Гетеродин для преобразователей с балансным смесителем

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕХЗЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл. Н ОЗЬ 3/О с присоединением заявки асударстееннын комитетСавета Миннетрав СССРпа делам нэобратаннйи аткрытнй 2) Приори(54) ГЕТЕРОДИН ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕ С БАЛАНСНЫМ СМЕСИТЕЛЕМчто устроиство снабранзистором того же Изобретение относится к области ратехники и может быть использовано в устствах генерирования высокочастотных слов малой мощности.Известен гетеродин для преобразователей 5с балансным смесителем, выполненный надвух транзисторах одного типа проводимостис общей эмиттерной связью и последовательновключенными в коллекторной цепи первоготранзистора колебательным контуром и бал Оластным резистором, соединенным через конденсаторы с общей шиной и базой первоготранзистора, коллектор и база которого подключены непосредственнно и через резисторсоответственно к базе и емиттеру второго 15транзистора, а его коллектор - к выходнойклемме устройства.Недостатком известного устройства является то, что в колебаниях гетеродина наряду сосновной гармоникой содержится ряд высших 20гармонических составляющих. Это обуславливает наличие побочных каналов приема, ухудшая помехозащищенность радиоприемногоустройства в целом.Цель предлагаемого изобретения заключается в уменьшении числа побочных каналовпреобразования и увеличении помехозащищен ности,Это достигается тем,жено дополнительным т 30 типа проводимости, коллекторсоединен к балластному резистоключена к резисторному делите, цтера второго транзистора.На чертеже представлена принципиальная схема гетеродина для преобразователей с балансным смесителем.Гетеродин выполнен по автогенераторной схеме с внутренней связью на транзисторах 1 и 2 с колебательным контуром , включенным одной точкой в коллекторную цепь транзистора 1. В эмиттерную цепь второго транзистора включен резистивный делитель из резисторов 4 - 6, причем первый отвод делителя соединен с эмиттером первого транзистора, его база через резистор 7 подключена к эмиттеру второго транзистора. В схему введен дополнительный транзистор 8; его эмиттер заземлен, база связана с вторым отводом делителя, а коллектор подключен ко второй точке колебательного контура, которая посредством конденсаторов 9 и 10 соответственно заземлена и соединена с базой транзистора 1, а через балластный резистор 11 подключена к источнику питания 12, Коллектор транзистора 2 подсоединен к выходной клемме устройства, Через резистор 7 обеспечивается подача смещения в базовую цепь транзистора 1 с одновременной стаоилизацией режима за счет обратной связи по постоянному току. Нежелательная связь по427447 редмет изобретени теродин для преобразователей ссмесителем, выполненный на двух Составитель Л. ГалактионовРедактор С. Бычихина Техред Г, Васильева Корректор В. Гутман Тираж 811 Совета Министров С открытий наб., д. 4/5Изд.803 сударственного комитет по делам изобретений Москва, Ж-З 5, РаушскаЗаказ 1722/464ЦНИИПИ одписное ип, Харьк, фил. пред. Патен переменному току устраняется заземлением базы транзистора 1 через конденсаторы 9 и 10. Резистор б обеспечивает положительную обратную связь в автогенераторе.Соотношение между резисторами 4 - б оп ределяет порог открывания транзистора 8 и выбирается таким, чтобы в отсутствие колебаний транзистор 8 был закрыт, а при наличии колебаний амплитуда переменной составляющей тока транзистора 2 не превышала значения его постоянной составляющей. При отпирании транзистора 8 дальнейшее нарастание амплитуды переменного напряжения на контуре сопровождается увеличением тока этого транзистора, что приводит к увеличению па дения напряжения на резисторе 11. Вследствие этого уменьшается ток коллектора транзистора 1, снижаются его крутизна и усиление. Амплитуда колебаний уменьшается на контуре до наступления равновесия. Коэффициент преобразования, благодаря стабилизированной амплитуде колебаний гетеродина, имеет постоянное значение в диапазоне частот и питающих напряжений.2 зисторах одного типа проводимости с общей эмиттерной связью и последовательно включенными в коллекторной цепи первого транзистора колебательным контуром и балластным резистором, соединенным через конденсаторы с общей шиной и базой первого транзистора, коллектор и база которого подключены непосредственно и через резистор соответственно к базе и эмиттеру второго транзистора, а его коллектор - к выходной клемме устройства, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа побочных каналов преобразования и увеличения помехозащищенности, он снабжен дополнительным транзистором того же типа проводимости, коллектор которого подсоединен к балластному резистору, а база подключена к резисторному делителю в цепи эмиттера второго транзистора.