Катодно-модуляторный узел электроннолучевой трубки

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОИЗОМУ СВИДИТЕЛЬСТВУ(51) М. Кл. Н 01)29/ Гасударстааиай ааинтат Соаата Мнннстраа ИСУ аа данаи нзебретаннй и.етнрюей(43) Опублик (45) Дата оп ано 15.05,78, Бюллетень М 18 УДК 621.385(54) КАТООНО МОПУЛЯТОРНЫЙ УЗЕЛ ЭЛЕКТРОНОЛУЧЕ ВОЙ ТРУБКИ ектронной тех ие относитс нике.Известен катодно-модуляторный узел, содержащий катод, подогреватель, спейсер, цилиндр модулятора, диафрагму модулятора, служащий для получения, формирования и управления электронным лучом 11.Недостаток этого катодно-модуляторного узла - эмиттирование электронов с краев апертурного отверстия диафрагмы за счет запыления диафрагмы модулятора продуктами испарения оксидного покрытия катода.Электроны, эмнттированные запыленной диафрагмой модулятора, вызывают паразитноесвечение экрана электроннолучевой трубки,снижающее контрастность изображения, увеличивающее помехи на экране из-за появлениясветящихся участков в отсутствии разверткипри запертом электронном луче,Известен также катодно-модуляторный узелэлектроннолучевой трубки, содержащий лнафрагму модулятора с апертурным отверстием 12Для подавления паразнтной эмиссии диафрагма модулятора выполнена из титана нли тантала и нагревается при работе до 500 С с помогцью специального подогревателя.Недостаток этого катодно-модуляторного узла - относительно низкая контрастность изоб 2раження электроннолучевой трубки за счет паразитной эмиссии с модулятора,Цель изобретения - увеличение контрастности изображения.Указанная цель достигается тем, что в предлагаемом узле на внешней и внутренней поверх ностях диафрагмы у края апертурного отверстия расположен слой антиэмиссионного пок. рытия, например, из сплава олово-никель, шириной, равной 1 - 3 диаметра апертурного отверстия.На чертеже дано схематичное изображение предлагаемого узла.Катодно-модуляторный узел содержит катод 1, помещенный в цилиндр модулятора 2. У края отверстия диафрагмы 3 модулятора расположен слой оловянно-никелевого покры. тия т, нанесенного электролнтнческим спосо. бом. После нагрева католана диафрагму 3 модулятора напыляются продукты разложения 20 оксидного покрытия катода, н, попадая на слой оловянно-никелевого покрытия 4, они образу. ют интерметаллические соединения, Барий в составе интерметаллических соединений не эмиттирует, так что паразнтная эмиссия с края апертурного отверстия диафрагмы молулятора 25 отсутствует.формула изобретения Составитель В. Белоконехред О Л говаяираж 960 едактор Е. Яковчикаказ 2519/41 орректор Н. Тупицолписное ИЛИ Государственного комитета Совета Министров по делам изобретений и о 1 крьпий13035, Москва, Ж.35, Раугпская наб., д. 4/5 филиал 111 Г 1 с 11 атент, г. Ужгород, чл 11 роектная, 1 НИ При работе электроннолучевой трубки напыление продуктов испарения оксидного покрытия на диафрагму модулятора определяется следующими процессами.1, Процессом эмиттирования ионов бария в результате термической ионизации. Область напыления при этом определяется конфигурацией поля иммерсионной прикатодной линзы с учетом провисания этого поля в промежутке катод - модулятор.В режиме яркостной модуляции диаметр эмиттируюпгей области д, определяется соотношением между напряжением модуляции Ц запирающим напряжением Ба и при диаметре модулятора дв первом приближении описывается уравнением Учет разброса начальных скоростей по всем направлениям и провисания анодного поля да.- ют при этом минимальное значение размеров области напыления - около одного диаметра действующего отверстия модулятора.Процессом испарения атомарного бария и окиси бария со всего оксидного покрытия.Размеры области напыления при этом определяются величиной оксндного покрытия катода, составляющей около 6 - 7 диаметров действующего отверстия из условия сохранения аксиально-симметричной конструкции иммерсионного объектива.3. Процессом вторичного эмиттирования ионов бария в результа ге ионной бомбардировки катода потоком положительных ионов, образующихся на пути движения электронного пучка. Размеры области напыления при этом ( коло четырех диаметров действующего отверстия модулятора) определяются законом распределения вторичных зарядов по углу (законом косинуса).Интенсивность воздействия описанных процессов напыления на величину запыленной области неадэкватна и определяется режимом работы электроннолучевой трубки (величиной токоотбора с катода, величиной аиодного напряжения, глубиной модуляции), температурой рабочей поверхности катода, чистотой и материалом диафрагмы модулятора.С учетом перечисленных факторов размерыантиэмиссионного покрытия в пределах отдо 3 диаметров отверстия модулятора с каждой стороны достаточны для гарантированного подавления термоэмиссии с действующего отверстия без отрицательных побочных эффектов.13. Катодно-модуляторный узел электроннолучевой трубки, содержащий диафрагму модулятора с апертурным отверстием, отличающийся тем, что, с целью увеличения контрастности изображения, на внешней н внутренней поверхностях диафрагмы у края апертурного отверстия расположен слой антиэмнссионного по% крытия шириной, равной- 3 диаметра апертурного отверстия.2. Узел по п. 1, отличающийся тем, что слойантиэмиссионного покрытия выполнен из сплава олово-никель.Источники и 1;формации, принятые во внимаф ние при экспертизе:. Жигарев А. А. Электронная оптика иэлектроннолучевые приборы. М., Высшая школа, 972, с. 389.2. Патент США336922, кл. 33 - 79, щ974.3 1