Датчик давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 475522
Авторы: Кривоносов, Новиков
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ475522 Сока Советских Социалистических Республиквнд-ву 22) Заявлено 05,07.73 (21) 1942478/18 1) М, Кл. б 011 9/О рисоединением заявки Ло Государствеиный комите Совета 11 инистров ССС Приоритет публиковано 30.06.5. Бюллетень М 2 3) УДК 531.787.91(088.8) елам изобретен и открытий Дата опубликования описания Авторыизобретения) ДАТЧИК ДАВДЕНИ Работа датчика заключается в преобразовании давления Р в деформацию, электрическое напряжение и ток. Вследствие того, что полупроводниковая пластина укреплена на изоляционных опорах, при действии на нее давления Р возникает тензорезистивный эффект. Этот эффект в основе своей низкочастотный и способствует расширению амплитудно-частотных характеристик в области низких частот. При деформации пьезоэлектрических слоев 4 возникает пьезоэффект, который, являясь по своей природе высокочастотным, способствует расширению амплитудно-частотных характеристик в области высоких частот,Для ослабления чувствительности к направлению вибраций кристаллографические оси пьезоэлектрических слоев расположены подобеспечвиетложного сигнала. 1(роке того, температурные коэффициенты сопротивлений полупроводниковой структуры выбраны разнозначнымн, что делает датчик малочувствительным к изменениям температуры окружающей среды. онт ольно-измесдм е ооретен ни Да 1 ч к да ,е:я, электрический кр ор с электродами 61) Дополнительное к ав Изобретение относится к к ррительной технике.Известные датчики давления, содержащиекорпус, пьезоэлектрический кристалл и полевой транзистор с электродами затвора, имеют 5недостаточную точность и надежность измерения.Цель изобретения - повышение точности инадежности датчика.Это достигается тем, что в предлагаемом 10датчике давления на электродах затвора полупроводниковой пластины полевого транзистора, укрепленной на изоляционной опоре иконтактирующей одним концом с боковым выступом корпуса, нанесены пьезоэлектрические 15слои, связанные своими электродами с торцовыми поверхностями корпусами,На чертеже приведена конструкция датчика.В корпусе 1 датчика размещены полупроводниковая пластина 2 полевого транзистора,имеющего электроды 3 затвора, на которыенанесены пьезоэлектрические слои 4. Пьезоэлектрические слои связаны своими электродами 5 с торцовыми поверхностями корпуса 1. 25Полупроводниковая пластина укреплена наопорах б, выполненных из изоляционного материала. Один конец пластины снабжен электродом 7, а другим концом пластина контактирует с боковым выступом 8 корпуса. 30 содержанпй корпус, пьесталл и полевой транзнзатвора, о тл ич а ю щи й475522 оставитель Л. Никиточкина Техред Т. Миронова едактор Т. Рыбалов Корректор Н. Учакин аказ 2269 одписно апунова, 2 ипогра с я тем, что, с целью повышения точности и надежности, в нем на электродах затвора полупроводниковой пластины полевого транзистора, укрепленной на изоляционной опоре и копИзд.1554И Государственного кок по делам пзобрет Москва, Ж, Рау тактирующей одним концом с боковым выступом корпуса, нанесены пьезоэлектрические слои, связанные своими электродами с торцовыми поверх:1 остями корпуса. Тирагк 902тета Совета Министров Сний и открытийшская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
1942478, 05.07.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5539
НОВИКОВ ЛЕВ ВАСИЛЬЕВИЧ, КРИВОНОСОВ ИГОРЬ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01L 9/08
Опубликовано: 30.06.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-475522-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик давления</a>
Предыдущий патент: Прибор для телеметрических измерений барометрической высоты
Следующий патент: Дифференциальный индуктивный датчик давления
Случайный патент: Устройство для зарядки аккумулятораасимметричным tokom