Магнитосопротивление

"=-оЮаняяИА" ..1,КЦ.Ц 1 А ,.иотена МБ,о ОП ИСАНИЕ 373 б 52 Союз Советских Социалистических РеспубликКомитет по делам ивобретевий и открытий при Совете Министров СССРАвторизобретения Ю, Н. Жуков Томский институт радиоэлектроники и электронной техникиЗаявитель МАГН ИТОСОПРОТИВД ЕНИЕ Изобретение относится к бссконтактным элементам автоматики и датчикам систем визуализации.Известные высокоэффективные бесконтактные магнитосопротивления (например диск Корбино или харлоу) не дают возможности фиксировать распределение величины потока В их плоскости.Для преобразования пространствешюго распределеного магнитного потока, проходящего через плоскость, в пространственно распределенную проводимость в той же плоскости и для облегчения визуализации распределения магнитного потока один .из электродов предлагаемого магнитосопротивления выполнен из немагнитного проводящего материала в виде сеточной структуры с ячейками, заполненными полупроводниковым пленочным материалом, при этом в центральную часть каждой ячейки вставлены проводящие электроды -- выводы. Для уменьшения паразитных токов и повышения чувствительности к переменным магнитным полям сеточная структура с ячейками имеет сквозные пазы вдоль каждого ряда ячеек, при этом пазы залиты жестким диэлектрическим компаундом,На чертеже показано описываемое магнитосопротивление, включающее в себя ячеистый электрод /, электроды-выводы 2 и полупроводниковые диски 3. Ячеистый электрод 1 Вдоль аждого ряда ячеек имеет узкие сквозпыс щели 4, залитые жестким диэлектрическим компаундом.Размеры ячеистого электрода, количество и б размеры его ячеек, а также полупроводнновый материал дисков выбирают, исходя из требований к разрешающей способности и чувствительности предлагаемого магнитосопротивления.1 о Устройство работает следующим образом.Исследуемый магнитный поток пронзаетплоскости ячеистого электрода таким образом, что через каждую ячейку проходит та пли иная доля этого магнитного потока, вы зывая, согласно эффекту Гаусса, соответствующее изменение проводимости полупроводниового материала в зоне каждой ячейки. Таким образом, в плоскости ячеистого электрода образуется рельеф проводимостей, Всличи на которого зависит от величины магнитногополя и свойств полупроводпиового материала.Распределение этой проводимости в плоскости ячеистого электрода будет соотвстство 2 б вать распределению магнитного поля в этойже плоскости, а разрешающая способность зависит от размеров ячеек и их количества.Подсоединяя, например, измеритель проводимости Одним полюсом к ячеистомх. элсктро ду, а вторым поочередно - ко всем элстро373652 Предмет изобретения А-А оставитель Т. Афонин ректор Л. Царькова едактор С. Хейфиц огдано Тираж 755 Подписное крытий при Совете Министров СССР ая наб., д. 4/5 Заказ 2519 Изд.1280ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений 1Москва, Ж.35, Рауш л, тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговлг дам-выводам, можно количественно оценить величину проводимости каждой ячейки, а следовательно, получить информацию о рельефе проводимостей ячеек для всего ячеистого электрода в целом.Таким образом, через фиксирование рельефа проводимостей можно осуществить и визуализацию пространственного распределения магнитного потока.. 1. Магнитосопротивление, содержащее электроды и расположенную между ними полупроводниковую пластину, отличаюи 1 ееся тем, что, с целью преобразования пространственного распределенного магнитного потока, проходящего через плоскость, в пространственно распределенную проводимость в той же плоскости и с целью облегчения визуализации распределения магнитного потока, один из элек тродов выполнен из немагнитного проводящего материала в виде сеточной структуры с ячейками,заплоненными полупроводниковым пленочным материалом, при этом в центральную часть каждой ячейки вставлены проводя щие электроды - выводы.2. Магнитосопротивление по п. 1, отличаюи(ееся тем, что, с целью уменьшения паразитных токов и повышения чувствительности к переменным магнитным полям, сеточная 15 структура с ячейками имеет сквозные пазывдоль каждого пяда ячеек, при этом пазы зачиты жестким диэлектрическим компаундом.