Способ тренировки оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 445936
Автор: Хлопин
Текст
А Н Й Е 111 445 езеТЕНЙЯ Союз Советских Социалистицеских Республик(51) М Кл. Н О 1 у 13/ОО Н О 1 9/О 5 единением заявки -сударстаенный номнтетсвата Инннстраа СССРво делам нэооретеннйи открытий(45)Дата 2) Авторизобретени М.И.Хлопи одеталей 1) Заявитель СКБ при Новосибирсном заводе р СОБ ТРЕНИРОВКИ ОКСИДНО-ПОЛ КОНДЕНСАТОРОВИзобретение относится н технологии изготовления онсидно-полупронодниновых нонденсаторов .Известен способ трениронни онсидно-полупронодниноных нонденсаторов, оснонанный на выдержке их под йапряжением, с целью отбрановни ионденсаторон со снрытыми дефектами и стабилиза о ции электрических параметров вонденсаторон, попадающих н годную продукцию.Цель изобретения - уменьшение тоион утечни, отбрановиа а потенциально ненадежных ионденсаторон и усворение процесса - достигается тем, что по данному способу нонденсаторы выдерживают под напряжением постоянно о го тона, равным напряжению промежуточной формвони при нанесении последнего полупроводникового слоя на нонденсаторный алемент. Танталовые аноды (номинал 6 в х 100 мвф) онсидируют в водном растворе ортоосФорной кислоты при напряжении 45 в. Онси-. диронанные аноды пропитывают солью нитрата марганца, помещают н печь при ЗЗО С, а затем дополнительно 4 ормуют (для устранения дефентон, нознинших при высовотемпературном разложении нитрата марганца) н водном растворенсусной кислоты при напряжении О в . Цинл пропитна - пиролитичесное разложение - дополнительная ормовна повторяют до ЗО раз .На поверхность анодон наносят слой марганца, затем графита и, нанонец, металла методом шоопирования. Конденсаторные алементы впаинают н корпус с изолятором, после чего конденсаторы тревитют при напряжении ЗО в в течеУе 6 час.Сост авнтелн Д ДццщСЕаяснакто 5 фЕДОтОВ 1 екрен Б (Енса Коррек;ор РеКИСЕАЕНО,Иа а б/5 рнр,ы ф Подписное Заказ 3 ЦНИИИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 13035, Раушская наб., 4 реннрнятие Патент, Москва, Г 59, Берекковская наб., 24 Способ ттенитовви оискдно-полуптоводнивовых нонденсатотов, основанный на выдетие их под напряжением, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью уменьшения товов утечяи, отбтацовни потенциально ненадежныхионденсатотов и усвотения птоцесса, ионденсатоты выдетживаютпсу аптяжением, равным наптяжению промежуточной отмовни птинанесении последнего полуптоводнивового слоя на элемент вонденсатота.
СмотретьЗаявка
1848598, 21.11.1972
СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ПРИ НОВОСИБИРСКОМ ЗАВОДЕ РАДИОДЕТАЛЕЙ
ХЛОПИН МИХАИЛ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01G 9/00
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых, тренировки
Опубликовано: 05.10.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-445936-sposob-trenirovki-oksidno-poluprovodnikovykh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ тренировки оксидно-полупроводниковых конденсаторов</a>
Предыдущий патент: Способ определения стабильности сопротивления оксидных диэлектриков
Следующий патент: Устройство для изготовления цилиндрических конденсаторов
Случайный патент: Установка для электронагрева арматурных стержней