Способ магнитной флокуляциипульп c малой обемной концентрациеймагнитных частиц

Номер патента: 1690531

Опубликовано: 20.07.1996

Автор: Смолкин

МПК: H05H 1/00

Метки: зееман-эффекте, магнитного, напряженности, плазме, поля, поперечном

1. Способ измерения напряженности магнитного поля в плазме при поперечном Зееман-эффекте, включающий формирование поперечного потока излучения плазмы из области измерения магнитного поля, выделение потока излучения используемой спектральной линии с длиной волны 0 и полушириной разделение потоков излучения p и компонентов спектральной линии с помощью поляризаторов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений и временной разрешающей способности, а также...

Номер патента: 918907

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Кононеров, Мансуров, Потаенко, Хайруллаев, Шишков

МПК: G01R 33/07

Метки: амплитуды, импульсного, магнитного, поля, реализующий

...пластины используется эпитаксиальный слой, то в качестве диэлектрика выступает полуизо 50 лирующая подложка), ферромагнитногоматериала 3При воздействии на структуру импульса с амплитудой напряженности Н 4 в Ферромагнитном материале 3 возни кает индукция В 4, По окончании воздействия импульса с амплитудой Н 4 индукция в ферромагнитном материале 073 уменьшится до значения остаточнойиндукции В 14(фиг,2). В разомкнутомвоздушном зазоре, находящемся междуполюсами намагниченного ферромагнитного материала, возникнет индукцияВ которая приводит к возникновению постоянной во времени ЭДС ХоллаО,., по которой определяется макси-.мальное значение амплитуды импульсамагнитного поля.Схема включения структуры (фиг 3)при использовании в...

Номер патента: 1151939

Опубликовано: 23.04.1985

Автор: Тулупов

МПК: G05F 7/00

Метки: заданной, магнитного, напряженности, поля, создания, стабильного

...- к второму выводу регулирующего элемента и второму выходу управляемого источника питания, а второй выход - к первому своему выходу через параллельно соединенные конденсатор, стабилизатор тока и ключ, управляющий вход которого соединен с клеммой для подключения узла сброса поля.При этом управляемый делитель токаможет быть выполнен на составном транзисторе, между эмиттером и базой выходного транзистора которого включены параллельно соединенные управляемый резистор и дополнительный ключ, при этом эмиттер, коллектор и база составного транзистора являются соответственно входом, первым и вторым выходами управляемого делителя тока, а управляющие входы резистора и дополнительного ключа - первым и вторым управляющими входами управляемого...

Номер патента: 129741

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Греков, Рябов

МПК: G01R 33/02

Метки: времени, градиента, изменяющегося, магнитного, напряженности, отношения, поля

...Министров ССнст ов СССРРедактор В. М, Парнес Гр. 95 Поди, к печ. 2.Иг. Тираж 1000 Цена 25 коп.Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 5007 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете МинистровМ СССРМосква, Петровка, 14,Способ измерения отношения градиента к напряженности магнитного поля, изменяющегося во времени, осуществляемый с помощью градиентной катушки по авт. св.113185, имеющей градиентную и полевую обмотки, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что полевую и градиентную обмотки включают дифференциально в цепь интегратора и после введения катушки в магнитное поле уравнивают напряжения на обмотках так, чтобы при заданной напряженности магнитного поля их разность была равна нулю для получения на...

Номер патента: 788060

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Мурадов, Сапранков, Суханов

МПК: G01R 33/022

Метки: градиента, датчик, магнитного, напряженности, поля

...протекают два равных управляемых тока, направления которых указаны на чертеже. При отсутствиы магнитного поля (Н:О) на электродах 5 и 6 имеются два приблизительно равных по величине и по знаку потенциала, поэтому разность потенциалов, снимаемых с холловских электродов 5 и б,будет близка к нулю,т.е.вели,чина нулевого сигнала датчика будетСормула изобретения минимальна. Следовательно,сопротивле ние небаланса В" этого датчика имеет минимальное значение.При воздействии на датчик исследуемого неоднородного магнитного поля с напряженностью вблизи холловских ,электродовН и Н (как показано на чертеже) на холловских электродах 5 и 6 датчика появляются холловские ЗДС Ц и Ц- постоянная Холла;- толщина пластиныдатчика - величина управляемого...