Всесоюзная патенгйо-гехййчесау

Солта Советских Социалистических РеспуолинЗависимое от авт. вцдетельствавлено 29.Ч.1969 ( 1,333688 г 2 М. Кл. Н 01 с 17,0Н 01 г 508 Н 01 г 110 тем заявкис присос. тцце Номитет ло аела Приорит аобретений и открытийори Совете МинистровСССР К 621316.84-18 (088,8) публиков ень3за 1973 72. Бюлл описания 6.11.1 Дата опубликовани Авторы зобретециявязи явитель СОБ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ МИКРОПРОВОДА В СТЕКЛЯННОЙ ИЗОЛЯЦИИ С ТОКОПОДВОДОМ Известен способ электрического соединения микропровода в стеклянцой изоляции с токо- подводом, используемый, например, при изготовлении резисторов, по которому микропровод в изоляции укладывают на токоподвод, 5 наносят на него электропроводящее покрытие и разрушают стеклянную изоляцию,Целью изобретения является повышение качества электрического соединения.Для этого по предложецному способу мпк ропровод укладывают в механически напряженном состоянии и покрытие наносят гальваническим осаждением.Для осуществления предложенного способа предварительно создают микротрещццы в цзо Б ляции, укладывая микропровод на основание таким образом, чтобы на отдельных участках зоны контакта радиус изгиба микропровода был порядка 50 - 100 радиусов микропровода.К токоподводам присоединяют микропрово да диаметром 10 - 30 мк с жилой из меди и из различных сплавов сопротивления. 1-1 а электропроводящие участки основания, на которые намотан микропровод, гальванически осаждают медь. Осуществляют это в растворе 25 сернокислой меди (250 г/л) и серной кислоты (20 г/л) при плотности тока 4 а/дм в течение 10 лшн при комнатной температуре. Прц наличии поверхностных микротрещин в стеклянной изоляции надежный электрический БО контакт получают в процессе осаждения, поскольку изоляция провода, лежащего на электропроводящем участке, разрушается полностью. Для получения микротрещин в зоне контактного узла микропровод наматывают на основание достаточно малого диаметра. Например, при диаметре основания в зоне контактного узла 1 лтм надежный электрический контакт получают во всех случаях. Если этот диаметр равен 5 лтм, то коцтакт получают примерно в 20 стто образцов.Прц проведении экспериментов цо гальваническому осажденшо серебра, которое дает контакты ца значительно больших диаметрах, хотя менее удобно по технологическим и экономическим соображениям, непосредственно к осажденному металлу прцваривают либо припацвают проволочные или ленточные выводы. Прц коцтактцрованиц к микропроводу диаметром 10 мк ц мецее применяют намотку нспосредствеццо ца проволочные выводы, предварительно прикрепленные к основанию (диаметр вывода 0,4 - О,б,им, диаметр основания 1 - 2 мл). Перед гальвацическим осаждением микропровод на основании покрыватс 1 защитным лаком.При отсутствии микротрещин в стеклянной изоляции, погруженной в слой гальваническц осажденного металла, контакт осуществляют посредством сварки. Между двумя участкамн363124 Предмет изобретения Составитель Л, КарцеваРедактор Е. Кравцова Техред Т. Миронова Корректоры: Н. Аук и А, Дзесова Заказ 182/12 Изд.67 Тираж 404 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 осажденного металла создают разность потенциалов от 100 до 1000 в, в результате чего изоляция пробивается и возникающая электрическая дуга обеспечивает получение надежного контактного узла, Внутреннее сопротивление источника напряжения подбирают таким образом, чтобы сварочный ток, протекающий по цепи: осажденный металл - жила микро- провода - осажденный металл, не превышал допустимых для этого микропровода значений, Используют как постоянное, так и импульсное напряжения. Импульсное напряжение дает несколько лучшие результаты, Путем механического воздействия на осажденный металл в зоне контактного узла удается уменьшить сварочное напряжение до 10 в и менее. Гальваническое осаждение металла проводят одновременно на большом количестве изделий, что позволяет добиться высокой производительности труда на этой операции.Предложенный способ прост в осуществлении и не требует специального оборудования.5 Способ электрического соединения микро провода в стеклянной изоляции с токоподводом, по которому микропровод в изоляции укладывают на токоподвод, наносят на него электропроводящее покрытие, и разрушают стеклянную изоляцию, отличающийся тем, что, 15 с целью повышения качества электрическогосоединения, микропровод укладывают в механически напряженном состоянии и покрытие наносят гальваническим осаждением.