Способ обработки герметизированных магнитоуправляелых контактов

Номер патента: 394864

Автор: Спиридонов

ZIP архив

Текст

9486 О П ИЗО Союз Советски оциалистицески Республ ЕТЕН И СВИДЕТЕЛЬСТВ К АВТОРСК 111;1; 11 ЭС Оз ДД , .:ИДС С, , ЦД Л" дявлсцо 18.Ч.19711659986,24.Ч.Кл, Н 011 т 11100 Н 0111 411,003 а я в 1; с; о РИСОЕД;1 НЕЦИЕЗ Гасударствеииыи комитет Савета Министров СССР по делам изобретений и аткрытийПриор тет Опубликовано 22,Ч 1.193. Ьоллстси Лое 3 УДК 621.318.562.3.002,2 с,088.81шя описания 21 Х 11.19 а оп блинова Автор сзобретеиия пиридонов ЗДЯЦИ 1 С,11 СПОСОБ ОБРАБОТКИ ГЕРМЕТИЗИРОВАННЫХ МАГН ИТОУПРАВЛЯЕМЫХ КОНТАКТОВИзобретение относится к технологи:1 изгогдзондиолцениых мдгц;стоъ прдвляемых контактов.Известен способ обраоотки герметизировдццых магнитоуправляемых контактов путем электронной и ионной бомбардировки контактирующих поверхностей контактных пружин, состоящий в возбуждении электрического разряда между ними при приложении переменного напряжения. Величина напряжения, необходимая для возбуждения разряда, зависит от геометрии разрядного промежутка, рода и давления наполняющего газа,Выпускаемые промышленностью магнптоупрдвляемые контакты имеют большой разорос по расстоянию между контактными пружинами. При отсутствии магнитного поля зазор в контактах типа КЭМравен 40 - 80 мкм, в МК- 30 - 60 мкм, в КЭМ- 60 - 100 мклкИз-за несовершенства технологии заварки:1 цдполнеция газом давление от прибора к прибору также меняется. В контактах типа КЭМразброс по давлению имеет пределы 400 - 500 леле рт, ст. Кроме того, при наполнении газом в отдельные приборы может попасть воздух. Изменение состава газового наполнения может произойти также и вследствие негерметпчности отдельных приборов. Поэтому напряжения, необходимые для возбуждения разряда в различных приборах одного 2тиид, рдзличцы. Например, при частоте500 кгц напряжение пробоя магнитоуправляемых ко:тактов типа КЭМимеет разброс впределах 400 - 1500 В, Это сильно затрудняетпроцесс обработки мдгнитоуправляемых контактов путем электронной и ионной бомбардировки и вызывает необходимость использования источников напряжения, чаще всего высокочастотных. с частотой от нескольких сотен10 килогерц до дс;ятков мегогерц, значительноймощности и габаритов, так как с ростом напряжения возретстдют потери мощности и усложняются элемецты схемы. Кроме того, приходится создавать специальную систему защиты15 обслуживдОщс 1 о персонала от тдк 11 х напряжений. Ве это огрдцичивдет применение метода иоццо-плазменной обрдоотки мдпитоуправляемьсх контактов в промышлсином производстве,ЭО Для возбуждения разряда при напряженииниже напряжения пробоя при разомкнутыхконтактных пружинах, уменьшения выходногонапряжения и мощности источника питания иупрощения его конструкции по предлагаемому25 способу мдгнитоуправляемый контакт передначалом обраоотки здмыка 1 от напр 1 п 1 ер,внешн: м магнитным полем, величина которогообеспечизает касание контактирующих повехностец, а в момент приложения переменно 30 го 1 дпряжсцця коцтдкт размыка 1 от.;1,:каа 571 1 а;. Ле 81.рак 80 11 111 Г 11 осярствсного комнтста Совета 1 инистроь СССР ио яслаи ивов етсний и открытий М,.кв Ж 35, Раушска н:б., д. 4150,. Тин. 1,ИсроскоГИ унр:,Гиии и яатсиьств, иосиГрГфнн и кни)ки Г.;,Гк Способ основан на том, что напряжен.с поддержания электрического разряда, в частности высокочастотного, значительно меньше напряжения, необходимого для возбуждения разряда. Например, напряжение горения высокочастотного разряда при частоте порядка 40 мгц между контактирующими поверхностями магнитоуправляемого контакта типа КЭЧсоставляет несколько десятков вольт, в то время как для возбуждения разряда требуется в зависимости от зазора и газового наполнения 400 - 1000 В. В момент приложения переменного напряжения расстояние между контактирующими поверхностями наименьшее (они соприкасаются). Затем это расстояние увеличивается, и контактные пружины возвращаются в положение, которое они занимают прн отсутствии магнитного поля, В момент размыкания контактирующих поверхностей, т. е. когда расстояние мало, возиикает разряд, Напряжение ня электродах магннтоуправляемого контакта резко снижается. Расстояп 11 е между контактирующими поверхностям н продолжает ьозр астать, Гно р язряд между ними нс прекращает.я, тяк как приложенное напряжение оказывается достаточным для поддержания разряда (хотя для возбуждения прн данном расстоянии его явно недостаточно).Способ Осуществля 1 от следующим образом.Г 1 ля улучшения состояния контякт 11 руОщ 11 х поверхностей через магнитоуправляемый контакт, находящийся в разомкнутом состоянии, пропускают импульс высококачественного тока частотой 40 л 1 г 11 и длительностью 0,3 сск, в рс;ультате чего осуществляется нагрев контактирующих поверхностей до 600 - 700 С.Напр 51)кен 1 с проооя для контактов 1 Пя КЭМсоставляет 400 - 1000 В. Однако отдельные мап 1 итоупрявляемые контакты с бол ш;1 м зазором 1 высоким содержанием кистОродя в составе газового Н 1 полисия 1 азоте) не нробнва 1 отся даже прн нянр 51)кении 1200 В. Это не позволяет не только обрабатывать их контактирующие поверхности, но и отбраковывать приборы с высо)оим содержанием К 1 слорода в составе газового наполнения.По предлагаемому спообу магнитоуправляемые контакты помещают в постоянное магнитное поле такой величины, что их контактирующие поверхности замыкаются. На магнито О управляемый контакт подают высокочастотноенапряжение 300 В (вместо 1000 В по старой технологии). Одновременно с подачей этого напряжения магнитное поле снимают. Это осуществляют одной кнопкой управления, В мо мент образования зазора между контактирующими поверхностями возникает электрический разряд, который продолжается и при возвращении контактных пружин в разомкнутое нормальное состояние,20 Таким образом, за счет введения новой операции,в технологический процесс используемое высокочастотное напряжснне снижается в несколько раз, что позвое упростить КО 11 струкцию генератора и систему защиты обслу живающего персонала. Способ обработки герметизпрованных маг.00 нитоуправляемых контактов путем электронной и ионной бомбардировки, контактирующих поверхностей, сослоящий в возбуждени электрического разряда между ними при нрнложенп:1 переменного напряжения, отличающийся тем, что, с цельо возбуждения разряда прн япряжснии ниже напряжения пробоя при р 1130 мкнтых контектпых нпжив ах ипрощения оборудования, магнитоуправляемый контакт перед началом обработки замыкают, па пример, внешним магнитным полем, а в моментприложения переменного напряжения контакт Р 11 3 . Ы 1 Е и 10 Т,

Смотреть

Заявка

1659986

Ю. С. Спиридонов

МПК / Метки

МПК: H01H 11/00, H01H 49/00

Метки: герметизированных, контактов, магнитоуправляелых

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-394864-sposob-obrabotki-germetizirovannykh-magnitoupravlyaelykh-kontaktov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки герметизированных магнитоуправляелых контактов</a>

Похожие патенты