Пороговый логический элемент

Номер патента: 1374200

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Исаков, Капитонов, Прокопенко, Соколов, Ясюкевич

МПК: G05F 1/56

Метки: источник, опорного

...оФОдЭ 6 Ч Ц от ТПэБ,= оЕ ; о 1(1-Т/Т х ТПэБ 16(к)х где К ВлэП р, 2 П эо и, 1 э 76 16 0 э 6 н (к 1 значение напряженияэмиттер - база притемпературе Т; 3 Е, =1,205 В - экстраполированнаяэ 1 И 1ширина запрещеннойзоны кремния при абсолютном нуле,Выравнивание токов указанных транзисторов осуществляется за счет действия отрицательной обратной связи через регулирующий элемент 1, делитель 5 напряжения и усилитель 7 сигнала рассогласования,Усилитель 7 сигнала рассогласования реализует на своем входе 6 относительно общей шины 11 внутреннее термостабильное опорное напряжениеТ - текущее значение температуры. Температурная стабильность внутреннего опорного напряженияПОП 0 ЭБ Ф 4 + Н17йТ йТ зТ5(О 0 36 4(х + 2 а лНЗБ 1 Ф,юТ КТ.достигается благодаря...

Номер патента: 1781676

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Денисов, Слынько

МПК: G05F 1/56

Метки: источник, опорного

...6 В устройстве, принятом за прототип, форлевого плеча равен сумме эмиттерных токов мируемое таким образом выходное напря- (М) транзисторов группы 7 правого плеча. жение даже при нулевом температурном Это условие обеспечивается резисторов 9, 10 коэффициенте формирователя 1 запрещен- сопротивление которого определяется из ной эоны не может обладать высокой темпе- формулы: ратурной стабильностью, так ка базовыетоки всех М транзисторов формирователя 11 эт 1 запрещенной зоны зависят от температуры где р, - температурный потенциал р-и пе (в несколько раз в диапазоне от минус 60 С рехода (26 мВ); до плюс 85 С) и протекают через резистор М - количество транзисторов в группе 7; " 18, создавая на нем нестабильное напряже - токэмиттера...

Номер патента: 824164

Опубликовано: 23.04.1981

Автор: Круусе

МПК: G05F 1/56

Метки: источник, опорного

...обратной связью, и поэтому для упрощения анализа можно считать, что напряжение на обоих выходах усилителей фактически равны и их температурные дрейфина порядок меньше температурныхкоэффициентов стабилитронов.10 На выходе усилителя б формируется стабилизированное положительноепостоянное напряжение О, а на выходе усилителя 8 отрицательное стабилизированное постоянное напряжение5 7О 8(т) = О(т)+ О 9; (1)О (т) - О О(т),где О, О - падения напряжения на(2.)4 ж щ2 Огде О , О падения напряжения стабилитронов1 и 2, соответственно;О), О 2, О, ОЭ- падения напряже 25 ния диодов 20-23,Р, РЭ, Р , Р.Р - сопРотивлеНия реь Ы 18з ис торов 3 , 4 ,1 3 , 1 6 , 1 4 и 1 8 .Выходные напряжения О , О и тот3 О ки стабилитронов 3 , Э имеют температурную...

Номер патента: 1374451

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Анисимов, Исаков, Капитонов, Соколов

МПК: G05F 1/56

Метки: источник, опорного

...на резисторах 8 и 9.501Компенсирующее. напряжение с положительным температурным дрейфом формируется следующим образом, Транзисторы 1 и 2 имеют разные площади переходом эмиттер - база (Бэ, =МБ , И==3 10), при этом при равных токахколлекторов этих транзисторов (1=напряжений эмиттер - база, имеющая положительный температурный дрейф: Ь Н (Т) =0 (Т) -11 , (Т) - Ри И,1 сТ где Н (Т) - значение напряженияэмиттер - база транзистора;- постоянная Больцмана;о - заряд электрона. и 1 (Т)=1 (Т) х Т 1, (Т) =1 (Т) ( - ) х Т х( - ) Тхй 1; Тгде 3сЗТ 1 (Т) Т-Т и, если 3, ф 6, то разность напряжений эмиттер - база содержит нелинейную составляющую Ь, И) =- -Б, ) - "+ " Т+ "(Т)где Ь = ь 11, (Т)+(8, - Б,) Т" ТФ(Т) =(Р, - 6 ) -Т-Т+ТЬ -х Если выполняются...

Номер патента: 1416958

Опубликовано: 15.08.1988

Автор: Вибе

МПК: G05F 1/56

Метки: источник, опорного

...с напряжением Б 1 д запрещеннойзоны полупроводника, коэффициентомЫ и температурой Т зависимостью Б 1- =ЬэЫ Т, одновременное выполнениеусловий (2) и (4) возможно только втом случае, если коэффициент передачиК э дополнительного делителя выбирает 55ся как отношение значения напряженияо к значению выходного напряжения11 Вых= К,/(К,+К,+К,)передачи делиторах 2, 3 и- коэ ициен резис гд еля ров ирую илительго тран ш- токи коллект ного и компен зисторов; напряжение баусилительного сопротивление ттертора, ра.б; а-э транз резис(5) ц --- + - 1 1 п(1 /1ЮБэ К 2ьнх к 3- температурный потенциал.Ток коллектора усилительного тран-. зистора определяется следующей зави- симостью где К= К 9/(К+ К) - коэффициент передачи дополнительного делителя на...