера незначительна при образо. амии пероначального скрытого электростатического изображения, когда экспонируют равномерно заряженный ноиоситель. Потом, когда носитель подогревают до температуры поляриэа- зз цмм и ыцерживают при этой температуре, под действием электрического волк первоначального заряда происходмт термополяризация носителя и на его границах образуются связанные 60 заряды, противоположные по знаку началЬиой зарядке. В стеклообразном состоянии полимерного органического полупроодиика ориентация диполей менее затруднена, чем в кристалличес-у ком состоянии, поэтому плотность связанного заряда в носителе, подвергнутом перед зарядкой воздействию теплового импульса, гораздо больше, чем без воздействия теплового импульса.После выдержки носителя при тем пературе поляризации его охлаждают, в результате чего ооиентированные диполи замораживаются, т,е, фиксиууется положение связанного заряда. Разоядка носителя по нчлевого потенциала означает, что плотность пер воначального заряда снижается до величины, равной плотности связанного заряда, а напряженность внутреннего электрического поля равна нулю. При этом чем больше плотность связанного заряда, тем больше остается на поверхности носителя плотность первоначального заряда. Таким образом, законсервированное скрытое изображение не может стираться при освещении носителя. При деполяризации носителя происходит деориентация диполей, связанный заряд поляризации изчезает и выявляется потенциальный рельеф, соответствующий перно- начальному заряду и гораздо больший, чем без воздействия теплового импульса. Воздействие теплового импульса почти не меняет поверхностной проводимости носителя, поэтому повышение качества изображения достигается значительным увеличением контрастности выявленного изображения и происходит без потери разрешающей способности.Интервал времени выдержки косителя при температуре, превышающей на 20-50 ОС температуру термополяризации, должен быть не менее 4-6 мин, так как при более коротком нагреве в полимерном органическом полупроводнике еще остаются участки с кристаллическим состоянием и контрастность изображения увеличивается меньше, чем при отсутствии кристаллического состояния. Температура, до которой нагревают носитель, на 20-50 фС выше температуры термополяризации, при этом интервал 20-50 С выбран по двум основным условиям: температура, до которой нагревают носитель, должна быть не меньше, чем температура стеклования полимерного органического полупроводника (при этой температуре происходит вышеуказанное изменение состояния полимерного органического полупроводника), и не больше температуры разложения этого полупроводника. Верхний предел времени охлаждения составляет 5-10 мин, так как при более медленном охлаждении полимерный органический полупроводник частично кристаллизуется. П р и м е р . Электрофотографический носитель, состоящий из стек1027688 . Составитель М, ВолковаРедактор М; Рачкулинец Техред А,Бабннец Корректор А. Повх Заказ 4737/52. Тираж 473 Подписное. ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП фПатентф, г. ужгород, ул. Проектная, 4 лянной подложки, покрытой тонким0,1 мкм) электропроводящим слоем двуокиси олова, и сверху нанесенного поливом раствора слоя полимерного органического полупроводника поли-М-впоксипропилкарбазола тол щиной 3-4 мкм, содержащего после.высушивания.2-3 толуола, нагревают до 90 фС и выдерживают при этой тем.пературе 10 мин, потом в течейие 1 мии охлаждают до 20 фС, заряжают короииви разрядом до 300-350 В положительного начального потенциала, экснониру 1 от изображение, подогревают и выдерживают при температуре поляризации 70 фС в течение 3 мин.Потом носитель охлаждают до 20 С, разряжают до нулевого поверхностного потенЦиала и подогревом до 60 фС выявляют положительный потенциал, составляющий 40-45 от начального уровня скрытого электростагического изображения, сформированногопри экспонировании. Это в 3,5-4 ра"за больше, чем беэ воздействия теп-лового импульса, и в 1,5 раза боль 5 .ше, чем в том случае, когда применяют воздействие насыщенным паромтолуола в течение 10 мин. Полученные копии показывают разрешающуюспособность 120-140 линий на милли- Ю метр, что в 2. реза превосходит разрешающую способность копий, когдаскрытое изображение сформированопосле воздействия насиаеиным паромтолуола (60 линий на миллиметр), 15Таким образом, воздействие теп- .лового импульса не менее чем в 1,5раза повышает качество иэображенияпо сравнению с известньаки способамн