Способ тренировки оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Номер патента: 445936

Автор: Хлопин

ZIP архив

Текст

А Н Й Е 111 445 езеТЕНЙЯ Союз Советских Социалистицеских Республик(51) М Кл. Н О 1 у 13/ОО Н О 1 9/О 5 единением заявки -сударстаенный номнтетсвата Инннстраа СССРво делам нэооретеннйи открытий(45)Дата 2) Авторизобретени М.И.Хлопи одеталей 1) Заявитель СКБ при Новосибирсном заводе р СОБ ТРЕНИРОВКИ ОКСИДНО-ПОЛ КОНДЕНСАТОРОВИзобретение относится н технологии изготовления онсидно-полупронодниновых нонденсаторов .Известен способ трениронни онсидно-полупронодниноных нонденсаторов, оснонанный на выдержке их под йапряжением, с целью отбрановни ионденсаторон со снрытыми дефектами и стабилиза о ции электрических параметров вонденсаторон, попадающих н годную продукцию.Цель изобретения - уменьшение тоион утечни, отбрановиа а потенциально ненадежных ионденсаторон и усворение процесса - достигается тем, что по данному способу нонденсаторы выдерживают под напряжением постоянно о го тона, равным напряжению промежуточной формвони при нанесении последнего полупроводникового слоя на нонденсаторный алемент. Танталовые аноды (номинал 6 в х 100 мвф) онсидируют в водном растворе ортоосФорной кислоты при напряжении 45 в. Онси-. диронанные аноды пропитывают солью нитрата марганца, помещают н печь при ЗЗО С, а затем дополнительно 4 ормуют (для устранения дефентон, нознинших при высовотемпературном разложении нитрата марганца) н водном растворенсусной кислоты при напряжении О в . Цинл пропитна - пиролитичесное разложение - дополнительная ормовна повторяют до ЗО раз .На поверхность анодон наносят слой марганца, затем графита и, нанонец, металла методом шоопирования. Конденсаторные алементы впаинают н корпус с изолятором, после чего конденсаторы тревитют при напряжении ЗО в в течеУе 6 час.Сост авнтелн Д ДццщСЕаяснакто 5 фЕДОтОВ 1 екрен Б (Енса Коррек;ор РеКИСЕАЕНО,Иа а б/5 рнр,ы ф Подписное Заказ 3 ЦНИИИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 13035, Раушская наб., 4 реннрнятие Патент, Москва, Г 59, Берекковская наб., 24 Способ ттенитовви оискдно-полуптоводнивовых нонденсатотов, основанный на выдетие их под напряжением, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью уменьшения товов утечяи, отбтацовни потенциально ненадежныхионденсатотов и усвотения птоцесса, ионденсатоты выдетживаютпсу аптяжением, равным наптяжению промежуточной отмовни птинанесении последнего полуптоводнивового слоя на элемент вонденсатота.

Смотреть

Заявка

1848598, 21.11.1972

СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ПРИ НОВОСИБИРСКОМ ЗАВОДЕ РАДИОДЕТАЛЕЙ

ХЛОПИН МИХАИЛ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01G 9/00

Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых, тренировки

Опубликовано: 05.10.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-445936-sposob-trenirovki-oksidno-poluprovodnikovykh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ тренировки оксидно-полупроводниковых конденсаторов</a>

Похожие патенты