Устройство для измерения напряженности магнитного поля
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
) 428318 Союз Советских Социалистических РеспубликОП ИКАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51) М.Кл. б 01 г 33/06 Государственный комитетСаввта Министров СССРпа делам изобретенийи открытий(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯИзобретение относится к области приборостроения и предназначено, в частности, для измерения слабых магнитных полей.Известные устройства для измерения напряженности магнитного поля в виде полу проводцикового кристалла в форме параллелепипеда, на противоположной грани которого нанесены токовые и холловские электроды, позволяют измерять суммарный вектор напряженности магнитного поля и не дают возмож- то ности одновременно и раздельно измерять две взаимно цеперпецдикулярцые составляющие напряженности магнитного поля.Для расширения функциональных возможностей в предлагаемом образователе на каж дую из четырех боковых граней параллелепипеда нанесены несоприкасающиеся между собой диффузионные слои со знаком проводимости, противополоакным знаку проводимости остальной массы полупроводникового кристал ла, причем к каждому диффузионному слою подсоединены токовые и холловские электроды. На чертецте показано описываемое устрой ство, состоящее из полупроводникового кристалла 1, на боковые грани которого нанесены диффузионные слои 2. Знак проводимости последних противоположен знаку проводимости полупроводникового кристалла. 30 Пары слоев 2, лежащих на протцвополож. ных гранях кристалла 1, являются парами параллельно расположенных датчиков Холла, к которым подсоединены токовые д ц холловские 4 электроды.При измерении напряженности магнитного поля кристалл помещают в магнитное поле ц с электродов 3 каждой пары параллельно расположенных датчиков снимается сигнал э.д.с. Холла, а токовые электроды 4 соединяют так, чтобы управляющий ток проходил последовательно через диффузионные слои 2, расположенные на противоположных гранях кристалла 1. Поскольку пары слоев 2, лежащих на противоположных гранях, расположены взаимно перпендикулярно, то каждая цз пар измеряет одну из двух взаимно перпендикулярных составляющих напряженности магнитного поля. При этом на границе диффузионного слоя 2 и кристалла 1 образуется р - 1 г переход ц элек. трический ток, вошедший в слой 2, может рас. пространяться только вдоль этого слоя, це проникая в толщу кристалла 1. Прц последовательном соединении диффузионных слоев 2, расположенных на противоположных гранях кристалла 1, р - гг переходы служат цзолято. рами, исключающими возможность утечки за. рядов в толщу кристалла 1.428318 Предмет изобретения оставитель Н. Данилинлред А, Камышникова дактор С. Хейфиц орректор Е, Хмелева 1603 Тираж 678твенного комитета Совета Минелам изобретений и открытийа, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Заказ 50 Подписнов СССР НИИПИ Госуд Мо Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговл Устройство для измерения напряженности магнитного поля, содержащее параллельно расположенные пары датчиков Холла, выполненные из полупроводникового кристалла в виде параллелепипеда, на боковые грани которого нанесены холловские электроды, отличаюиийся тем, что, с целью расширения функцион альных возможностей преобразователя, на каждую из четырех боковых граней параллелепипеда нанесены несоприкасающиеся между собой диффузионные слои со знаком проводимости, противоположным знаку прово димости остальной массы полупроводниковогокристалла, причем к каждому диффузионному слою подсоединены токовые и холловские электроды.
СмотретьЗаявка
1840800, 26.10.1972
Л. И. Бергер, Л. Н. Веселова, Н. А. Карелина
МПК / Метки
МПК: G01R 33/07
Метки: магнитного, напряженности, поля
Опубликовано: 15.05.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-428318-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-napryazhennosti-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения напряженности магнитного поля</a>
Устройство для калибровки измерителей напряженности магнитного поля
Номер патента: 1773872
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Кунике, Марков, Мелехов
МПК: G01R 29/08
Метки: измерителей, калибровки, магнитного, напряженности, поля
...и повышается точность проведения калибровочных измерений,Введение диэлектрического резервуара, заполненного средой во внутреннюю полость спиральных проводников, причем в боковой поверхности резервуара предусмотрено отверстие, сквозь которое вводятся калибруемые измерители напряженности магнитного поля, предназначенные для работы в указанной среде, позволяет производить их калибровку не только на воздухе, но и в среде, Ограничение на величину диаметра резервуара - неболее величины скин-слоя в среде на частоте калибровки позволяет исключить ошибкукалибровки, связанную с затуханием электромагнитного поля в среде в радиальномнаправлении.Устройство калибровки измерителейнапряженности магнитного поля содержитотрезок коаксиальной линии 1 с...
Датчик градиента напряженности магнитного поля
Номер патента: 788060
Опубликовано: 15.12.1980
Авторы: Мурадов, Сапранков, Суханов
МПК: G01R 33/022
Метки: градиента, датчик, магнитного, напряженности, поля
...протекают два равных управляемых тока, направления которых указаны на чертеже. При отсутствиы магнитного поля (Н:О) на электродах 5 и 6 имеются два приблизительно равных по величине и по знаку потенциала, поэтому разность потенциалов, снимаемых с холловских электродов 5 и б,будет близка к нулю,т.е.вели,чина нулевого сигнала датчика будетСормула изобретения минимальна. Следовательно,сопротивле ние небаланса В" этого датчика имеет минимальное значение.При воздействии на датчик исследуемого неоднородного магнитного поля с напряженностью вблизи холловских ,электродовН и Н (как показано на чертеже) на холловских электродах 5 и 6 датчика появляются холловские ЗДС Ц и Ц- постоянная Холла;- толщина пластиныдатчика - величина управляемого...
Устройство для измерения напряженности магнитного поля
Номер патента: 788059
Опубликовано: 15.12.1980
МПК: G01R 33/07
Метки: магнитного, напряженности, поля
...управляющего то"ка датчика при НмЭ; - сопротивление небаланса,возникающее из-за асймметричности расположенияхолловских выводов для датчиков Лолла.788059 4 в агнитног имеется ноля Н= начение оставитель И, Куницынехред Н.Бабурка Корректо едактор Н. КешеляМуска Заказ 8346 54 019 Подписноо комитета ССС 1,й и открытийушская наб., д. 4/5 Тираж арственно изобретен а, ж, РВНИИХИ Госупо делам113035, Моск филиал ППП 1 Патент, г, Ужгород, ул, Проектн При,наличии магнитного поля выходнс найряжение описывается следующим известным выражениемгде 3 - значение управляющего тока Мпри НФО; В - постоянная Холла;толщина полупроводниковой пластины датчика 10 Н - измеряемое магнитное поле. Так как выходное напряжение датчи- ка при отсутствии и наличии поля...
Способ измерения напряженности магнитного поля
Номер патента: 789952
Опубликовано: 23.12.1980
Автор: Мурадов
МПК: G01R 33/02, G01R 33/07
Метки: магнитного, напряженности, поля
...ЭДС.Эта составляющая отФильтровывается, усиливается и измеряется фаэочувствительным избирательным трактом10 и регистрирующим прибором 11.Выходное напряжение датчика Холлаописывается выражением;вых "х"ост с чВРост где, О - выходное напряжение датвыхчика;О - холловская ЭДС;КО - остаточное напрякение,возникающее в датчикеостиэ-за асимметричностирасположения холловскихвыводов датчика, определяющие величину нескомпенсированного остатканулевого сигнала;В - постоянная Холла;иС - .толщина полупроводниковой пластины;8 - измеряемое магнитноеполе,, - управляющий ток датчика,протекающий между токовыми выводами датчика,В - остаточное сопротивлениеост(сопротивление небаланса)возникающее иэ-эа асимметричности расположенияхолловских выводов...
Измеритель напряженности магнитного поля
Номер патента: 471563
Опубликовано: 25.05.1975
Автор: Ковальчук
МПК: G01R 33/07
Метки: измеритель, магнитного, напряженности, поля
...18, соединенных последовательно с трацсфор;1 аторами 14 и 15. 1(роме того, если первичная обмотка (например, обмотка 1 или 17) соединена с 1 рильтром ш посредственно, то вторичная обмотка (например, обмо 1- ка 18 или 19) включена между соответсты- ЮщИМ фаЗОВЫМ ДЕтЕКтОроМ И тОЧКОй СОЕДИНения Одного из входов ф 11 лтра с э,1 ектродом датчика Холла.Один из генераторов, например генератор 7, работает с частотой, в кратное число раз меньшей частоты, получаемой от генератора б. Фильтр 12 настроен таким образом, что пропускает только сигналы меньшей частоть 1. Об 1 ций коэффициент передачи фильтра 12 трансформатора 14 устанавливают равны.,: единице. Таким образом, напряжение на вторичной обмотке 18 в любой момент времени равно по амплитуде и...
Предыдущий патент: Устройство для измерения мгновенных значенийотносительных характеристик переменныхмагнитных полей
Следующий патент: Способ определения магнитного поля, проникающего в экран квантовогопреобразователя
Случайный патент: Симбиотическая бактериальная закваска для кисломолочного продукта йогурта