Устройство для измерения давлений

Номер патента: 1103097

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Белойваненко, Вертяев, Костенко

МПК: G01L 9/18

Метки: давлений, датчик, переменных

...газового объема компенсационной камеры не обеспечивает стабильности давления при длительной эксплуатации.Целью изобретения является повышение надежности работы датчика и обеспечение независимости и расположения датчика в пространстве.Указанная цель достигается тем, что в датчике переменных давлений, содержащем заполненные электролитом и соединенные между собой каналом две рабочие камеры, в торцах которых . установлены мембраны, считывающие и вспомогательные электрода, установленные соответственно в канале и рабочих камерах, компенсационную камеру и электролизную ячейку, при этом компенсационная камера размещена со стороны одной из мембран, а электролизная ячейка, состоящая из двух инертных электродов, разделенных слоем...

Номер патента: 1778573

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Пестов, Полуэктов

МПК: G01L 9/08

Метки: давления, датчик, импульсного

...в болеешироком диапазоне частот по сравнению сизвестными аналогами.Выполнение пьезоэлементов из различных по плотности и составу материалов необходимо для того, чтобы чувствительностьдатчика к давлению была отлична от нуля. "Указанные признаки отсутствуют у всехизвестных заявителю устройств аналогичного назначения, следовательно, предлагаемое техническое решение удовлетворяеткритерию "существенные отличия".На чертеже схематицески изображендатчик, общий вид.Датчик содержит основной 1 и компенсирующий 2 пьезоэлементы, электрическивключенные встрецно и расположенныемежду мембраной 3 и изолятором 4 в корпусе 5. Пьезоэлементы расположены в однойплоскости, параллельной мембране, контактируют с ней и выполнены из различных поплотности и...

Номер патента: 394112

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кадыков, Ман

МПК: B06B 1/06

Метки: давления, датчик, пульсаций, пьезокерамический

...13 корпусе 1 датчика. Фиксация концов трубки В корп 3 сс:ат 11 к ОсуюсстВл 51 стся припяпвя.пнем 30 ссрсб 13 сн.Ой внешней поверхности пьс зотрбкп к кор:с датч:ка. Одновременно кВне 1 пнсй по 3 срхсстн ОдноГО пз концов т 1 эубк п 1 энпяпвястс 51 Оплетка 4 к;10 сл 51 О. Тем сям 1,1 м наряду с фиксацией пьсзотрубкп В корпусс датчика осуществляется электрический кон такт мсзк:3 кори сом датчика, внешним покрытсх Ньсзсгрг 01 н н О 1 зстткОЙ каосл 51. ДО- полнитеО к панке концы пьсзотрубкн прик 1)епляют к корп 3 с 1 1 датПкя с пОм 01 цью клея, В кя:сстве которого может Оыть приме нен, ПЯпример эпокс 1 дныЙ клсй.394112 20 25 30 дмет изобретения Составитель 3. Ги Текред 3. Таранен едактор С. Хейфиц(орректор Н. Учакина аказ 3379 Изд. Ъо...

Номер патента: 520523

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Бовсуновская, Масленко, Прихна

МПК: G01L 11/00, G01L 7/18

Метки: вещество, высоких, давлений, датчиков, реперное

...0,25 мм в этнэшении 2:1 (пообъему) до образования однэродногэ состава.Реперное вещество данного состава помещают в датчик, выпэлненный, например, пофцг. 2., Последний размещают в реакционномсосуде (фиг, 3), расположенном в аппаратевысокого давления, и включают в измерительную схему, которая фиксирует изменение электрического сопротивления, Затем ваппарате создают высокое давление. В процессе создания высоких давлений, при записи изменения электрического сопрогивленцяна амэпишуцел приборе, на кривой (или 6 Р прямой) изм: нения сопротивления возникаетизлом, свидетельствующий о начале фазовогоперехода,На фиг. 1 (кривая 1) представлена юпись изменечия электросопротивления сопределением фазового перехода в реперномвеществе по...

Номер патента: 746218

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Воробьев, Заседателев, Лепин, Яковлев

МПК: G01L 9/04

Метки: давлений, датчиков, зависимости, интегральных, компенсации, малых, механической, температурной, чувствительности

...(алюминиевые) выводы 5, кремниевую пластину- заготовку б.В качестве исходной пластины-заготовки б используется монокристаллический кремний марки КЭФтолщиной 250 мкм, ориентированный в плоскости (100), Термическим окислениемопри 1200 С образуется слой двуокиси кремния толщиной 0,72 мкм, который используется н качестве маскирующего слоя на операциях формирования тензочувствительных элементон 4 (дийфузионые тензорезисторы р-типа с поверхностным сопротивлением 200 ом/и иглубиной диФфузии 1,8 мкм) и алюминиевых вынодов 5. Тонкие квадратныекремниевые мембраны 1 формируютсяпутем анизотропного травления пластины-заготовки б н кипящем гидразинеГидрате Ид НН 0 марки ЧДА, причемстороны мембрай ориентированы покристаллографическим...