Электролит для осаждения мышьяка
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 533679
Авторы: Левинскас, Шумаускайте
Текст
Государствениыи комитеСовета Ь 3 иннстров ССпо илам изобретений(088.8) хрытн га опубликования описани 26.11.7(71) Заявитель дового Красного Знамени государственныйситет им. В. Капсукаса ильнюсскии ордена Т уни54) ЭЛЕКТРОЛИТ САЖДЕНИЯ МЫШЬЯКА бла ектр и гальваноитическом оП р и м е р. К 200 г порошкообразного (б/в)хлорида алюминия при охлаждении и равномерном перемешивании по каплям добавляют абсолютированный диэтиловый эфир до общео го объема 1 л, В полученном растворе содержится 534 г эфирата хлорида алюминия. Затем раствор помещают в электролизер, вводят мышьяковый анод, который при пропускании тока в количестве 0,10 а час/л растворя ется, образуя 0,039 г мышьяка в электролите.Раствор представляет собой прозрачнуюкоричневатую жидкость со слабым запахом эфира, температура воспламенения составляет 60 С, электропроводность - 0,5 - 1,0 20 10 - зом -см-Осаждение мышьяка проводят прп катоднойплотности тока 0,4 а/дм, комнатной температуре и продолжительности 30 мин.Из предлагаемого электролита осаждают з 5 равномерные, блестящие, с синеватым оттеком (коэффициент отражения поверхности Я=55 - 60 фо), термостойкие до 612 С, коррозионностойкие в атмосфере серы, беспористые покрытия. Толщина покрытия составляет 30 до 7 мкм, выход по току 80 - 90 оо; скорость воопасен (в ит диэтилоения состав,03 - 0,06200 - 266,7До 1 (л) Изобретение относится к о стстегии, в частности к эл ол У осаждению мышьяка.Известен водный электролит для осаждения мышьяка, содержащий мышьяковистый ангидрид, едкий натр и сегнетову соль 11.Однако данный электролит является токсичным.Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является неводной электролит для осаждения мышьяка, содержащий ионы мышьяка и диэтиловый эфир 2. В качестве источников ионов мышьяка электролит содержит бромид мышьяка.Однако этот электролит взрыкачестве растворителя он содержвый эфир, температура воспламенляет 33 С) и токсичен.Предлагаемый электролит отличается от известного тем, что с целью уменьшения взрывоопасности и токсичности электролита он дополнительно содержит хлорид алюминия, а в качестве источников ионов мышьяка - мышьяк металлический при следующем соотношении компонентов, г:Мышьяк металлический 0Хлорид алюминияДиэтиловый эфир Процесс осаждения рекомендуется п ить при комнатной температуре (18 - атодной плотности тока 0,4 - 0,6 а/дм. ом являются кремний или медь.Формула изобретения Составитель В. Бобок Корректор Н. Аук Редактор Е, Шепелева Техред В. Рыбакова Заказ 2494/5 Изд. Мв 178 Тираж 1068 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 осаждения - 5,5 мкм/час, микротвердость 144,7 - 145,8 кг/мм.Предлагаемый электролит самокорректируется растворимым мышьяковым анодом.В процессе растворения хлорида алюминия в диэтиловом эфире образуется эфират хлорида алюминия, что значительно снижает количество свободного эфира и, таким образом, уменьшает взрывоопасность, повышает электропроводность электролита, Также уменьшается токсичность, как как вместо соединения мышьяка используют металлический мышьяк. Электролит для осаждения мышьяка, содержащий ионы мышьяка и диэтиловый эфир, отличающийся тем, что, с целью уменьшения взрывоопасности и токсичности. электролита, он дополнительно содерЖит хлорид алюминия, а в качестве источника ионов мышьяка - мышьяк металлический при следуюгцем соотношении компонентов, г:Мышьяк металлический 0,03 - 0,06Хлорид алюминия 200 - 266,7 Диэтиловый эфир До 1 (л)Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авт, св. СССР Лго 174923, С 23 Ъ 5/30,06.12.63.2, Журнал физической химии, т. ХЧ, вып, 15 2, 1941, с. 228 - 232. Кудра О. К. и Клейбс Г. С.Потенциал разложения при разных плотностях тока в системе АзВг - С,НзО С,Нз и ЬЪС 1 СНзО С 2 Нз.
СмотретьЗаявка
2078610, 22.11.1974
ВИЛЬНЮССКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ В. КАПСУКАСА
ЛЕВИНСКАС АЛЬГИМАНТАС ЛЮДО, ШУМАУСКАЙТЕ СИГИТА МОТЕЯУС
МПК / Метки
МПК: C25D 3/54
Метки: мышьяка, осаждения, электролит
Опубликовано: 30.10.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-533679-ehlektrolit-dlya-osazhdeniya-myshyaka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электролит для осаждения мышьяка</a>
Щелочной раствор для химического осаждения металлических покрытий на диэлектрики
Номер патента: 973664
Опубликовано: 15.11.1982
Автор: Пильников
МПК: C23C 3/02
Метки: диэлектрики, металлических, осаждения, покрытий, раствор, химического, щелочной
...скорость осажденияпокрытий с 0,001 мкм/ч при 98 оС до0,4 мкм/ч при 60 оС. Введение бензола в концентрации до 0,01 г/л приводит к незначительному увеличениюскорости, не более 0,05 мкм/ч, апри содержании его в растворе0,01 г/л и выше скорость осажденияпокрытий резко возрастает. увелнче- З .ние концентрации бензола более973664 0,8 г/л невозможно из-за его плохойрастворимости и нецелесообразно,так как не приводит к дальнейшемуповышению скорости осаждения покрытий. В таблице представлен составраствора и условия осаждения,е еа1Состав раствора, г/л Примеры 1 1 1 1 1Условия осаждения 1 2 3 4 5 б . 7 20 20 80 80 20 20 20 20 20 20 20 . 40 80 80 200 200 200 200 400 400 400 0,8 0,8 0,8 0,8 0,1 0,4 0,01 60 50 40 400,48 0,53 0,57 0,60 60 60,60 О,4...
Водный раствор для химического осаждения металлических покрытий
Номер патента: 1014978
Опубликовано: 30.04.1983
Автор: Романова
МПК: C23C 3/02
Метки: водный, металлических, осаждения, покрытий, раствор, химического
...серноватистокислый, г 80-100Вода, л До 1 Раствор готовят путем растворениядвуокиси теллура в гидроокиси аммонияс последующим введением серноватисто-кислого натрия непосредственно передначалом использования раствора,Осаждение рекомендуется проводитьпри рН 9-11, температуре 20+."РС втечение 5-15 мин. При этом растворстабилен в работе, скорость осажденияпри плотности загрузки 1 дм г/л составляет 1 мкм за 5 мин,Максимальная поверхность, которуюможно покрыть теллуром на толщину2 мкм в 1 л раствора при его одноразовом использовании составляет 20 дм .3Уменьшение рН приводит к снижещпоскорости осаждения покрытий, ПовышениерН более 11 резко увеличивает скоростьосаждения, но при атом покрытия получаются хрупкими. и наблюдается их...
Устройство для электрохимического осаждения металлических покрытий
Номер патента: 1756386
Опубликовано: 23.08.1992
МПК: C25D 17/00
Метки: металлических, осаждения, покрытий, электрохимического
...за от обрабатываемого изделия, а такжепроцесса осаждения за счетсоздания упо- идет выравниванйе температуры по высотерядоченного равномерного движения алек- электрода, что, в конечном итоге, обеспечитролита относительно покрываемой вает получение равномерного потолщинеиповерхности, а также снижение трудоемко- по структуре покрытия по длине и сечениюсти вспомогательных операций. 35 обрабатываемой детали,Поставленная цель достигается тем, что После получения необходимого слоя пов устройстве, содержащем ванну,-электро- крытия отключают ток, насос, поднимаютды, систему циркуляции электролита и труб- кожух, извлекают отработанную деталь, стачатый кожух из проницаемого для ионов,вят новую, и процесс обработки повторяют,электролита материала,...
Способ химического осаждения металлических покрытий
Номер патента: 607447
Опубликовано: 30.06.1986
Авторы: Гугунишвили, Карчава, Катанджян, Мдинарадзе
МПК: C23C 16/503
Метки: металлических, осаждения, покрытий, химического
...в результатечего образуются отрицательные ионы,движущиеся к заземленному положительному электроду-подложке. При этом, . чем больше напряженность поля, тембольше скорость движения таких Ионов,На своем пути ионы соударяются с частицами распылителя компонентов растворов, адсорбируются на их поверхности и тем самым заряжают их. Крометого, при ударе ионов о поверхностьподложки они выбивают из нее электроны, которые или вновь улавливаютсяподложкой при ее положительном заряде, или отбрасываются в межэлектродное пространство при отрицательном заряде, создавая поток электронов, который, в свою очередь, усиливает процесс ионизации воздуха.В результате соударения электронови отрицательных ионов с ионами восстанавливаемых металлов происходитих...
Способ химического осаждения металлических покрытий
Номер патента: 977511
Опубликовано: 30.11.1982
Авторы: Минков, Никитин, Пильников, Плоских, Ремпель
МПК: C23C 3/02
Метки: металлических, осаждения, покрытий, химического
...только вдвое,случаев является недостаЦель изобретения - уврости осаждения.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу химическогоосаждения металлических покрытийсналожением на раствор и деталь переменного электромагнитного поля, например, частотой 0,1-30000 Гц, на покрываемую деталь дополнительно накладывают механические колебания частотой 0,1-30000 Гц.П р и м е р 1. Плату из стекло"пластика марки СТЭФ после травления,сенсибилизирования, активирования,нанесения и проявления фоторезиста. титут им Ленидского -исследоватвяьдкий,Ростроения присоединяют к я тока и помещают го меднения, содМедь сернокислаяТрилон Б Калий-натрий виннокислыйГидроксид нчтрияДиэтилдитиокарбамат натрия Формалин Деталь раз дами управлен...
Предыдущий патент: Водный электролит меднения для гальванопластического получения изделий
Следующий патент: Электролит для осаждения покрытий на основе галлия
Случайный патент: Способ определения коэрцитивной силы