Способ фоторегистрации следов заряженных частиц

Номер патента: 303602

Авторы: Калашникова, Колюбин, Лемешко

ZIP архив

Текст

Г". г О П И СА Н ИВ ИЗОБРЕТЕНИЯ 303602 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 31 1,1970 (Лв 1398675/18-10) МПК 6 011 1/086 011 5/00 с присоединением заявкиКомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРЗаявитель СПОСОБ ФОТОРЕГИСТРАЦИИ СЛЕДОВ ЗАРЯЖЕННЫХЧАСТИЦ 25 Предмет изобретения Изобретение относится к технике регистрации заряженных частиц, в частности к регистрации, применяемой при дозиметрии.Известны способы фотографической регистрации следов заряженных частиц в условиях интенсивного фонового излучения путем получения скрытого изображения в эмульсионцом слое, подвергаемом в дальнейшем отбеливанию и проявлению.Устранение вуалирующего воздействия фонового излучения в известных способах осуществляется путем охлаждения эмульсиоццого слоя до температуры, це допускающей образования скрытого изображения. 11 о процесс охлаждения длится долго и поэтому такой прием це применим при частых и быстрых переходах к полезному экспонировацию.С целью безынерционного уменьшения вуалирующего действия фонового излучения предложено к эмульсиоцному слою прикладывать высокочастотное электрическое поле на время действия только фонового излучения, т. е. в отсутствие полезного экспонирования, а экспоцированцый регистрируемым излучением слой после отбеливания проявлять глубинным проявителем,Для реализации спосооа фотоэмульсионцый слой помещают между двумя -электродами, на которые подается напряжение высокой частоты. Подключение осуществляется до илп после полезной экспозиции, Скрытое изображение, образующееся только под воздействием фонового излучения в эмульсионных кристаллах, вытесняется электрическим полем на 5 поверхность этих кристаллов. Для пленоктипа ФТ-СК и Р,Чпрц частоте электрического поля в 100 кгц и напряженности порядка 10-: в/слю поверхностное изображение составляет более 90%.10 На время полезного экспонирования высокочастотное электрическое поле отключают, и скрытое фотографическое изображение образуется по всему объему кристалла равномерно, Экспонировацный регистрируемым излу ченцем эмульсиоццый слой отбелцвают и темсамым практически полностью удаляют скрытое изображение, находящееся на поверхности, а затем выделяют полезную экспозицию с помощью глубинного проявителя.20 Повышение напряженности электрическогополя по сравнению с ранее указанным позволяет уменьшить вуалирующее действие фонового излучения больше, чем на порядок. Способ фоторегистрацци следов заряженных частиц в условиях фоновых излучений путем получения скрытого изображения в З 0 эмульсионном слое с последующим отбеливаЗаказ 1750/б Изд.728 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 нием и проявлением, отличающийся тем, что, с целью безынерционного уменьшения вуалирующего действия фонового излучения, на время воздействия только фонового излучения к эмульсионному слою прикладываютвысокочастотное электрическое поле, а экспонированный регистрируемым излучением слой после отбеливания проявляют глубинным проявителем.5

Смотреть

Заявка

1398675

В. Калашникова, А. А. Колюбин, Б. Д. Лемешко Московский инженерно физический институт

МПК / Метки

МПК: G01T 1/08, G01T 5/10

Метки: заряженных, следов, фоторегистрации, частиц

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-303602-sposob-fotoregistracii-sledov-zaryazhennykh-chastic.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ фоторегистрации следов заряженных частиц</a>

Похожие патенты