Способ получения проводящих элементов микросхем
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 3362 3 Союз Советских Социалистических РеспубликфутЖ Зависимое от авт. свидетельстваЧПК Н 051 с Зтт 06 Заявлено 14,1 Ъ".1970 ( 1431436/26-9)с присоединением заявки МПриоритетОпубликовано 01.Х.1971, Бюллетень29Дата опубликования описания 27.ХП.1971 Котитет по пелаа изобретений и открытийУДК 621,3,049.75 (088.8) при возете гттинистрсе СССРАвторыизобретения В. А, Хамаев, Н, Н. Нефедова, Е. В, Го Заявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОВОДЯЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСХЕМИзобретение относится к технологии производства радиодеталей и может оыть использовано при изготовлении проводящих элементов микросхем, преимущественно пленочных индуктивностей.Известен способ получения проводящих элементов микросхем на диэлектрической подложке гальваническим наращиванием слоя меди, осаи(даехОго из комплексного пли простого электролита,Недостаток известного способа состоит в том, что проводящий элемент имеет большое активное сопротивление, снижающее добротность катушек индуктивности.С целью повышения добротности пленочных катушек индуктивности по предлагаемому способу гальваническое наращивание осуществля 10 т иъпульсным токоъ.Для гальванического наращивания слоя проводящего металла, например меди, используют простой ссрпокислый электролит, электролиз которого осуществляется импульсным током низкой частоты при длительности импульса в 10 и более раз короче следующей за ним паузы и амплитуде импульса в 10 и более раз большей, чем среднее за период значение плотности тока, которое равно значению плотности постоянного тока и составляет величину до 2 а/длг 2, Процесс происходит при повышенной поляризации, во время паузы перераспределяются пассивные и активные участки роста, что предотвращает преимущественный рост отдельных кристаллов в шишки и дендриты и способствует гтолученшо равномерного осадка.Этому же спосооствует обратный импульс небольшой величины, который растворяет дефег тные 1 асткп и ТВелпчивает сглажиВанпе осадка.Для снижения волновых потерь поверхность 10 катушки после наращивания подвергается полировке, на:ример, химическим методом, в процессе которой 11 стота поверхност 11 ВиткОВ катмшки доводится до 9 - 10 класса.Вышеописанным способом изготовляется,например, катушка индуктивности с номиналом 0,06 - 0,5 л.кгн на площади 8 8 лт,тг с шириной витка 300 - 350 лгклт и межвптковым р асстояппс м 50 - 100 лгклт. Наращивание токо- провода производится медью из сернокислого электролита состава Сц 80,. 5 Н О - 200 -- 250 г,г, Н.50. - 50 - 70 г,г при температуре 20 - 25 С па толщину 25 - 45 тгк,тг импульсным током промышленной частоты следующих параметров: средняя плотность тока за период 1 - 1,5 а,д.тг-, ах 1 лптудная плотность прямого импульса 18 - 20 адлгз, длительность прямого импульса 1,5 - 2 лтеек, количество электричества обратного импульса - 1/10 - 1/8 от прямого, Двукратная пмпческая полировка произ водится в растворах хлорного железа и подТех род Е. Бор и сов а Редактор Т. Морозова Заказ 3341,9 Изд. М 1404 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по д лаи изобретений н открьпнй прп Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушскаи наб., д. 4,5 Типографии, пр. Сапунова, 2 кисленного персульфата аммония. Добротность полученных катушек па частотах 60 - 170 лггг составляет величину Я)120 - 160. Предмет изобретения Способ получения проводящих элементовмикросхем, преимущественно пленочных индуктивностей, на диэлектрической подлохкке гальваническим наращиванием, от,гачающийся тем, что, с целью повышения добротности пленочных катушек индуктивности, гальвани ческое наращивание осуществляют импульсным током,
СмотретьЗаявка
1431436
В. А. Хамаев, Н. Н. Нефедова, Е. В. Годовицын, В. М
МПК / Метки
МПК: H05K 3/00
Метки: микросхем, проводящих, элементов
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-316213-sposob-polucheniya-provodyashhikh-ehlementov-mikroskhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения проводящих элементов микросхем</a>
Генератор высоковольтных импульсов на индуктивных накопителях энергии
Номер патента: 911689
Опубликовано: 07.03.1982
МПК: H03K 3/53
Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, индуктивных, накопителях, энергии
...которого подсоединен к началам индуктивных накопителей 2, выполненных в виде одновитковых соленоидов, и размыкателей 3, представляющих последовательную цепь, посредством токопроводящей шины 4, а концы всех индуктивных накопителей подключены ко второму полюсу источника, нагрузочной цепи, состоящей из разрядника-обострителя 5 и нагрузки б, соединенных последовательно.Конструктивно размыкатель может . быть выполнен в виде взрывающихся проволочек или фольги, в виде плазменного канала, деформируемого зарядом ВВ и др. Устройство работает следующим образом.При включении источника 1 тока по параллельным цепям индуктивных накопителей 2 проходят токи Э 1 создавая магнитные потоки ф,; =Ь Э 1/ где - индуктивность индуктивного йакопителя. В...
Генератор высоковольтных импульсов на индуктивных накопителях
Номер патента: 635605
Опубликовано: 30.11.1978
Автор: Кашинцов
МПК: H03K 3/53
Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, индуктивных, накопителях
...накопителейпрерывателе то 2 кажлОЙ из цепей.На .ертеже приведена схема геиерато. Г 2 ВЫСОКОВОЛЬТЕ 1 ЫХ ИМПМЛЬСОВ Н 2 ИЕСЛ 1 К- тивных накопителях.Генератор состсст из источника 1 тока, и ОДНОМ:3 32 ЖИМОЗ КОТОРОГО ПОЛКЛЕОЧЕН нл ктивный накопитель 2, Грерывзтель, т 0 к а, В к л ю ч е н и ь м е ж л м л 11 м Г и .3; ж и м 0 м ИСТОЧНИК 2 П Лот ГИМ ВЫВОДОМ ИНЛСТИВЕОГО накопителя, прерывателя 4 тока 1:. ПнлукТВЕСС:Н 2 КОПП. ЕЛЯ д, ПОЛКЛ 10 ЧС 1 НЫХ ПО-.с" .: Лтельнг:. з 2.;.м 2 м и;точника. 2 также пазГял;2-Ооостпителя 6 1, е 2 Грмз. К- -" о " Х с -Лпа СОЕ-ИНЕНИЯнлут .Внь:х наопителей и прерывателей .2 каждо и-. епей.Заказ 841/1273 Нзд. л,в 731 Т;раж 1045 Подпсное НПО Государственного комитета СССР по делам изобретенпй и открытий Москва,...
Термобиметаллический элемент прямого нагрева
Номер патента: 1061188
Опубликовано: 15.12.1983
Авторы: Бер, Клименко, Поляков, Спилка
МПК: H01H 71/16
Метки: нагрева, прямого, термобиметаллический, элемент
...биметаллической пластины в зонеО"образного изгиба.Термобиметаллический элемент пряЗ 0 мого нагрева содержит О -образнуюбиметаллическую пластину 1, 0 -образный шунт 2 из материала с высокойэлектропроводностью и дополнительный шунт 3 в виде накладки О -образ ной форйы из материала с высокойэлектропроводностью. О -образныйшунт 2 приваривается к 0 -образнойбиметаллической пластине в местеподключения токоподводов. Наличие 40 0-образного шунта 2 уменьшает нагрев О -образной биметаллическойпластины в номинальном режиме, ноне предохраняет выгорание биметаллав зоне скругления в режиме короткого замыкания.Электрическое сопротивление внешней части скругления (колена) прирасположении дополнительного шунта3 уменьшается, благодаря чему и 0...
Устройство для изготовления пленочных катушек индуктивностей
Номер патента: 202257
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: H01F 41/04
Метки: индуктивностей, катушек, пленочных
...снабженную автоматически загружающимися испарителями 1 и дисковым транспортером 2, на котором размещены маски и подложки. Транспортер представляет собой диск, кото рый вращается на упорном подшипнике 3 и приводится в движение электродвигателем 4. На нижней поверхности транспортера укреплены фиксаторы масок, представляющие собой постоянные магниты 5 прямоугольной ЗО формы. Под магнитами расположены подогреватели подложек из нихромовой проволоки, заключенной в керамические трубки 6.На транспортере жестко закреплены полки 7, несущие навеску 8 испаряемого вещества, В момент прохождения полки с навеской над испарителем расположенный рядом с ним упор 9 сбрасывает навеску в испаритель. Испаритель заключен в экран 10, охлаждаемый водой,...
Генератор импульсов с индуктивным накопителем
Номер патента: 387508
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Ивлев
МПК: H03K 3/53
Метки: генератор, импульсов, индуктивным, накопителем
...состоящей из индуктивности нако пителя 2 и индуктивности рассеяния б размыкателя, При этом энергия в виде магнитного поля накапливается в индуктивном накопителе 2 и индуктивности рассеяния б размыкателя, так как обмотки 3 и 4 размыкате ля соединены последовательно, имеют одинаковое количество витков, включены встречно и расположены на разных кернах общего магнитопровода.Если материал магнитопровода30 кую магнитную проницаемость, реЗаказ 270579 Изд.705 Тираж 780 НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СМосква, К, Раушская наб., д. 4/5 Подписное е Министров СССРпография, пр. Сапунова,щий поток в нем будет близок к нулю, поэтому ток накачки не оказывает существенного влияния на магнитное состояние магнитопровода 7....
Предыдущий патент: Способ соединения радиоэлектронных элементов
Следующий патент: 316214
Случайный патент: Устройство для объемного дозирования