Вспсоюзная пат1тгш”тю; г-ка-

Номер патента: 1577031

Опубликовано: 07.07.1990

Автор: Антонян

МПК: H02M 7/537

Метки: инвертора, стойки, транзисторами

...узла 3 1 формирования ца вход. усилителей 4 и 5 соответствующие транзисторы 10-13 25 находятся в проводяцем состоянии. Ь промежутке времени провоДящего состояния режим силового транзистора 10 (11) стойки ицвертора поддерживается на грани цасьицеция с целью .увеличения 30 быстродействия прц его запирации и, следовательно, уменьшении коммутационных потерь в цем, Указанный режим си - лового,трацзистора 10(11) обеспечивается целицеццой отрицательной обратной связью с его коллектора на базу через соответствующий диод 14(15) и база-эмцттерцый переход транзистора 12(13), находящегося в проводящем состоянии. Благодаря указанной отри цательной связи устанавливается такое значение тока базы силового транзистора 1.0(11) стойки инвертора,...

Номер патента: 1777150

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Грабовский, Ильина, Фомичев

МПК: G06F 15/20

Метки: задачи, объектов, работы, решения, связи, сети, синхронизации

...потенциал на выходе инвертора 94 открцвает элемент И 90, а синхроимпульс с входа 55,2 блока 55 поступает на установочныйвход триггера 84, переводя его в единичноесостояние. Высокий потенциал с прямого выходатриггера 84 через элемент ИЛИ 93 и элемент задержки 96 поступает на возвратный входтриггера 84, устанавливая его в нулевое состояние, а счетчик 98 сосчитает импульс, сформированный на прямом выходе триггера 84, Кроме того, импульс с выхода триггера 84 через выход 55.6 блока 55 поступает на возвратный вход триггера 20, через элементы ИЛИ 46 на возвратные входы триггеров регистра 2.1, переводя их в нулевое состояние, и на установочный входтриггера 14, высокий потенциал с выхода которогоподается на установочный вход триггера 10,...

Номер патента: 657274

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Давыденко, Калайда

МПК: G01K 7/16

Метки: мостом, обмотки, преобразовательным, средней, схеме, температуры, трансформатора

...собой на половину пе"риода и противоположно направлены.В момент времени О = О, чему на фиг,2 соответствует пересечение фазной ЭДС Фазы А с фазной ЭДС Фазы С, на вентиле В 2 появляется положительное анодное напряжение, в момент времени О =д-, называемый углом зажигания, на. управляющую сетку 5 вентиля В 2 подается положительный импульс напряжения и 40 через вентиль В 2 начинает протекать ток, которьФ достигает величины 1 д (выпрямленный ток) эа время , называемое углом коммутации.В промежутке от О = Ф +) до 452"1)=д,+ з 1 по вентильной обмотке протекает выпрямленный ток 1 д, в момент времени 9 =д.+ - % зажигается вен 23тиль В 4 и погасает вентиль В 2, Ток в вентильной обмотке 2 за время коммутации, равное, убывает от Ядо О . Аналогично...

Номер патента: 731513

Опубликовано: 30.04.1980

Автор: Абраменков

МПК: H02H 3/28

Метки: защиты, компенсационной, обмотками, регулировочной, трансформатора

...напряжения - 13 - 15 и 16 - 18 в цепях компенсационных обмоток. Выходы датчиков тока одноименных цепей соединены согласно-параллельно. При этом общие выходы датчиков сторон высшего и среднего напряжений соединены между собой встречно-параллельно и подключены к тормозной обмотке 19 реле 20, Общий выход датчиков 16 - 18 подключен к рабочей обмотке 21 реле 20, а в цепи каждого отдельного датчика 16 - 18 включен один из входов органа 22 сравнения абсолютных величин (избирателя цепи с наибольшим током), имеющего число входов и выходов, равное числу автотрансформаторов. Выход реле 20 подключен к первым входам логических элементов И 23 - 25, К вторым входам логических элементов подключены соответствующие выходы органа сравнения абсолютных...

Номер патента: 1089726

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Гончаров, Греул, Ересько, Заика, Кривошеев

МПК: H02M 1/08

Метки: высокочастотного, инвертора, силовыми, транзисторами

...х транзисторов 13 и 1 ч в противофазе т а базу транзистора, которыйбь 1 ть В дальныйключен, например транзистор ч, поступает запиракщее напряжение с величиной, равной падению напряжения на базе провоцящего транзистора 13, что составляет порядка 1-1,5 В. Тем самым овьшается нагрузочная способность транзисторов 13 и 17 л по напряжению и снижается вероятность вторичного пробоя. После изменения полярности така ан вначале протекает в базе заканчивающего свою работу транзисто1089726 40 45 50 ра 13, обеспечивая форсированное рассасывание носителей. До окончанияэтого процесса транзистор 14 невключается, поскольку падение напряжения на базо-эмиттерном переходетранзистора 13 до окончания рассасывания носителей близко к нулю и поэтому...