Устройство для измерения удельного

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик О П И С А Н И Е 347693ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ зависимое от авт. свидетельства ЪеЗаявлено 14.Х,1970 ( 1495922/26-9с присоединением заявки ЛЪ -. Кл, 6 01 г 27,28 Комитет оо делам изооретений и открытий ори Совете Министров СССР(088.8) Дата опубликования описания 15.Х 1.1 вторызобретения Н, Данилов ве ев явитель УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО ОП РОТИ ВЛ ЕНИЯ ВЪСОКООМН ЫХ ПОЛУП РО ВОД Н И КОВ ЫХ МАТЕРИАЛОВ И ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКАИзобретеняе может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов из слитка полупроводникового материала.Известно устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводвиковых материалов и времени жизни свободных носителей тока, содержащее СВЧ- генератор, аттенюатор, вентиль, волномер, детекторную секцию, индикаторное устройство, источник света и осциллограф. Точность измерения такого увследствие слабой зависимости коэта отражения от величины удельнотивления материала невысокая.Цель изобретения - йовышение точности измерегрия,Это достигается тем, что исследуемый образец помещают в запредельный волновод с резонансным штырем и освещают модулированным пучком света через малое отверстие,На фиг. 1 показана блок-схема устройства; на фиг. 2 - конструкция резонатора с исследуемым образцом.Устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и времени жизни свободных носителей тока содержит СВЧгенератор 1, вентиль 2, аттенюатор 3, резонатор 4 с исследуемым образцом, источник 5 света, волномер б, детекторную секцию 7, иустройство 8 и осциллограф 9.Исследуемьш образец 10 помещен в запредельный волновод 11 с резонансным шты рем 12, которые образуют резонатор 4, и через малое отверстие 13 освещен модулированным пучком света. Связь резонатора с детекторной секцией осуществляют через петлю 14 связи, а с СВЧ-генератором - через петлю 15 связи. Исследуемый полупроводниковый образец закрепляют и перемещают с помощью устройства 1 б. Для подстройки частоты резонатора используют поршень 17,Диаметр отверстия 13 значительно меньше диаметра торца резонансного штыря 12, поэтому излучением СВЧ-мощностп через это отверстие можно пренебречь. Электрическое поле резонатора 4 практически полностью сосредоточено в зазоре между стенкой волновода 11 и торцом штыря 12, и, таким образом, исследуемый образец оказывается включенным в СВЧ-поле резонатора.Измерение удельного сопровивления образца основано на измерении полосы пропускания резонатора с полупроводниковым материалом и без него с помощью волномера б и индикаторного устройства 8. Удельное сопротивление полупроводникового матернала опт ределяют по формуле;Рог сз Составитель Г. Челей 3. Тараиен Редактор орректоры Т. Китаева и Н. Прокуратова зава аказ 396/1557 Изд. Юф 1121 Тираж 406 ПодписноеНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д, 4/5 и, Харьк. фил. пред. сПатент. где ф - полоса пропускания резонатора собразцом;Ьр - полоса пропускания резонаторабез образца;е - диэлектрическая проницаемость образца,Измеренное значение соответствует усредненному удельному сопротивлению объема,заключенного между торцом штыря и широкой стенкой волновода, Перемещая образецс помощью устройства 1 б, измеряют степеньнеоднородности удельного сопротивления полупроводникового материала,Время жизни основных носителей тока измеряют по спаду фотоответа при освещении образца короткими импульсами света через малое отверстие в стенке волновода, Воз. буждение свободных носителей в полупроводнике увеличивает потери резонатора, что приводит к модуляции СВЧ-сигнала, поступающего на детекторную секцию. Сигнал фотоответа с выхода детекторной секции попадает на осциллограф. По времени спада фотоответа определяют время жизни основных носителей тока полупроводникового материала.Устройство позволяет также измерять параметры диэлектрических материалов, диэлектрическую проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь на СВЧ.10 Предмет изобретенияУстройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и времени жизни свободных носителей тока, содержащее СВЧ-,генератор, 15 аттенюатор, вентиль, волномер, детекторнуюсеицию, индикаторное устройство, источник света и осциллограф, отличающееся. тем, что, с целью повышения точности измерения, резонатор выполнен на запредельном волново де с резонансным штырем, установленнымнад местом расположения исследуемого образца, а в нижней стенке волновода выполнено соосное со штырем отверстие для пучка света, при этом источник света моду лирован.