Способ изготовления матрицы запоминающего устройства

1 470859 Союз Советских Социалистических Республик)М. Кл. б исоединением заявкиГосударственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений 32) Приоритет 53) УДК 681.327,6, В. Остапенко, В. В. Бушин, Т, П, Боровских, Г.и Ю. П. ПаневОрдена Ленина институт кибернетики АН Украинской П. Тимофее(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИ ЗАПОМИ НАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА тцы трупластика нетехноразмеровнеобхоетки замежду а из-за тков при цы преддниками м нагре- водников Изобретение относится к вычислительнои технике, а именно к технологии изготовления интегральных магнитопленочных матриц запоминающих устройств.Известен способ изготовления интегральной матрицы запоминающего устройства посредством создания сетки проводников заданной конфигурации, например, методом многослойной печати и покрытия этой сетки проводников магнитным материалом преимущественно с прямоугольной петлей гистерезиса.При изготовлении многопленоч ной интегральной матрицы запоминающего устройства известным способом сначала методом многослойной печати из пластика и проводящих слоев получают сетку проводников заданной конфигурации, образующую правильно чередующиеся перекрестки проводников, которые служат в дальнейшем основой для запоминающих элементов. Части пластика в промежутках между проводниками удаляют механическим путем, в результате чего в этих местах образуются отверстия. Оставшемуся пластику придают форму решетки из пересекающихся под прямыми углами цилиндров равного диаметра с осями, расположенными в одной плоскости, Эту конструкцию покрывают методом химического осаждения тонкой магнитной пленкой, получаемой восстановлением никеля и кобальта из гипофосфита. Однако известный способ изготовления матрдоемок, так как операция удаленияв промежутках между проводникамилогична; возможности уменьшения5 элементов матрицы ограничены из-задимости придания перекрестиям решданной формы; надежность изоляциипроводниками матрицы недостаточнвозможного закорачивания проводи10 создании отверстий.Для повышения надежности матрилагается диэлектрик между провоматрицы оплавлять, например, потокотого газа, а на открытые участки про15 дополнительно наносить диэлектрик. При осуществлении описываемого способана металлпзпровашюм с двух сторон диэлектрше с небольшой температурой плавления 20 методом фотолитографии изготавливают с одной стороны адреснье проводники, с другой - ортогональпые им - разрядные. Локальные у частки матрицы нагревают в потоке горячего газа до температуры, превышающей темпера туру плавления диэлектрика. в результате чего образуются отверстия между проводниками.На открытые участки проводников наносятдиэлектрик, например эпоксидную смолу, ме тодом электроосаждепия, которьш металлизи470859 Предмет изобретения Составитель О. Вакар Редактор Ь. Нанкина Корректор И. Позняковская Техред Г. Дворина Заказ 1992/О Изд.1446 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Я(-35, Раузпская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 руют и покрывают магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.11 р и м е р. На металлизированном с двух сторон лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны - адресные, а с другой - ортогональные им - разрядные проводники. Локальные участки матрицы помещают в поток горячего газа (300 - 350 С), в результате чего лавсан оплавляется. Откры-ые участки проводников покрывают слоем эпоксидной смолы методом электрофореза из ванны следующего состава: твердая фаза - 20%-ный раствор эпоксидной смолы марки Эв ацетоне; дисперсионная среда - изопропиловый спирт; суспензия 15% -ной концентрации. В суспензию входит 1/, отвердителя (полиэтиленполиамин). Осаждение производят при напряжении 600 В, ток 5 мА в течение 2 мин. Нанесенный слой эпоксидной смолы полимеризуют при 120 С в течение 1 час. Полимер активируют 2/о-ным раствором палладия или хлористого олова и затем подвергают химической металлизации из раствора следующего состава: 30 г/л сернокислого никеля, 10 г/л уксуснокислого натрия, 10 г/л гипофосфита натрия. Толщина металлического слоя 3 мкм. Слой металла покрывают слоем магнитного материала, состоящего из 83 о/о никеля и 17% железа, методом электролитического осаждения из ванны следующего состава, г/л:И 180 НгО 3405 М 1 С 1, 6 НгО 15Ге 804 7 Н,О 8НзВОз 30Сахарин 0,8Лимонная кислота 6.10 Плотность тока 8 мЛ/см, время осаждения1 час. Толщина осажденного слоя - 8 мкм,15 1. Способ изготовления матрицы запоминающего устройства, заключающийся в создании сетки проводников заданной конфигурации, например, методом многослойной печати и покрытия этой сетки проводников магнит ным материалом преимущественно с прямоугольной петлей гистерезиса, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности матрицы, диэлектрик между проводниками оплавляется, например, потоком нагретого газа.2. Способ по п. 1, отличающийся тем,что на открытые участки проводников дополнительно наносят диэлектрик.