360036

Номер патента: 729989

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Гитерман, Ольховой, Остапенко, Пнев, Шлихтер

МПК: C08F 114/06, G05D 23/00

Метки: винилхлорида, полимеризации, процесса, режимом, суспензионной, температурным

...и теоретическими исследованиями установлен тотфакт, что тепловыделение в реакторе.на стадии разогрева за счет начавшейся реакции с ростом температурыпосле нагрева, например, на 1-2 Сйвозрастает далее линейно. При этомустановлено, что отношение приростатепловыделения к приросту температу.;ры в реакторе. т.е. скорость тепловыделения по температуре, однозначнохарактеризует активность загруженного количества катализатора, Меройтепловыделения является величина,зависящая от разности температур вреакторе и рубашке.На чертеже приведена принципиаль -ная схема системы автоматическогоуправления, реализующая предлагаемыйспособ,В реакторе 1, снабженным рубашкой2, установлены датчик 3 температурыреакционноймассы, датчик 4 температуры...

Номер патента: 495558

Опубликовано: 15.12.1975

Автор: Иванов

МПК: G01K 11/06

Метки: контролируемой, поля, среде, температурного

...на поверхности наиболее холодных участков, на более теплых участках остаются лишь адсорбционные слои. При подключении к матрице напряжения У источника 2 по поверхности каждой грани начинает протекать ток, Чем больше толщина пленки на данном участке, тем меньше сопротивление этого участка. Поэтому при включении напряжения через наиболее холодные участки протекает наибольший ток, на них выделяется наибольшая мощность Р= -- . Внутренняя поверхность ампулыУлсоединена с наружной поверхностью, находящейся при температуре контролируемой среды, через некоторое, отличное от нуля, тепловое сопротивление. Выделяемая на внутренней поверхности мощность приводит к увеличению температуры, в первую очередь, наиболее холодных участков. Если...

Номер патента: 1002761

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Зотов, Машанов, Сохнев

МПК: F25J 3/04

Метки: азотно-водяного, газа, охлаждения, разделения, режима, температурного, установки

...панс, который определяют по рассогласованию 20 величины заданной температуры воздуха, по которой автоматически возникает рассогласование с программной величиной расхода циркуляционной воды. Отработку этого рассогласования 25 осуществляют воздействием на программное задание расхода регулятором 7, после чего осуществляют воздействие на циркуляционный поток воды трубопровода 10 в азотно-водяном охлажде- ЗО нии установки регулятором 6.При дебалансе рабочего количества воды в азотно-водяном охлаждении изменяют величину суммы Н уровней в скрубберах. Отработку этого рассогла- з сования осуществляют воздействием наподпитывающий поток воды в трубопроводе 9 регулятором 5 расхода.Необходимым условием поддержания температурного режима установки...

Номер патента: 1690611

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Бритвин, Коркин, Панкратов, Стяжкин

МПК: A01G 9/26

Метки: оптимизации, растений, фотосинтеза

...открытия тиристоров, при этом зашунтированная часть резистора 346 включена параллельно замыкающему с задержкой т 2 контакту 222 реле 22 задержки смещения фазы открытия тиристоров, выход высокочастотного генератора 34 подключен к счетным входам шестиразрядных счетчиков 57 формирователей 35 импульсов всех трех фаз,Формирователь 35 (фиг. 4) импульсов блока 8 импульсно-фазового управления содержит последовательно включенные ис 5 10 15 20 точник 54 питания микросхем, источник 55 сигнала синхронизации, генератор 56 обнуляющих импульсов, счетчик 57 импульсов и заторможенный генератор 58 высокочастотных импульсов, при этом выход высокочастотного генератора 34 импульсов соединен со счетным входом счетчиков 57 формирователей импульсов каждой из...

Номер патента: 1147540

Опубликовано: 30.03.1985

Автор: Собко

МПК: B23K 28/00

Метки: оптимальных, подбора, режимов, сварки

...осуществляют на. Режимах,обеспечивающих плоский корень шва.На фиг.1. и 2 изображены схемыФормирования зон нагрева валиковымишвами; на фиг.3 - валиковый шов,поперечное сечение; на Фиг.4 - полераспределения контурных .линий твердости.: На плоский образец 1 путем воздействия источника локально-концейгрированной энергии наплавляют .валик 2.Нагрев образца 1 производятперпендикулярно оплавляемой поверхности и при таких режимах, чтобы у иаплавленноговалика 2 корень 3 былплоским. Эти условия позволяют соз-дать равномерное распределение вплоскости образца различных структурных зон в направлении ОУ в соответствии с определенным воздействием температурных полей.Первоначальный нагрев образца осуществляют с целью имитации интервала различных...