417909

О П И С А НИ Е 417909ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социвлистимесюа Рвспубг цвакК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетель ваКл. Н 031 г 19,0 Заявл Ч 11.19721476126 оединецием заявки Ъ" Приоритет осударственныи комитеСовета Министров СССРоо делам изобретенийн открытий УДК 621 374 32(088 8) убликовацо 28.11.1974. Б ллетеньата опубликования опис 2.711,1974 Авторыизобретения А. Г. Филлипов,Заявитель Пронин, В, М. П. Удовик и елопольский, В. В, Прушинский,М. Мамута ВЕРТОР СЛОЖНЫЙ 10 Изобретение относится к вычислительной техничке и предназначено для использования в качестве мощного усилителя при построении схем логических элементов, а также в качестве усилителя импульсных сигналов.Известны сложные инверторы, содержащие управляющий, инвертирующий и повтори- тельный транзисторы.Однако в известной схеме имеет место перераспределецие токов в базах управляющего и инвертирующего транзисторов при измепении тока нагрузки, причем увеличение тока нагрузки вызывает уменьшение тока базы инвертирующего транзистора, что резко ограничивает диапазон изменений токов нагрузки. Кроме того, в даиной схеме в момент, переключения возможно одновременное открытое состояние повторительного и инвертирующего транзисторов, что приводит к увеличению потребляемой мощности и создает импульсные помехив цепях питания.Цель изобретения - расширение диапазона изменения токов нагрузки и исключение одновременного открьгтого состояния повторительного и инвертирующего транзисторов при переключении.Это достигается введением в схему переключающего транзистора и смещающего диода с накоплением заряда, причем база управляющего транзистора соединена с коллектором переключающего транзистора, эмцттср переключающего транзистора подключен к входной шине н аноду смещающего диода с накоплением заряда, катод которого соедцнен с базой ицвертирующего транзистора, а эмиттер ц база переключающего транзистора через резисторы подключены к шине питания.На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого сложного ццвертора.Сложный ццвертор содержит переключающий 1, управляющий 2, ицвсртирующпй 3 ц повторительцый 4 транзисторы, смещающий диод 5 с накоплением заряда, резисторы 6 - 9, шину 10 питания, общую шину 11, вход 12 сложного ицверторавыход 13.При поступлении ца вход ицвертора положительного перепада напряжения по достижении им уровня У-, ток базы транзистора 1 переключается пз входной цепи в базу управляющего транзистора 2 который цасыщаегся и закрывает повторительный транзи. стор 4. Транзистор 3 открывается, и форми. ровацие отрицательного фронта выходного импульса происходит по достижении ца входе уровня напряжения Уоэ+1/г, Таким образом, цнвертируюгццй транзистор 3 открывается позже, чем закрывается повторительный транзистор 4, что исключает одновременное открытое состояние этих транзисторов. Распределение токов базы транзисторов 2 и 3аа 1558(6ЦНИИП Г 1 одниснР Изд. Ъв 1 о 58 Государственного коь нтета по делан наобрете)н)й Москва, Ж, Раушсканнографн нр. Сапунова, 2 ооесиечнвается резисторным дслителем, состоящим из резисторов 6, 7 и 8. В этом случае базовый ток транзистора 3 ие зависит от тока нагрузки, что позволяет расширить диапазон изменений токов нагрузки.При поступлении на вход инвертора отрицательного перепада напряжения по достижении входным сигналом уровня надряжения сба+ /и начинается рассасывание избыточного заряда в базе иивертирующего транзистора 3 через смещающий диод 5 с накоплением заряда. По окончании рассасывания заряда в базе транзистора 3 он закрывается. По достижении входным сигналом УРОВНЯ НаПРЯжЕНИЯ Оба НаЧИНаЕтС 1 РаССаСЫ- ванне избыточного заряда в базе управляющего транзистора 2.По окончании рассасывания заряда транзистор 2 закрь)вается, напряжение па его коллекторе возрастает до уровн: открь)нация повторительного транзистора 4, и на выходе формируется положительный фронт выходного импульса. К этому моменту иивертирующий транзистор 3 оказывается уже закрытым, что исключает возмсжность протекания сквозного тока в выходных транзисторах 3 и 4.Предлагаемый стожный инвертор сохраняет преимущество известных схем сложных инверторов - высокое быстродействие прн работе на большую емкостную нагрузку, и в то же время исключает возможность одновременного открытого состояния выходных транзисторов при переключении и зависн- .)ость распределения токов базы транзисторов от изменения тока нагрузки. Кроме того, н данной схеме можно использовать меньшее 5 напряжение питания без ухудшения остальных характеристик схемы за счет исключения диода в цепи, перехода эмиттер-база повторительного транзистора 4. Это позволяет снизить мощность, потребляему)о схемой.10П редмет изобретенияСложный иквертср, содержащий управляю)иий транзистор, коллектор которого соединен с базой повторительного транзистора, и ин вер)ирующий транзистор, коллектор которогоподкл)очен к э.)иттеру повторительно)го транзистора, отличающийся тем, что, с целью расширесния диапазопа изменения токов нагрузки и исключения одновременного откры того состояния повторительного и инвертируюи 1 его 1 ранзисторов при перекл)очении. он содержит иереключа)ощий транзистор и с.,)е)цающий довод с накоплением заряда, причем база упра)вляю)цего транзистора соединена с 25 кол;екторсм переключающего транзистора,эми) тер переключающего транзистора псдкл)очен к входной шине и аноду смещающе;о диода с накоплением заряда, катод ксторого соединен с базой инвертирующего траи зистора, а эмиттар и оаза переключающеготранзистора через резисторы подключены к И)ИИ ПИИИЯ