Тензометрический датчик сопротивления

Номер патента: 1001205

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Ильин, Кузьменко, Петькин

МПК: H01G 9/22

Метки: величин, датчика, механических, преобразующий, электрических, электрокинетического, элемент

...преобразующего элемента, так как наличие металлического корпуса привело бы к короткому замыканию электродов. В известных конструкциях диэлектрическая развязка обеспечивается благодаря тому, что корпус выполнен из ди лектрическсго материала. Однако этс приводит к уменьщению прочности электрокинетического преобразователя и значительному усложнению технологии его изготовления.Предлагаемая конструкция свободна От указанных недостатков, поскольку коЯус в ней выполнен из металла - материала. более прочного, чем стек - лс,. керамика, полиэтилен, а диэлектрическая развязка, в отличие от известной конструкции, достигается использованием специальной, описанной выше, конФигурацией расположения электродов и корпуса и введением в корпус...

Номер патента: 269565

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Семеновский, Тарасевич, Фурман, Щербань

МПК: G01N 31/10

Метки: датчиков, приготовления, термохимических, чувствительных, элементов

...скрепляющего раствора на спираль при одновременном нагревании ее электрическим током,Аналогичным приемом производят фиксацию спирали в теле носителя после введенияее в канал окцспоалюмцнцевого цилиндра.Для получения идентичных тепловых пара 5 метров носителя и скрепляющей массы раствор для получения последней готовят из солейметалла, окцсел которого использован для изготовления носителя катализатора.Чувствительные элементы, приготовленные10 по предложенному способу, обладают идентцчнымц электротепловыми и дисперсно-кинетическими характеристиками, а также исключают возможность междувитковых коротких замыканий спцралец термосопротцвлений.15 П р ц м е р. Из окиси алюминия изготовляют полый цилиндр 1 (см. чертеж), на поверхность...

Номер патента: 309256

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Володин, Журавлев, Краснов, Маль, Ополовенков, Остроумов, Стрелков

МПК: G01K 1/08

Метки: датчиков, корпусов

...трудности, вытекающие из свойств фторопластов, в создании достаточно надежных конструкций узлов уплотнения в местах вывода чувствительных элементов датчика, например электродов в индукционных расходомерах, электродов в емкостных сигнализаторах уровня и т. п,Предлагается новый способ изготовлениякорпуса датчика, заключающийся в том, что электроды, изготавливают из особой токо- проводящей композиции на основе, например, 5 фторопласта, что дает возможность разработать герметический узел вывода. Корпус датчика также изготовляют из фторопласта с обмоткой стеклолентой или стекложгутом, пропитанным связующими смолами. Такой дат чик может рабо. ать в условиях высокоагрессивных сред при температуре до 150 в 2 С.Для защиты ст внешних...

Номер патента: 1495704

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Бакаев, Бондаренко, Ситникова

МПК: G01N 27/16

Метки: датчика, сравнительный, термохимического, элемент

...изобретениянеобходимо изготовить сравнительныеэлементы, идентичные по тепловымхарактеристикам измерительному элементу, который имеет следующие параметры: нагревательная спиральизготовлена из пластинового микропровода диаметром 0,03 мм, число винтов,11,75 с диаметром 0,64 мм; носительшарообразной формы диаметром 1,2 -1,4 мм изготовлен из гамма-оксидаалюминия и диоксида олова, взятых всоотношении 3;,2 мас.ч; носитель актиВирован платиной и палладием, осажденнымииз растворов хлоридов этихметаллов, путем трехкратного нанесения раствора хлоридов0,1 = РСС 1 + 0,4 г Рс 1 С 1 ++ 5 мл Н О.Электрическое сопротивление на 0гревательнай спирали при 20 С 4,2 Ом,В рабочем состоянии при нагреве током накала 0,18 Л - от 10,5 Ом(в зависимости...

Номер патента: 323643

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Конструкторский, Научно, Приборов, Средств

МПК: G01B 7/16

Метки: meaibpahhofo, давления, датчика, чувствительный, элемент

...элемент отличается от известных тем, что тензорезисторы выполнены в виде двух параллельчых полос полупроводника, соединенных между собой на концах перемычками, с контактами, располагаемыми на линии нулевой деформации мембраны датчика, а также тем, что все тензорезисторы выполнены из ориентированного в направлении макси мальнсй тензочувствптельности полупроводника.Такое выполнение чувствительного элементапозволяет повысить точность измерения давлеполупроводника, ориентированного в направлении максимальной тензочувствительности.Полосы 1, 2 соединены между собой перемычками 3, 4 и снабжены контактами 5, располо- Б женными на линии нулевой деформации мембраны б датчика. Полосы 1, 2 и перемычки 3, 4 полупроводника образуют мостовую...