80730
Номер патента: 80730
Текст
ЭЬ 807 ЗаКласс 21 е, 4,СССРОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ М. П. ВинокуровЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ТЕРМОГАЛЬЗаявлено 4 января 1949 г, за389717 в Гостехнику СССР Опубликовано в Бюллетене изобретений и товарных знаков14.за 1964 г,Известные конструкции термогальванометров имеют предел чувствительности около 10 6 А.Для увеличения чувствительности в предложенном гальванометре нить накала помещается в фокусе цилиндрического вогнутого зеркала, отбрась 1 вающего лучи на спай термопары.На чертеке изображен предложенный термогальванометр,Измеряемый ток подводится к зажимам тонкой платинированной кварцевой нити 1. Кварцевая нить размещена в фокусе цилиндрического вогнутого зеркала 2, Тепловые лучи, сфокусированные зеркалом 2, падают на место спая термоэлемента в виде рамки 3, половина которой 3 а выполнена нз сурьмы, а вторая половина 3 б - из висмута. Рамка 3 висит на тонкой кварцевой нити 4 между полюсами сильного постоянного магнита 5, Взаимодействие магнитного поля термотока и поля магнита вызывает поворот рамки 3 на некоторый угол, отсчитываемый по зеркалу б, укрепленному на нити 4,Предмет изобретенияЧувствительный термогальванометр с косвенным подогревом, отл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения его чувствительности,нить накала помещается в фокусе цилиндрического вогнутого зеркала,отбрасывающего тепловые лучи на место сная термопары,Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор А. К. Лейкина Гр. 92 Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Информационно издательский отдел. Объем 0,17 п. лЗаказ 2386. Подп, к печ. 24/Чг.Тираж 250, Цена 25 коп.
СмотретьМПК / Метки
МПК: G01R 5/22
Метки: 80730
Опубликовано: 01.01.1949
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-80730-80730.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">80730</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления биметаллических электрододержателей
Следующий патент: Стяжка для соединения частей составных роторов турбогенераторов
Случайный патент: Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов