Термоуправляемый мультивибратор

уЧ цй т ц 47073 С П ИЗО Е Союз Советских Социаимстическых Республик(23) Приорцте Опубликовано Совета Министров СССоо делам изобретенийи открытий Бич,четснь1(53) УДК 536.53(088,8) ата опубликования описдция 23.12,75 72) Авторы изобретени(71) Заявитель ордена Трудового Красного Знамени инженернотельный институт им. В, В. Куйбышева сковски ст) ТЕРМОУПРАВЛЯЕМЫЙ МУЛЬТИВИБРАТО исторов 1 ц 2, пери 4 в цепи разряда и второго дополни- торов 5 и 6, первого конденсаторов 7 и 8,ительных диодов 9 елителей ндпряжеоров 11 и 12 и террвого и второго коли 16, а также цсИзобретение относится к области приборостроения, а именно, к устройствам для измерения гемпературы путем преобразования ее в импульсный параметр.Известен термоуправляемый мультивцбратор, содержащий два р - и - р транзистора, коллекторы которых через резисторы, а базы через диоды подключены к источнику питания, и двд конденсатора, один цз которых присоединен между базоц первого транзистора и коллектором второго, а другой - между базой второго и коллектором первого,Недостатком известного устройства является ограниченный диапазон преобразования температуры в импульсный параметр,Для расширения диапазона преобразования температуры в предлагаемом мультивцбраторе между коггдеггсдторахги и коллекторамц р - и - р транзисторов дополнительно вглгогегтгл два и - р - и трдггзцстора, базы г;о. торых соединены со средними точками дополнительных делителе 11 напряжения, собранных из опорных и термочувствцтельных плеч, а параллельно к коллектор-эмиттерным переходам подключены дополнительные диоды, причем аноды диодов соединены с коллекторами и - р - и транзисторов ц конденсатор а ми.На чертеже приведена прицццпца,чьная электрическая схема описываемого мультивцбратора, состоящего цз первого и второго ключевых р - и - р транзвого и второго диодов 3конденсаторов, первоготельных и - р - и транзис5 и второго хронирующихпервого и второго допо,чни 10, первого и второго дния, состоящих из резистморезисторов 13 и 14, пеО лекторных резисторов 15точпцка питания 17. Мультивибратор действует следующим образом, Конденсатор 8 заряжается по цепи: 15 эмиттерный переход открытого транзистора1, конденсатор 8, диод 10, резистор 16. Конденсатор 7 в это же время разряжается по цепи: коллекторный переход открытого транзистора 1, транзистор 5, конденсатор 7 и дц од 3, прц этом напряжение на коллекторэмпттерцом переходе транзистора 5 определяется падением напряжения на одном из плеч делителя напряжения, состоящего из терморезистора 13, и резистора 11. Разряд 25 конденсатора 7 будет продолжаться до техпор, пока разность напряжений между падениями напряжения ца конденсаторе 7 и ца транзисторе 5 окажется равной нулю. Прц этоот произойдет отпирание транзистора 2 ц ЗО запирание транзистора 1. После чего процесс47071 Предмет изобретения 10 Составитель Н. НикитинТекрсд Л, Казачкова Корректор Е. Хмелева Редактор С, Хейфиц Заказ 5496 Изд.1507 Тираж 740 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5МОТ, Загорский филиал 3повторяется, т. е. конденсатор 7 будет заряжаться, а конденсатор 8 - разряжаться,Так как базовый ток ключевых транзисторов 1 и 2 определяется током насыщения диодов 3 и 4, то уровень их насыщения не зависит от преобразуемой температуры. При этом генерируемая частота может быть вычислена по формуле1 Й+Р 22 Ес Р где- генерируемая частота;1 - ток разряда хронирующих конденсаторов 7, 8;Е - напряжение питания; 15 С - емкость хронирующих конденсаторов 7,8;Й, и Л 2 - сопротивления элементов 11, 13 и12, 14.В связи с тем, что термочувствительными 20 элементами мультивибратора являются терморезисторы 13, 14, генерируемая частота определяется только величиной их сопротивления,Управление частотой мультивибратора 25 осуществляется путем изменения момента от. пирания ключевых транзисторов, которые работают при уровне насыщения, независим от измеряемой температуры, что позволяет добиться расширения диапазона преобразования температуры в импульсный параметр. Термоуправляемый мультивибратор, содержащий два р - и - р транзистора, коллекторы которых через резисторы, а базы через диоды подключены к источнику питания, и два конденсатора, подключенные к базам транзисторов, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона преобразования температуры, между конденсаторами и коллекторами р - и - р транзисторов дополнительно включены два п - р - и транзистора, базы которых соединены со средними точками дополнительных делителей напряжения, собранных из опорных и термочувствительных плеч, а параллельно к коллектор-эмиттерным переходам подключены дополнительные диоды, причем аноды диодов соединены с коллекторами п - р - и транзисторов и конденсаторами,