Электрографический носитель информации

Номер патента: 579594

Автор: Миколайтис

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ЗОБРЕТЕНИЯ Сфтфз Сфеетсиик Сфциалистичесиик Реслублии(Ы) М. Кл,603 Ь у 02 ки соеаинением Геереуетеееек 1 веетеВееете Юеваетрее еЮее аеева ееебретееейе етеуитей(54) ЭлектРОГРАфический нОситель инФОРмАции поясняет проводящей. вы 1, в кать использов текло с проз01, алю лектроды из н Изобретение относится к областиэлектрографии,Известен электрографический носитель информации, содержащий проводящую подложку с фотополупроводниковыми запоминающим слоями. При этом запоминающий слой представляет собойдиэлектрическую. пленку,Недостатками такого носителя являются невозможность получения с него большого количества копий из-законтактной нейтрализации заряда наповерхности диэлектрика проявляющимичастицами, а также небольшой срок запоминания информации,Цель изобретения - увеличить длительность запоминания информации.Это достигается тем, что в качестве запоминающего слоя используют слойферроэлектрика, расположенный непосредственно на подложке. Сущность изобретениертежом,Носитель состоит иэесткой или гибкой осноестве которой могут быы, например, ситалл,ачным проводящим слоемминиевая Фольга, либо ЬпОз,этО , напыленные на Ферроэлектриках; Ферроэлектрического слоя 2, изготовленного иэ Вдт 10 ь или РЬ 0,97 81 О, 02 ( 2 в 065 Т 1 0,35) Оз в виде керамического или нагйленного на основу слоя, и тонкого слоя полупроводника 3 толщиной 100-500 мкм, например яз Яе, Сдбе, СОВ и других, обеспечивающих получение ферроэлектрвческого эФфекта поля. При записи к поверхности полупроводника прижимает. ся электрод. Во время поляризации Ферроэлектрика индуцируется компенсационный заряд в слое полупроводника. В связи с тем, что компенсационный заряд расположен в тонком слое фото- полупроводника, электрическое поле, созданное этими зарядами, простирается на сравнительно большее Расстояние, чем поле компенсационного заряда ферроэлектрика при отсутствии фотополупроводника, и может многократно считмваться электрическим методом или проявляться электрографическим способом без разрушения зарядного рельефа. Память записанного изображения обуславливается поляризацией ферроэлектрика и сохраняется до нескольких месяцев. Время памяти зависит от свойств феррозлектрика и свойств контактного.Кузьми Тираж 574 сударственного комит газ делам изобрете оскза, ж, РаушскаЗаказ 4392/44ЦНИИ 13035,иал ППП Патент, г.ужгород, ул,Проектная слоя между ферроэлектриком и фотополупроводником. Остаточная поляризация ферроэлектрика имеет значениедо 50 мккул/смв и, например, прй40 мккул/смф ферроэлектрический эффект поля может;иидуцировать в фотополупроводнике до 5 х 10 ф носителей1 см, в то время как обыкновенныйэффект поля в диэлектрических пленкахиндуцирует лишь до 1 х 10 ф носителей1 см.ф фоомчла изобретенияЭлектрограФический носитель информации, содержащий проводящую подложку с фотополупроводннковым н запоминающим слбями, о т л н ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью увеличения длительности запоминания информации, в качестве запоминающего слоя используют слой феррозлектрнка, который расположен непосредственно на под ложке. Подписноеа Совета Министров ССй и открытийнаб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

1883265, 19.02.1973

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОГРАФИИ

МИКОЛАЙТИС ВИНЦЕНТАС АНТАНО

МПК / Метки

МПК: G03G 5/02

Метки: информации, носитель, электрографический

Опубликовано: 05.11.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-579594-ehlektrograficheskijj-nositel-informacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электрографический носитель информации</a>

Похожие патенты