Индикатор инфракрасных лучей
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 65683
Автор: Хлебников
Текст
оо 656 ЯЗ Класс 21 о, 29421) 20 о 2 СССР ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ-.00 ь1ь. 113,.,- .Ы И,:з 7 -;К. С. Хлебников КДИКАТОР ИКФРАКРАСКЫХ ЛУЧЕЙШироко цзвесгно, по некоторые ш,лу;роводннкн, обладавшие ВНУТРЕННИМ фотоэфФЕТОМ, ЧУ ЯСТВТЕЛЬНЫ и и НфРЯКР ЯСНЫМ ЛиЯХ различцых диапазонов, иногда до 2 - 3 1 к, и поэтому могут быть использованы в качестве индикаторов длннноволнового цзлученця инфракрасньх лучей.Известно также, что в отношснцц более "лцнных ьолн цнфракрасцого спектра такие полупроводники становятся нечувствительнымц Вследствие маскируошего действя термического изменения их проводи мости.ПО этОЙ причНе попытки соз 1 ть 1.3 полупрОВОд 1 говьх хатерця- лОВ фотосопротиВле 1151, чувствцтсльн 11 е к 1 нфрякрясныт лучам В шцроком итервале изменения тем;ературы окружаюп;сй среды ( - 50), оказались безуспешным;.Граница чувствительности со стороны длинных волн при фотопроводимости определяется шрцной запрещенной зоны (лежит прц тем больших длинах волн, че., меньше шприца этой зоны), а по мере уменьшения ширины зонь Возрастает НО показательному закону темновая проводимость, обусловленна 5 Термческнм переходом электронов через эту зону, поэтому при достаточно малой ширине зоны, соответствующей, например, длинноволювой границе около -1 .к, уже при комнатной температуре (около 300 К) темновая проводимость полностью маскирует фотопроводимость, и в этих условиях материал не может быть использован для изготовления фотосопротцвлений.Согласно изобретенио предлагается полупроводник подвергать искусственному охлаждению, в результате чего достигается значительное ослабление влияния темноной проводимости и представляется возможность использовать для изготовления фотосопротцвлений такие полупроводниковые материалы, которые прц комнатной температуре обычно вовсе не обнаруживают фотопроводимостц.Предмет изобретения Тсхрсд Т, П. Курилко Корректор И А, Шпынева 1-едактор Ю. Ь Городецкий Объем 0,18 изд. л. Цена 4 коп формат бум. 70 Х 108/1 а Тираж 220 ЦБТИ прп Комитете по делам изобретений и открытий при Советс Министров СССР Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.11 одп. к печ. 23.Х 1-61 гЗак. 9570 Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретсний и открытий ири Совете Министров СССР. Москва, Петровка, 14.Индикатор инфракрасных лучей с длиной волны порядка нескольких (двух или более) микронов, выполненный из полупроводника, обладающего внутренним фотоэффектом, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что полупроводник подвергается искусственному охлаждению, с цель 1 о использования полупроводниковых материалов, не обнаруживающих фотопроводимости при комнатной температуре.
СмотретьЗаявка
8763, 08.08.1942
Хлебников Н. С
МПК / Метки
МПК: H01L 31/18
Метки: индикатор, инфракрасных, лучей
Опубликовано: 01.01.1946
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-65683-indikator-infrakrasnykh-luchejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Индикатор инфракрасных лучей</a>
Предыдущий патент: Фильтрационный способ подземной газификации угольных пластов
Следующий патент: Способ опрокидывания судов
Случайный патент: Устройство для снижения уровня нека-нонических гармоник ha выходе управ-ляемого вентильного преобразователя