Схема задержки

Номер патента: 1023658

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Алюшин, Ахматов, Лебедев, Соколов

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционной, логики, питания, стабилизацией, элемент

...с эмиттером, коллекторподключен к базе второго транзисторра, и выходные выводы для подключе"иия источника питания, в стабилизатор тока введен дополнительныйтранзистор первого типа проводимости, коллектор которого соединен сэьщттером многоколлекторного транзистора, база подключена к коллек, тору второго транзистора стабилизато, ра тока, а эмиттер введенного траи 5 зистора и база многоколлекторноготранзистора соединены с соответствующими входными выводами для подключе. ния источника питания.На чертеже показана прииципиаль 10 иая электрическая схема элементаинжекционной логики со стабилизацией тока питания,Элемент инжекционной логикй аостабилизацией тока питания содержит5 многоколлекторный транзистор 1 первого типа проводимости,...

Номер патента: 1088128

Опубликовано: 23.04.1984

Автор: Алюшин

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционной, логики, питания, стабилизацией, элемент

...Я торого подключен к шине питания, первый коллектор первого транзистора первого типа проводимости подключен 128 2через резистор к общей шине и к базепервого транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор - квторому коллектору первого транзистора первого типа проводимости и базе второго транзистора второго типапроводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, остальные коллекторы первого транзистора первоготипа проводимости подключены соот,ветственно к входам элемента и базамвьмодных транзистороВ второго типапроводимости, эмиттеры которых подключены к общей шине, а коллекторы -к соответствующим выходам элемента,введен дополнительный транзисторвторого типа проводимости, коллектор ибаза...

Номер патента: 1148002

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Баганов, Крючков, Мансуров, Недошивин, Новосельцев

МПК: G01R 27/02

Метки: резисторов, сопротивления, электрохимических

...срав3 1148 нения электрохимической ячейки, а вы 1 ходс инвертирующим входом операционного усилителя, электрохимический резистор соединен с управляемым источником измерительного тока и с первым блоком выборки и хранения, причем управляющие входы обоих переключателей, источника измерительного тока и первого блока выборки и хранения соединены с выходами синхро О низатора, а к выходу первого блока выборки и хранения подключен первый индикатор.Кроме того, с целью расширения Функциональных возможностей, а именно измерения тока поляризации и формирования постоянного напряжения, пропорционального этому току, введенвторой блок выборки и хранения, подключенный параллельнЬ к выводам резистора, причем управляющий вход второго блока выборки и...

Номер патента: 1425581

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Загорская, Коротков, Москаленко, Русина, Фролова

МПК: G03B 3/00

Метки: фотоаппарат

...10 зондирующим излучением в течение одного периода работы формирователя 40 сигналов управления. Текущее пиковое значение уровня сигнала резкости, поступающее с выхода ключа 49, подают на выходной интегратор 44, спомощью которого запоминают это зна,чение уровня сигнала до момента выделения пикового значения уровня сигнала резкости в следующий период работы формирователя 40 сигналов управления. Перед запоминанием каждого следующего уровня сигнала резкости на интегратор 44 подают сигнал сброса от блока 40 и, с помощью которого устанавливают на его выходе начальный уровень сигнала, Запоминание пикового значения уровня сигнала резкости необходимо для того, чтобы далее при помоши Формирователя 53 сигналов фокусировки получить на...

Номер патента: 1676024

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Леонов, Мишин, Пчельников

МПК: H02M 1/08

Метки: ключом, силовым, транзисторным

...обмотке 5 трансформатора 5 управления в данный момент примерно равно напряжению источника 7 смещения, что достигается выбором величины сопротивления резистора 21 много меньшей величины сопротивления 10 резистора 11, На вторичной обмотке трансформатора 5 управления индуцируется напряжение, являющееся запирающим для силового транзисторного ключа 6, причем скорость его нарастания, величина и малая 15 индуктивность рассеяния обмоток трансформатора 5 управления определяют высокую скорость нарастания и величину (в пределах допустимого для данного типа транзисторов) обратного базового тока, т,е, 20 его форсирование, что ведет к быстрому рассасывэнию носителей иэ области базы силового транзисторного ключа 6 к уменьшению времени его...