416676

Номер патента: 437193

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Баскакова, Меер, Нестеров

МПК: H03F 3/34

Метки: дифференциальный, усилитель

...нагрузки в цепи коллектора транзистора 9 подключена к общей цепи истоков транзисторов 1, 2 входного:дифференциального каскада. База транзистора 11 динамической нагрузки в цепи эмиттера транзистора 9 подключена через цепь из последовательно соединенных транзистора 12 в диодном включении и резистора 13 к месту соединения баз транзисторов 6, 7 второй динамической нагрузки.Режим работы усилителя стабилизируется следующим образом. Благодаря наличию диодно-резистивной цепи, состоящей из транзистора 12 в диодном включении и резистора 13, создающей смещение на базах транзисторов 6, 7 второй динамической нагрузки имеет место, пропорциональность следующих напряже,ний: где 1 е, 17 - эмиттерные токи транзисторов 6,7;1 в ток через резистор 13;Лз,...

Номер патента: 1150575

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Шинкаренко, Шкилев, Шкилева

МПК: G01R 25/00

Метки: динамических, изменений, малых, фазы

...аналогового преобразователя фазы, первый нход которого соединен с первым входом сумматора и с источником опорного сигнала, а второй -с вторым входом сумматора и с выходомфазонращателя, один вход которогосоединен через интегратор с выходомблока сравнения, а другой вход фазовращателя соединен с выходом блокастабилизации амплитуды сигнала,второй вход которого соединен с выходомфазовращателя, а третий вход - спервым входом сумматора.На чертеже изображена блок-схемаустройства, реализующего способ измерения малых динамических измененийразностей фаз,Устройство содержит источник опорного напряжения П, подключенный к входу блока 1 стабилизации амплитуды, состоящего из усилителя 2,блока 3 сравнения, аналоговых преобразона" телей 4 и 5 амплитуды....

Номер патента: 1083338

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Борис, Васил

МПК: H03F 3/20

Метки: класса, мощности, усилитель

...изобретения - уменьшение частотных искажений и упрощение.Поставленная цель достигается 55 тем, что в усилителе мощности класса б+ С , содержащем входной усилительный каскад и выходной двухтактный усилительный каскад, каждое плечо которого выполнено на последовательно соединенных управляющем транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, имеющим одну структуру, и включенных параллельно.источнику питания последовательно по постоянному току первом транзисторе,работающем в режиме класса С, втором транзисторе, работающем в режиме класса Ь, имеющих другую структуру, и первичной обмотке выходноготрансформатор, при этом управляющий транзистор одного плеча, первыйи второй транзисторы другого плечаимеют одну структуру, а также...

Номер патента: 545977

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Кузнецов

МПК: G05F 3/08

Метки: источник, опорного, постоянного

...напряжение источника;вых- токи эмиттерного и коллекторэф кного переходов;О ( )- напряжение лавинного пробоя:эГ эучетом положительной обратнойсвязи между переходами транзистора;10Ц 6)- падение напряжения на диффереяКц кциальном сопротивлении коллекторного перехода;% - падение напряжения на эквиваэ длентного дифференциальном сопротив ленни эмиттерного перехода;Я- сопротивление резистора 3,При увеличении напряженич питания или уменьшении тока нагрузки увеличивается и ток эмиттера 1 , Это приводит к увели 0 чению коллекторного тока 1 , коэффициента передачи тока коллектора и, в конечном итоге, к уменьшению напряжения на эмиттерном переходе О(1 ).Одновременно увеличение эмиттерного и коплекторного токов приводит к увеличению падения...

Номер патента: 595718

Опубликовано: 28.02.1978

Автор: Кузнецов

МПК: G05F 3/08

Метки: источник, опорного, постоянного

...предлагаемого истоИ 11 казакгцочается ь следующем.25 1 1 рп питаОп;см напрЯжсцп,: Ниже макспмальго допустимой величины чсрсз тр;пзпстор 1 протекает эж,ттерный ток, Прп этом падеНс пдпрягкснця Н 2 цпжцсй части токозад 210 цс 10 пезпстора 2 Остастся мсньшс:12595718 Формула изобретения Составитель В. КосыревТсхрсд Л, Гладкова Корректоры: Л. Брахнииа и Н, федороваРедактор В, Левятов Подписное Заказ 268/15 Изд.327 Тираж 1047 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 пряжения отсечки транзистора 3, и транзистор закрыт. При увеличении напряжения питания выше максимально допустимой величины увеличивается и эмиттерный ток транзистора,...