ZIP архив

Текст

32092 ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Секта Советокик Социалистические Республиквидетельства-ависимое от авт 31 т 13 О аявлено 22.Х 11.1969 (М 1388322/26-9 с присоединением заявки-Комитет по делам изобретений и откры при Совете Министр СССР.1971, Бюллетень34 ата опубликования описания 27.1.197 Г,1. Д. Дмитриев и А, И,лов Авторы изобретения азанский ордена Трудового красного Знамен авиационный институтвител ИЛЬТР НИЖНИХ ЧАСТ их часскадное состоит нижних Сь Г 1,Эквивалентная схема фильтра нижн тот может быть изображена как ка включение ячеек, каждая из которых из режекторного фильтра 1 и фильтра 5 частот 11 с параметрами Сь Я 1, Ж С УС, С, где М = 0,2189,Кривая 1 на фиг. 3 изображает амп частотную характеристику фильтра 1,2 - амплитудно-частотную характ 10 фильтра нижних частот 11, кривая 3 -ную амплитудно-частотную характер Форма амплитудно-частотной харак Слитуднокривая еристику суммаристику.теристи/ иР С увеличением числа дополнительных проводящих пленок избирательность фильтра увеличивается. Предмет обретения т, содержащий КС- иными параметрами, с целью повышения рую сторону резистивы нанесена дополния пленка, на которойсвязанные дополнинки. 20 Фильтр нижни структуру с расп отличающийся те избирательности,ной пленки КС-ст 2 Ь тельная диэлектр размещены взаимо тельные проводях часто ределе м, что, на вто руктур ическа но не щие пле Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании микросхем на основе тонкопленочной технологии.Известные фильтры нияних частот для микроэлектронной аппаратуры, представляющие собой КС-структуру с распределенными параметрами, позволяют получить крутизну спада амплитудно-частотной характеристики не более 17 дб/окта,ву,Предложенное устройство позволяет получить большие крутизны спада амплитудно-частотной характеристики за счет нанесения на вторую сторону резистивной пленки КС-структуры дополнительной диэлектрической пленки и размещения на ней дополнительных взаимно не связанных проводящих пленок.На фиг. 1 показан фильтр нижних частот; на фиг. 2 - эквивалентная схема; на фиг. 3 - амплитудно-частотные хар актер истики.Фильтр нижних частот состоит из КС-структуры, включающей в себя проводящую пленку 1, диэлектрическую пленку 2 и резистивную пленку 3, на вторую сторону которой нанесена дополнительная диэлектрическая пленка 4 с размещенными на ней взаимно не связанными .дополнительными проводящими пленками 5. и фильтра зависит от соотношени320921 1Фиг. 1 ГГ Т 1 фг /Л г ь гс, г,1Составитель В. Пономареваедактор Л. Утехина Техред Л, Богданова Корректоры Н, Коваленко л Е, Усова Заказ 841 Изд.1586 Тираж 473 Подписно ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/51 лпография24 Главполиграфпрома, Москва, Г, ул. Маркса - Энгельса, 14.

Смотреть

Заявка

1388322

Казанский ордена Трудового Красного Знамени авиационный институт, ФИЛЬТР нижних ЧАСТОТ

МПК / Метки

МПК: H03H 1/02, H03H 7/06

Метки: 320921

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-320921-320921.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">320921</a>

Похожие патенты