Стекло для стеклокристаллического материала

Союз Советских Социалистических Республик(51)М,Кл,г С 03 С присое ием зая Государственнык комитет Совета Министров СССР по делам изобретений(45) Дата опублико ния описания 09.11.7 Авторыизобретени Гребень. 3, Петрова А 71) Заявитель осковский институт электронной техники 4) СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛАповышениение диэлек согласован достигается полнительно щем соотно вляется улучше печениеЭто екло до следую 55 - 65 10 - 1 10 - 15 510 гА 1 г 031 1 гОКгО 2 - 30,5 - 21 - 100.2 - 10,5 - 4я следующим конствами;1 гО 12,2; КгО 1,2; гОг 0,2; СзгО 3,5. 2 пО 2 гО, СзгО Изобретным 510 ггОз 2,5 етение поясняетс примером и свой 0; А 1 гОз 13,7; 1- Р 1,0; 2 пО 5,7; 2 КТРград темпе м. устоичивость в ин- тур Температура оплавле нив, С рв О.ц сР=100 Состав идролит. класс(61) Дополнительное к авт. Изобретение относится к составам стекло- кристаллических материалов, используемых в качестве диэлектрических материалов в спае с коваром в основании корпусов интегральных схем и может найти широкое прп менение в микроэлектронике и других областях техники.Известно стекло для стеклокристаллического материала, содержащее ЯОг, А 1 гОз, 2 пО, 1 лгО, КгО, 2 гО Р, КЬгО, СзгО, Т 10 г Ю 1)Наиболее близким к изобретению по составу является стекло, содержащее ЯОг, АгО 1.40, КгО, РгОв, 2 гОг, 2 пО 2.Недостатками этого материала являются 15 несогласованность с коваром,по КТР и низкая химическая устойчивость, что обуславливает низкие показатели механической и термической прочности и нестойкость к электролитическим ваннам никелирования и золочения. Целью изобретения я химической устойчивости, трических свойств и обес ности по КТР с коваром. тем, что предлагаемое ст содержит Р и СзгО при шечии компонентов, вес. Ъ5687 Сопротивление изоляции после никелирования и золочения 101 з Ом Формула изобретения Стекло для стеклокрпсталличе "кого материала, например, для изготовления элементов интегральных схем, содержащее %0 а, А 120 з, 1 10, К 20, Р 20 з, ЕПО, ХгО, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью позышения химической устойчивости, диэлектрических параметров и обеспечения согласованности по коэффициенту термического расширения с коваром, оно дополнительно содержит г и Св 20 при следующем соотношении компонегнтов, вес, %: Источники информации, принятые во знимание при экспертизе: 1. Патент США Мо 3856497, кл 65 - 33,опубл, 1974. 35 2. Патент Великобритании Мо 1312700,кл, С 1 Ч, опубл. 1973. Составитель А. Берсенев Техред М, Семенов Редактор А, Пейсоченко Корректор И, Симкина Заказ 667/1705 Изд. М 680ЦНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений иМосква, 7 К, Раушская Тираж 585 ПодписноеСовета Министров СССРоткрытийнаб., д, 4/5 Тип. Харьк. Фил. пред. Патент Из приведенных данных видно, что по согласованности с КТР ковара, химической устойчивости и диэлектрическим параметрам лредлагаемый материал значительно превосходит известный, причем оптимальные добав ки ХПО, Св 20 и г находятся в пределах 6 - 8, 3 - 4 и 1 - 2 вес. %, соответственно. Согласованность полученных материалов с коваром по КТР, более высокие показатели Г 0 химической устойчивости и диэлектрических параметров позволяют получить более качественные паяные изделия с коваром по термостойкости, сопротивлению изоляции, устойчивости к электролитическим ,ваннам нике лирования и золочения. При изготовлении оснований корпусов интегральных схем гранулят, полученный из сплава стекла оптимального состава, высу шивали, измельчали до удельной поверхности 6 - 7 тыс. см/г, готовили шликер на основе этого стеклопорошка и органической связки. Из полученного шлпкера методом литья под давлением совместно с металличе скими заготовками получали изделия необходимой конфигурации, Заготовки собирали в графитовые формы и нагревали до 950 - 1000 С для получения прочного изделия. Полученные основания подвергали испыта ниям на герметичность, соггротивление пзоля. ции, устойчивость к гальваническим ваннам никелирования и золочения, в результате чего получены следующие данные: Герметичность ( 5,1,07 мкм л/сСопротивление изоляции 1 10 гз Ом 5102 А 120 з 1.10 К,О Р,О; ХпО УгО, Г Св 20 55 - 65 10 - 15 10 - 15 1 - 5 2 - 3 1 - 10 0,2 - 1,0 0,5 - 2 0,5 - 4