Датчик для измерения давления в жестких средах

Республик 1) Дополнптелы 1 ое к авт. ш 1 д-ву2) Заявлено 01,06.76 (21) 2367534/10 1. 9/О присоединением зая Государственный комитет Совета Министров СССР 3) УДК 531.787(088.8 1 оллетнь Ле 3 по делам нзооретени и открытий(45) Дата опуолнкованпя о 11 пання 14.10.77 72) Автор изобретения Шалацкит" Заявите пропетровский филиа строительного произ(43) О нубл икова но 15.10 Изобретение относится к устроиствам для измерения давления в жестких неупругих средах, например в бетонном массиве.Известны датчики для измерения да жестких сред, в которых давление сре принимается мембраной, прогиб кото меряется тем или иным способом 11.Недостатком таких датчиков является низкая жесткость, что приводит к существеннь погрешностям измерения.Наиболее близким к изобретению по технической сущности является датчик для измерения давления, выполненный в виде корпуса, жесткого диска и камеры меяду ними, заполненной жидкостью 21. В качестве чувствптельнь 1 хэлементов в этом датчике использованы тензорезисторы.Недостаток указанного датчика состоит в большой температурной погрешности, достигающей 6% на каждые 10 С изменения темпсратуры.Погрешность воз 11 пкает за счет того, ч го при изменении температуры изменяется объем жидкости в камере, а это приводит к деформации мембраны, на которой наклеены измерительные тензорезисторы, и к измсненшо их электрического сопротивления, несмотря на то, что давление среды не изменяется,Для уменьшения температурной погрешности предлагаемого датчика, содержащего корНаучно-исследовательского инст 1,ства Госстроя Украинской ССР АВЛЕНИЯ В ЖЕСТКИ нус, жесткий диск, камеру, заполненную жидкостью, измерительную мембрану с тензорезнсторами и компенсационные тензорезнсторы, в его корпусе выполнена дополнительная мембрана и примыкаюшая к ней полость, заполненная той же жидкостью, что и камера, причем объем полости равен объему камеры, дпах 1 етр и толщина дополнительной мембраны равны соответственно диаметру и толщине измерительной мембраны, а компенсационные тензорсзпсторы ра. положены 11 а дополннтсл 1.- пой мсмора 11 с.На чертеже изображен описываемый датчик, разрез.жесткий диск 1 соединен с корпусом 2 так, что между ними образована ках 1 ера 3, заполненная жидкостью. В корпусе 2 выполнена мембрана 4, на которой установлены измерительные тензорезисторы 5. В теле корпуса 2 выполнена полость 6, заполненная такой же исидкостью, что и камера 3, и закрытая мембраной 7, которая имеет такой жс диаметр и такую же толщину, как меморана 4. На мембране 7 наклеены компенсационные тензорезпсторы 8.При изменении температуры окружающей среды изменяется объем жидкости в камере 3, что приводит к соответствующему изгибу мембра 1,ь 1 4 и пзменгчтпю сопротивления измерительных тензорезпсторов 5. Одновременно,=,=.7. -= . - ;,;: М Составитель И. Петрашень рсктор Л. Брахнина Михайлова Хейфиц схрс; сдактор Тираж 1109митета Совета Министровбрстепнй и открытий35, Раушскал наб., д, 4/5 одписпое ипография, пр. Сапунова,и аналогично изменяется объем жидкости в полости б, вследствие чего сопротивление компенсационных тензорезисторов 8 изменяется на такую же величину, как и измерительных тензорезисторов 5. Так как измерительные и компенсационные тензорезисторы включены в противоположные плечи электрического моста, то одновременное изменение их сопротивлений на одинаковую величину не приведет к разбалансу моста, то есть произойдет компенсация температурной погрешности. Формула изобретения Датчик для измерения давления в жестких средах, например в бетонном массиве, содержащий корпус, жесткий диск, камеру, заполненную жидкостью, измерительную мембрану аказ 2311/6 Изд.811НПО Государственногопо делам из113035, Москва, Ж с тензорезисторами и компенсационные тензорезисторы, отличающийся тем, что, сцелью уменьшения температурной погрешности, в корпусе выполнены дополнительная5 мембрана и примыкающая к ней полость, заполненная той же жидкостью, что и камера,причем объем полости равен объему камеры,диаметр и толщина дополнительной мембраныравны соответственно диаметру и толщине из 10 мерительной мембраны, а компенсационныетензорезисторы расположены на дополнительной мембране.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе15 1. Авторское свидетельство49440, кл.6 011. 7/08, 193 б.2. АС 1. Ргесеейпдз, Кочепйег, 1952, чо 1. 24,43.