Устройство для обнаружения обрывов в кабеле

349096 Союз Соеетскиз Социалистических Республик. Кл. Н 031 5/18 Заявлено присоединением заявкиПриоритет Комитет по деламизобретений и открыт ДК 621.374,33(088,8) 972, Бюллетень25 Опубликовано 23 Дата опубликова ри Сосете Министрое СССРописания 13.1 Х.19 вторызобретен Н. Н. Какаулин азаро Заявитель СТРОЙСТВО ОБНАРУЖЕНИЯ ОБРЫВОВ В КАБЕЛ Изобретение относится к импульснои технике и может быть использовано для обнаружения обрывов в кабеле в электронной дискретной технике, технике измерений и связи.Известны устройства для обнаружения обрывов в кабеле, содержащие усилитель на транзисторе р-и-р-типа и селектор на транзисторе п-р-гг- или р-п-р-типа.Недостатки известных устройств сосгоят в сложности и невысокой надежности их из-за большого количества радиоэлементов; трансформаторов, резисторов, диодов, конденсаторов, включенных между усилителем и селектором.Целью изобретения является повышение надежности и упрощение устройства.Цель достигается тем, что базово-эмиттерный переход транзистора селектора подсоединен к коллекторно-эмиттерному переходу транзистора усилителя.Принципиальная схема устройства для обнаружения обрывов в кабеле изображена на фиг. 1 и фиг. 2, причем на фиг. 1 усилитель и селектор выполнены на транзисторах одинакового типа проводимости, а на фиг. 2 - на транзисторах противоположного типа проводимости.Устройство содержит усилитель на транзисторе 1 р-п-р-типа проводимости и селектор на транзисторе 2 р-п-р-(фиг. 1) или и-р-п-(фиг. 2) типа проводимости, с коллекторной нагрузки которого - резистора 3 - снимается отраженный импульс. Проверяемый кабель 4 подключается к эмиттеру транзистора 2 селектора.5 Базово-эмиттерный переход транзистора 2 селектора подсоединен непосредственно к коллекторно-эмиттерному переходу транзистора 1 усилителя. Резистор 3 может отсутствовать, если входное сопротивление потребигеля сиг нала селектора того же порядка, что и сопро 1 ивление резистора 3 (500 в 10 ом),Работает устройство следующим образом(см, фиг. 1).В исходном состоянии, до передачи сигнала 15 по кабелю, транзистор 2 не запитан, так кактранзистор 1 закрыт, а в кабеле запасенной энергии еще нет. Г 1 ри передаче сигнала по кабелю транзистор 1 открывается, но транзистор 2 до прихода отраженного импульса остается за крытым, так как на его базе относительноэмиттера действует запирающее напряжение УЗяп определяемое падением напряжения на внутреннем сопротивлении транзистора 1. Это сопротивление выполняет роль сопротивлечия 25 отрицательной обратной связи в эмиттернойцепи транзистора селектора, и благодаря этой связи зондирующий сигнал не проходит на выход селектора.Для тока отраженного сигнала, протекаюЗ 0 щего по кабелю в направлении, противопо349096 Предмет изобретения Здн 3 цруюш,аа согнал Составитель Г. Челей дактор Т. Орловская Текрсд Л, Богданова Корректор Е. Мироновааказ 3004/6 Изд.1248 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4,5 ипография, пр. Сапунова, 2 ложном направлению тока зондирующего сигнала, отрицательная обратная связь в селекторе не действует, а протекание этого тока через транзистор т не только значительно уменьшает запирающее напряженпс Е,ав, но и может изменить полярность этого напряжения.Отраженный ток обратного направления при сопротивлении нагрузки, большем волнового сопротивления кабеля, возникает при первом же отражении, а при сопротивлении нагрузки, меньшем волнового сопротивления кабеля, - только после прекращения зондирующего импульса. Поэтому время появления отраженных импульсов на выходе селектора зависит от вида рассогласования в кабеле на дальнем конце его. Длительность выделенных отраженных импульсов, равно как и задержка их относительно фронта зондирующего импульса, определяется выражением: где 1 - длина кабеля.5 о - скорость распространения волны в кабеле. 10 Устройство для обнаружения обрывов в кабеле, содержащее усилитель на транзисторе р-п-р-типа проводимости и селектор на транзисторе п-р-п- или р-п-р-типа, электроды которых подсоединены к входному концу кабеля, 15 отличающееся тем, что, с целью повышениянадежности и упрощения устройства, базовоэмиттерный переход транзистора селектора подсоединен непосредственно к коллекторноэмиттерному переходу транзистора усилителя,