Блокинг-генератор

Номер патента: 769671

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Луговой

МПК: H01S 3/08

Метки: генератор, излучения, коротковолнового, обратной, связью, точечной

...(например, при коэффициенте усиления не менее ста) является практическая сложность устранения"паразитной" обратной связи возникающЬй за счет отражений от подложекрассматриваемых элементов (или от торцов активного объема, если эти эле"менты нанесены непосредственно наторцы) и нарушающей пространственнуюкогерентность генерируемого излучения,Например, при коэффициентах усиленияче менее 10+104 устранение влиянияпаразитной обратной связи обычно своцится к требованию, чтобы коэффициентотражения от подложек был меньше, чем10 - 10 , что, в свою очередь, трудно осуществимо. Реально это ограничивает достижимую мощность световогопучка.Цель описываемого изобретения состоит н увеличении пространственнойкогерентности излучения при расширении...

Номер патента: 1166290

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Лившин, Тищенко, Шевченко

МПК: H03K 7/08

Метки: модуляции, широтно-импульсной

...содержащем два ключевых генератора на транзисторах и соответствующие им основные формирователи импульсов, первые выводы выходных обмотоктрансформаторов которых через диоды подключены к входам соответствующих генераторов, и дополнительные формирователи, вторые выводы выходных обмоток трансформатора формирователя импульсов первого ключевого генератора соединены через выходные обмотки трансформатора дополнительного формирователя импульсов второго генератора с общей шиной, а вторые выводы выходных обмоток трансформатора формирователя импульсов второго ключевого генератора соединены через выходные обмотки трансформатора дополнительного формирователя импульсов первого ключевого генератора с общей шиной.На чертеже приведена принципиальная...

Номер патента: 561948

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Цодиков, Штерн

МПК: G05F 1/56

Метки: источник, напряжений, постоянных, стабилизированный

...вызывая запирание транзистора Тз. Аналогично будут управляться и транзисторы тех последующих каналов, которые могут и не иметь общей точки с первыми пятью каналами по выходу и у которых переход база - эмиттер присоединен к дополчительной обмотке одного из дросселей предыдущих каналов. Так, например, транзистор этого канала Т, управляется импульсами прямоугольной формы дополнительной обмотки дросселя Дрз. При этом, если Тю - транзистор и - р - и типа, то база должна быть присоединена к началу обмотки, как на фиг, 1, а эмиттер - к концу. Если Тю - транзистор р - а - р типа, как на фиг, 2, то база его должна быть присоединена к концу обмотки. Транзистор Тю может управляться так же и импульсами дополнительной обмотки Др 1 при...

Номер патента: 180688

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Гольденталь, Латышко

МПК: H02M 1/04

Метки: ионными, преобразователял1и, сеточного

...на протяжении которой энергия поступает от источника питания И 1. Отрицательная же полуволна напряжения является пассивной, так как в период ее действия источник питания отключен, а защитный контур управляет процессом гашения небольшого количества энергии, запасенного в сеточном трансформаторе данной фазы за период генерирования положительного сеточного импульса. Введение указанной выше индуктивной связи между фазами пикгенератора позволяет сделать активной и отрицательную полуволну сеточного напряжения за счет подвода энергии (с помощью магнитного потока) от соседней фазы, у которой в этот момент индуктируется положительный пик (т, е. у которой первичная обмотка У, подключена к источнику питания И,). Магнитный поток в каждом стержне...

Номер патента: 165767

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Лощинин

МПК: H03K 3/30

Метки: блокинг-генератор, высокостабильный, двух, ждущий, транзисторах

...и сопротивление 7 отрицательного запускающего импульса транзистор 1 открывается. На коллекторе транзистора 1 возникает положительный импульс, который через сопротивление 9 и конденсатор 10 передается на базу ранзистора 5 и открывает его, При этом на коллекторе транзистора 5 появляется отрицательный импульс, который трансформируется через обмотки трансформатора 11, 12 и сопротивление 4 на базу транзистора 1, представляющего дополнительный усилитель тока в цепи обратной связи, и увеличивает ток в базовой цепи транзистора 1, Это является началом регенсративного процесса, в котором участвуют два транзистора 1 и 5, включенные так, что общее усилие по ток в схеме В-, = В,В, где В и В - соответствующие коэффициенты усиления по току транзисторов...