354370

Сосе саветскик Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства Мз Заявлено 16,Х 11.1989 ( 1388043/24-7) Ч. Кл. 6 11 31/00 Н 01 м 11 00присоединением заявки М риоритетпублпковано 09.Х.19 Комитет па делам изобретеНий и открытий при Совете Министров СССРУДЬ, 53.312.621088.8) ата опублискованпя описания 27.Х.1 вто 1 В; ЕСу Г 1с 1,л 11 Г, Свало 1 зооретспи Ф у аявитель ПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАВИСИМОСТИ КР ТОКА ОБРАЗЦА СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО И ОТ НА П РЯМ(Е Н НОСТИ МА ГН ИТ НО ГО ИЧЕСКОДЕЛ ИЯОЛЯ на- озонно яние но мер, нно- спов 1 а12 едно1 СОПредлокенный способ относится к определению критических параметров сверхпроводящих кабельных изделий и мокет использоваться, в частности, при испытаниях и припроектировании новых сверхпроводящих кабельных изделий.Известны способы определения зависимостикритического тока образца сверхпроводящегоизделия От напряженности магнитного поля,основанные на размещении образца внутрисоленоида, генериру 1 ощего магнитное поле,пропусканип по образцу регулируемого тока,измерении этого тока и напряженности магнитного поля в зоне образца в момент перехода его в нормальное состояние.Однако извесгные способы не позволяютучитывать деградационные эффекты, имеющие место в условиях эксплуатации.Цель изобретен пч - получение возможности учета деградацнонного эффекта,Это достигается тем, что образец подключают последовательно с обмоткой соленоида, аизмерения осуществля 1 от при его размещениипоочередно в разных точках по оси соленоида.Иа фиг. 1 схематично показано устройстводля осуществления предлокепного способа;на фпг. 2 приведены зависимости критического тока от напряженности магнитного поля,определенные известным и предложеннымспособами. Образец 1 размещается внутри измерительо 1 ого с 1 лснот 1 да 2 так, что участОк,3 Образца, перпендикулярный к магнитному поло соленоида, находится в одной из точек на оси со леноида. Образец соединяют последовательнос обмоткой 4 соленоида. По образовавшейся пепи пропускают регулируемый ток от источника 1 н 1 сртеже не показан) . Гри этОм ток и напряженность магнитного поля в области О чистка00 разпа и;мсн 51 Отс сппхроннО,имитируя электромагнитные условия, близкие к реальным, имеющим место при эксплуатации сверхпроводящего изделия. 5 Поскольку нормальная составляющая пряженности магнитного поля соленоида,действующего на образец, максимальна участка 3 образца изменяются спнхр перехода образца в нормальное состо О происходит на этом же участке. В момент перехода образца в нормал состояние фиксируемые прибором, напри подкл 10 ченным к потенциальным вывода б, значения к 1 итческого тока и напряжс. 5 стп магнитного поля измерякт известным собом. Для определения критического тока в нитных полях различной напряженности сток испытываемого образца поочер 30 фиксируют в положениях 7, 8 и т. д. по ос."7,ставителв И. БорисовТехред Т. Курилко Гордее Корректор Куирякова то Заказ 35804 Изд.477 Тирак 400 ПодписноеЦНИИПИ Комитега по дотам из,гбрстеиий и открятив ири Совете Министров СССР Москва, Ж.35, Раушская иаб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунова леноида, производя в каждой точке измерения.С целью имитации теплового режима работы сверхпроводящего кабельного изделия испытываемый образец помещают в среду 9, теплопроводность которой подбирают из условий эквивалентности теплопередачи, теплопсредаче в условиях реальной эксплоатации,В качестве измеригельного соленоида преимущественно используют сверхпроводящую магнитную систему. Однако предлокенный способ может быть реализован и в устройстве с обычным электромагнитом.Зависимости критического тока от напряженности магнитного поля (см. фиг. 2) показывают, что измеренная предложенным способом характеристика 10, учитывающая дсградационный эффект, лежит ниже характеристики 11, снятой известным способом. Например, критические токи, измеренные на образце из сплава 65 БТ в магнитном поле напряженностью 10 - 60 КЭ, с учетом эффекта деградации соответственно на 40 - 10 во меньше измеренных известным способом.Рабочая характеристика соленоида, изготовленного из сверхпроводящего кабельного изделия, совпадает с кривой 11 (точка 12),Предмет изобретенияСпособ определения зависимости критиче ского тока образца сверхпроводящего изделияот апрякенпости магнитного поля, основаниий на размещении образца внутри соленоида, генерирующего магнитное поле, пропускании по образцу регулируемого тока, измерс нии этого тока и напрякенности магнитногополя в зоне образца в момент перехода его в нормальное сосгояние, отличатощийся тем, что, с цслью возмокности учета дсградационного эффекта, образец подключают последо вательно с обмоткой соленоида и фиксируютпоочередно в разных точках по оси соленоида.