Газоразрядная лампа высокого давления для облучения растений

Номер патента: 972249

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Волкова, Кириллова, Павловская, Подмошенский, Яковлева

МПК: G01J 3/10

Метки: вакуумной, лампа, области, облучения, спектра, ультрафиолетовой

...состоит из стеклянной оболочки 1, к боковой стенке которой по всей ее длине вакуумно плотно присоединено окно 2 (например, из фтористого магния), и внешних электродов 3 из металлической фольги.К электродам подводится электрическое питание, обеспечивающее зажигание барьерного (тихого) разряда. Оболочки ламп тщательно обезгаживаются на вакуумном посту, наполняются инертным газом или смесью инертных газов до давления 300 - 700 тор и отпаиваются.При зажигании барьерного разряда вся полость оболочки равномерно заполняется массой подвижных мельчайших искр, направленных от одного электрода к другому. Равномерное распределение искр обеспечивает равномерное по объему образование возбужденных молекул инертного газа, которые,...

Номер патента: 1171872

Опубликовано: 07.08.1985

Автор: Судайкин

МПК: H01K 3/22

Метки: газа, давления, лампах, накаливания

...наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор Н. ПушненковаЗаказ 4874/45 Изобретение относится к электротехнической промышленности, преимущественно для производства электрических источников света, например ламп накаливания,Целью изобретения является расширение области применения способа путем использования его для измерения давления в лампах с давлением газа выше атмосферного. На фиг. 1 изображена исследуемая лампа в сосуде до измерения давления (до разрушения ее); на фиг. 2 - то же, в момент измерения (после разрушения).Сущность способа измерения давления наполняющего газа в лампах накаливания заключается в следующем. Лампу 1 помещают в сосуд 2, снабженный манометром 3 и термометром 4, Сосуд 2 заполняют по...

Номер патента: 1436947

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Анисимов, Лохматова, Мартыненко, Фесенко

МПК: A01H 1/04

Метки: высокую, гречихи, интенсивность, отбора, плодообразования, растений

...- ускорение селекционного процесса,Пример. Образцы гречихи, подлежащие отбору, высевают на изолированном участке. В фазе цветения по мере развития зоны ветвления на первой и второй ветвях первого порядка растения подвергают анализу. У каждого растения определяют количество вегетативных узлов на этих ветвях, устанавливают процент браковки и морфотипы, подлежащие удалению, На делянке оставляют растения с минимальным количеством узлов. Остальные растения вырезают и уносят с делянки. На оставленных растениях обрывают ранее распустившиеся цветки и завязи.Предлагаемый способ позволяет почти в 2,5 раза сократить время селекционного процесса: во столько раз выше при данном способе вероятность появления в потомстве растений с повышенным Каноэ...

Номер патента: 834801

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Демышев, Кормишкин, Сулацков

МПК: H01J 61/18

Метки: высокого, газоразрядная, дав-ления, лампа, облучения, растений

...второгерманат магния.Лампа работает следующим образом.Так как диод индия обладает достаточно высоким давлением паров (705 100 мм рт.ст.) при рабочей температуре горелки 700-800 С, а атомы индия - сравнительно низким потенциалом возбуждения, ртутно-кварцевая горелка с моноиодидом индия может эксплуатироваться при относительно невысоких нагрузках, в результате чего достигается большой срок службы лампы. В то же время атомы индия излучают в разряде мощную резонансную линию 451 нм и линию 410 нм, в результате чего один из максимумов излучения приходится на синюю область спектра, относительно эффективную для протекания в растениях фотосинте О за. Под фитоотдачей понимается эффективная отдача лампы,оценненая по кривой спектральной...

Номер патента: 1089672

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Алявин, Волков, Гусейнов, Мельников, Прикупец, Сарычев

МПК: H01J 61/18

Метки: лампы, металлогалогенной, облучения, растений

...вводят в виде сплава лития соловом, содержащего 15-35 ат.Е лития,и дополнительно вводят иодид ртути приследующйх соотношениях компонентов,мг/см:Сплав лития соловом 0,03-1,0Ртуть 2,0-4,0 Иодид ртути 0,2-1,8П р и м е р 1, Наполнение ламп включает удельные дозировки, мг/см3 Нд 2,9; НФ 1,0; сплав-Бп 0,5 (11. 25 ат,Е) аргсн 20 мм рт.ст,П р и м е р,2, Наполнение ламп включает удельные дозировки, мг/см Ня 4,0; Нд.1 1,8; сплав 1.-Бп 1,0 (11. 35 ат./); аргон 20 мм рт,ст,П р и м е р 3. Наполнение ламп включает удельные дозировки, мг/см Ня 2,0; Нд 1 0,2; сплав 1.1.-8 п 0,03 (1, 15 ат.К); аргон 20 мм рт.ст.Пример 1 соответствует оптимально" му варианту технологии. Энергетический КПД излучения в эффективной для выращивания растений области спектра...