Формирователь импульсов

Номер патента: 1019613

Автор: Павасарис

ZIP архив

Текст

во ССС идетельс 5/20. радиоэле о А.А. рис.9-10ронине, нергия ГОСУДАРСТВЕЙЧЫЙ КОМИТЕТ СССРЛО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТИРЫПФ ИСАНИЕ ИЗ 3218409/18-2103.12.8023.05.83. Бюл. В 19Ч.И.ПавасарисВильнюсский ордена Трудого Знамени и ордена Дрдов государственный увивм. В. Капсукаса621.373(088.8)(54)(57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ, содержащий полупроводниковую структурутетродного типа,к первой и-области которой подключен источник питания, .источник входного сигнала, резистор нагрузки, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширейия Функциональных возможностей, в него введены два резистора, первый.иэ которых подключен между первым выводом р-области и первой шиной источника входного сигнала, второй - между вторым выводом р-области и второй шиной источника входного сигнала, а вторая п-область соединена через резистор нагрузки с общей шиной устройства.О еИзобретение относится к импульсной технике и может быть использованов устройствах автоматики и вычислительной техники,Известен формирователь импульсов,содержащий переключатель тока надвух транзисторах, эмиттеры которыхчерез резистор подключены к общейшине устройства, коллектор первоготранзистора непосредственно, а коллектор второго транзистора через резистор подключены к потенциальнойшине источника питания, база первоготранзистора соединена с шиной источника входного сигнала 11 3.Недостатком устройства являетсяего сложность,Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому являетсяформирователь импульсов, содержащийполупроводниковую структуРу тетродного типа, к первой И-области которой подключен источник питания, источник входного сигнала, резистор нагрузки 2,Недостатком устройства являетсяневозможность формирования симметричных импульсов прямоугольной формыс одновременным удвоением частотыих повторения,Целью изобретения является расширение Функциональных воэможностейустройства,Поставленная цель достигается тем,что в формирователь импульсов, содержащий полупроводниковую структуру тетродного типа, к первой П-области которой подключен источник питания, источник входного сигнала, резистор нагрузки, введены два резистора, первый из которых подключен между первым выводом р -области и первой шиной источника входного сигнала, а второй - между вторым выводом Р-области и второй шиной источника входного сигнала, втораяЬ-область соединена через резистор 45нагрузки с общей шиной устройства.На фиг.1 приведена структурнаяэлектрическая схема устройства; нафиг.2 - эпюры, поясняющие работусхемы.50Устройство содержит полупроводниковую структуру тетродного типа,состоящую иэ трех полупроводниковыхобластей 1-3, образующих два р -л-перехода 4 и 5, резистор б нагрузки,источник 7 питания, два вывода 8и 9 р;области, резисторы 10 и 11,источник 12 входного сигнала.Устройство работает следующимобразом.На один из р -п-переходов 4 или 5 60подают обратное смещение от источника 7 питания. Поэтому ток черезрезистор б нагрузки не протекает ина выходе сигнала нет, Через резисторы 10 и 11 подают входной , 65 сигнал, например сииусоидальный(фиг.2,а). Вдоль области 2 параллельно р -и-переходам 4 и 5 протекает токв направлении, например, от вывода 8к выводу 9, Из-за падения напряжения вдоль области 2 в этом направлении растет ширина объединенной области р-и-переходов 4 и 5 и онисближаются, При достиженни амплитуды входного сигнала Бвеличинынасыщения Б(фиг.2,а) р -о-переходы 4 и 5 йачинают смыкаться околовывода 9 и через резистор б нагрузки протекает ток, величина которогоопределяется величиной сопротивления резистора нагрузки и величинойнапряжения источника 7 питания., Приэтом на выходе формируется переднийфронт импульса (Фиг.2,б). При последующем уменьшении амплитуды входного сигнала Одопроисходитнасразмыкание р -й-переходов 4 и 5 чтоприводит к отсечке тока через резистор б нагрузки. Поэтому на выходеформируется задний фронт импульса(фиг.2,б).Во время второй половины периодавходного сигналаток вдоль области 2 протекает в обратном направлении, например от вывода 9 к выводу 8, При этом смыкание р-и-переходов 4 и 5 происходит около другоговывода, например вывода 8, и повторяются те же самые процессы, Поэтомуна выходе формируется второй прямоугольный импульс.Процесс выхода тетрода из насыщения, а тем самым и момент размыкания р -и-переходов 4 и 5, зависит отоднородности и симметричности егоструктуры относительно выводов 8 и 9базы. Иэ-за несимметричности структуры тетрода вдоль базовой области 2в режиме смыкания около выводов 8 и9 накапливается неодинаковый заряднеравновесных носителей, Поэтому вкаждый второй полупериод входногосигналаформируются несимметричные импульсы, что также ухудшает умножительные свойства устройства. ДляФормирования симметричных импульсовпри помощи устройства с тетродомнесимметричной структуры выводы 8и 9,базовой области 2 тетрода к источнику 12 входного сигнала подключаются через резисторы 10 и 11. Симметрирующее действие резисторов 10и 11 объясняется их влиянием на распределение тока в структуре тетрода в режиме смыкания р -и-переходов 4и 5. Резистор б, включенный последовательно с источником 7 питания,может быть включен между выходом источника 7 и областью 1,Предлагаемый формирователь импульсов отличается простотой конструкции и является одновременно уд1019613 воителем частоты. Кроме того, онсигналов любой формы тем самим распозволяет формировать симметричные , ширяются функциональные воэможностипрямоугольные импульсы из входных устройства. Составитель А,Горбачевдактор Н.Лазаренко ТехредЖ.Кастелевич Корректор А. Ференц Заказ одписножФилиал ППП Патент,.г. Ужгород, ул. Проектная, 4 725/52ВНИИПИ пэ де 113935,Тира ударств м иэобр сква, Ж 936нного комитета С теиий и открытий 35, Раущская наб

Смотреть

Заявка

3218409, 03.12.1980

ВИЛЬНЮССКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ И ОРДЕНА ДРУЖБЫ НАРОДОВ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. В. КАПСУКАСА

ПАВАСАРИС ЧЕСЛОВАС ИОНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 5/153

Метки: импульсов, формирователь

Опубликовано: 23.05.1983

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1019613-formirovatel-impulsov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Формирователь импульсов</a>

Похожие патенты