Устройство для измерения температуры

,1 11 52846 Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл.- 6 01 К 7/22 заявкиприсоединением сударственный комитет авета Ыинистрвв СССР о делам изобретенийи открытий 3) Приоритет Опубликовано 15.09, Дата опубликования(72) Авторы изобретения мов, Н, П. Калашникова и А. Н. Меделяновский Заявител сесоюзный научно-исследовательский и испытательный институт медицинской техники54) УСТРОЙСТВО Д и приб ам для дников ависит от темп чувствительност ыми ения те рмочув полупр м напр мпе тви вод вле чувствительность, ффициент напряи-перехода имеет я измер стве те ьзуется х перех и стр ния моИзобретение относится к обласстроения, в частности к устройстмерения температуры с полупровтермочувствительными элементамиИзвестно устройство для измерратуры, в котором в качестве ттельного элемента используетсяниковый диод, смещенный в прямонии 21.Устройство имеет низкуютак как температурныи коэжения прямосмещенного р -неоольшую величину.Известно также устройство длтемпературы, в котором в качечувствительного элемента испо,прямосмещенных эмиттер-оазовьмногоэмиттернои транзисторноры 3. В этом устроистве олагодаря использованию нескольких эмиттер-базовых переходов чувствительность несколько повышается,Наиболее олизким из технических решений является устройство для измерения температур, содержащее термочувствительный обратносмещенный диод, подключенный к входу транзисторного усилителя, включенного по схеме с общим эмиттером 11.Термочувствительным параметром в этом устройстве является обратный ток р - п-перехода,13 Гй ЕР Е Н ИЯ ТЕМ П ЕРАТУРЪ величина которого сильно з ературы, а следовательно,ьустройства выше.Величина обратного тока р - а-перехода соизмерима с током утечки, который во времении от ооразца к ооразцу может изменяться взначительных пределах, что приводит к понижению стабильности коэффициента преооразования термочувствительного элемента, а,И следовательно, и точности измерения.С целью повышения коэффициента преобразования термочувствительный обратносмещенный диод выполнен в виде одного из эмиттербазовых переходов двухэмиттерный транзисторной структуры, причем ооратное смещение на этот переход подано через дополнительный резистор, а транзисторный усилительвыполнен на прямосмещенном эмиттер-базовом переходе и коллекторе транзисторной20 структу ры.На чертеже приведена принципиальнаяэлектрическая схема устройства для измерения температуры, в когором в качестве многоэмиттернои транзисторной структуры исполь 25 зуется микросхема типа КТЬ,Устройство состоит из термочувствительного элемента 1 и усилителя 2. Термочувствительный элемент 1 выполнен на обратносмещенном эмиттер-базовом переходе микросхе 30 мы 3, Последовательно с эмиттером этого пе5 о 8461 едактор Т. Янова Составител икитии Корректор В. Петров Подписноеров СССР Заказ 2023/13 Изд. ЛЪ 1617 ЦНИИГИ Государственного комитета по делам изобретений и 113035, Москва, )К.35, РаушТираж 814Совета Миноткрытийкая наб., д. 4 ппография, пр. Сапунова, 2 рехода включен дополнительный резистор -1. В качестве усилителя 2 используется второй транзистор микросхемы 3. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером, а нагрузочный резистор 5 усилителя 2 подключен последовательно с коллекторным выводом микросхем 3.Устройство работает следующим образом.Для измерения температуры все устройство помещается в среду, где измеряется темпера тура. При изменении температуры изменяется падение напряжения на обратносмещенном переходе, что приводит к изменению тока базы усилителя 2, а следовательно, к измсн - нию напряжения на нагрузочном резисторе 5. 15 Повышение стабильности достигается за счет создания в обратносмещенном переходе ,режима лавинного пробоя, при этом обратный ток через переход выбирается в несколько по рядков большим тока утечки этого же перехода, а следовательно, нестабильность тока утечки не оказывает влияния на работу устройства.Экспериментальные исследования показа ли, что для микросхем типа КТ, работающих в режиме лавинного пробоя, средний разброс температурного коэффициента напряжения равен +0,37 мВ в течение года. Для микросхемы типа КТоптимальным режи мом является обратный ток 0,1 мЛ при обратном напряжении порядка 50 В и температурном коэффициенте напряжения порядка 50 мВ/град,Режим устанавливается подбором сопротивления резистора 4 для заданного значения напряжения источника питания, к которому предъявляются высокие требования по стабильности напряжения, существенным образом влияющему на точность измерения температуры. Формула изобретения Устройстзо для измерения температуры, содержащее термочувствительный обратносмещенный диод, подключенный ко входу транзисторного усилителя, включенного по схеме с общим эмиттером, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности коэффициента преобразования, термочувствительный обратносмещенный диод выполнен в виде одного из эмиттер-базовых переходов двухэмиттерной транзисторной структуры, причем обратное смещение на этот переход подано через дополнительный резистор, а транзисторный усилитель выполнен на втором прямосмещенном эмиттер-базовом переходе и коллекторе транзисторной структуры. Источники информации. принятые во внимание при экспертизе:1. Авт. св. СССР292077, кл. 6 0 К 3/08, 18.06.б 9 (прототип) .2. Фогельсон И. Ь. Транзисторные тсрмодатчики, Сов, Радио, М., 1972 г. стр. 12.3. Лвт. св. СССРЗб 1398, кл. 6 01 К 7/22, 12.03,71.