402760

Номер патента: 441496

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Иващенко, Попов, Рудых

МПК: G01N 25/56

Метки: влажности, газа, чувствительного, элемента

...подвергается стабилизации путем циклического воздействия нэ элемент газовых средс влажности О и 100 при температуре 50 С.Способ реализуется в следую441496 3щей последовательности.Раствор влагочувствительного вещества (0,85-ный раствор поли-Е-капромида в 85,-ной муравьиной кислоте) наносят с помощью распылителя на вращающийся со скоростью 1000 аб/мин кварцевый пьезоэлемент через диафрагму диаметром 5 мм, установленную между распылителем и кварцевым пьезоэлемен-том по оси напыления струи.Через определенное время на пыление прцостанавливают и чувствительны элемент медленно сушат при температуре 20-25 С в течение 24 час. Затем раствор влагочувствительного вещества наносят на кварцевую пластину, вращающуюся со скоростью 2000 об/мин,...

Номер патента: 1171709

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Мешковский, Новиков, Шавкунова

МПК: G01N 31/22

Метки: аммиаку, индикаторный, чувствительный, элемент

...ниже температуры кипенияраствора. При соответствующих режимахвыщелачивания и последующей термообработке образец становится пористым, причем распределение внутреннихпор по размерам близко к монодисперсному, максимум распределения приходится на 6-8 нм. Таким образом, преобладающие размеры пор примерно в100 раз ниже длин волн рабочегоучастка спектра (300-650 нм), следовательно, носитель без индикаторноговещвства прозрачен для регистрируемого света,На внутренней поверхности портвердого носителя имеется слой (сплошной или несплошной) индикаторного вещества бромкрезолового пурпурового, по лученный путем пропитки пористого твердого носителя в водном растворе бромкрезолового пурпурового индикатораи последующей сушки при температурене выше...

Номер патента: 1464047

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Максимов, Максимова, Никифоров, Пронин, Родионов

МПК: G01K 7/00

Метки: пленок, полимерных, процессе, твч-нагрева, температуры

...камерырабочего конденсатора установки через отверстия в неподвижной плитеи подключаются к вторичному прибору, 40тд пленочный датчик 3 на заземленный электрод 1 устанавливают одиниэ образцов свариваемого материала 4,на пленочный датчик (сверху) - второй образец.К высокопотенциальному электроду (пластине 2) подвоцится высокочастотная энергия и производитсянагрев полимерных пленок так, какэто осуществляется при сварке. Температура, достигаемая в процессе на 50грева, регистрируется вторичным прибором.Для того, чтобы датчик це вносилсущественных искажений в тепловойрежим системы ВЧ-нагрева, необходимо55соблюдать определенные соотношениямежду толщиной датчика и расстоянием.между электродами.Прц одцородцом тецловыделеции профипь...

Номер патента: 336537

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гаджиев, Гарибов, Гусейнов, Лещинский

МПК: G01K 7/22

Метки: датчика, температуры, чувствительный, элемент

...состоящей из транзистора стора Кком и емкости изменяется от 530 до 350 к ме лавинног зуют времязат температуры ора 1 и соотгенератора, ы от - 50 до няется линеймер, в схеме,2 Т 312 Б, рези аф, частота 5 ед и ет из о бр етения нного диффум режиме раэлемента дат. Применение инверсно включзионного транзистора в лавинн 20 боты в качестве чувствительногочика температуры. схема описываемого иффузионного трап еже показ стоящего тчик Изобретение относится к технике измере ния температуры.Известные датчики температуры, выполненные на полупроводниковых приборах, имеют резко нелинейную зависимость от температуры, большой разброс параметров, Поэтому их нельзя применять для точных измерений.Предлагаемый датчик отличается тем, что в качестве элемента,...

Номер патента: 247557

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Краснопёрое, Люта, Самсонов

МПК: G01K 11/20

Метки: датчика, температуры, чувствительный, элемент

...люминесцентных свойств порошкообразного нитрида галлия даг 1) была выявлена определенная зависимость между интенсивностью фотолюминесценции и температурой образцов. Возбуждение нитрида галлия проводилось ультрафиолетовым потоком ртутной лампы,На чертеже представлен график зависимости интенсивности фотолюминесценции от температуры образцов нитрида галлия.При повышении температуры от - 196 С (температура жидкого азота) до +50 С интенсивность фотолюминесценции пропорционально нарастает, а дальнейшее повышение температуры от +50 С д ет пропорциональный спад олюминесценции.Представленная на чертеже кривая является 5 практически симметричной относительно максимума +50 С и может быть использована для создания датчика температуры в интервале...