Способ контроля толщины изделий из

Номер патента: 292057

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Денискин, Трахтенберг, Хорев

МПК: G01B 7/06, G01N 27/90

Метки: amp, ipaf, ir-i, »»ч11гг, диэлектрических, нднбчвлю-ека, озная, покрытийв, толщины

...Об 1)язол.Няпряэксппс 1 з пр(смпых сстушксх 9, 11 датии 1 8 Н 1)п Отс тсвнп Око,н) НСГО пэ(э 30 д 51- ЦСО ЛСс 1(1,1 с КОЛ П(.ПСП 1)УЕТС 51 КОЛи(ССГ 01)Я - Ыи 4, д. ВПОСИЛ 10 С Пс 1 П 1)5 ЖЕППС) С ПЭИСЛ 1 НОЙ Кс 1- ТЛПКИ 9 ОО,ЬП 1 СГО дис 1 Л 1( 1)с) ЧС 1)СЗ Л И П ГС Ь О ПО.сС ). 5 П )ХОДЫ фс.)(,Ч) Б ТБПС, П)ПЬХ С ГСКТ(1)013 .1, 20, ОдП П;3 СОТрьХ ПсСТ 1 ЭОСП Б (рсзс с 3 Око ы )30:30 лждс 1 юпсЙ кс 1 тлпп(п Э,зтчи- КЯ 1, с,1)Л(ЭП В К)сД 1)сГ 3 1)С С Ппл.С)сЗС)сУСТП С(П)ПЬС;СГСК Г(11)Ь 1 19, 50 Пс 1 С Г 1)сивс 10 С 5 фс:30 врс 11,;1 ТСГ 5 ЫИ 6, 7. В 1)с;),ПТс- ТС ПсСГ)Р)011 КП СЛЗЛЛсТР .СЛЛЛ 11 РЛС 1 Д)с 1 с- Н 1)51 жси И 5;, Одпо пз сот 01) ь х и ропорппэп Ял ьпо ДСПСБПТ(.;ППО 1, с Д)ЭЛО(. Л 111)1031 СОСТс 13,ЯОПСЙ БОСПМ 010 ПЯ 11)5 ЖСПЯ...

Номер патента: 636476

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Бычкова, Матвеев, Рутковский

МПК: G01B 15/02

Метки: диэлектрических, толщины

...4, двойной волноволный тройник 5, фазовый модулятор 6, приемопередающую антенну 7, установленную перед объектом 8 контроля, ферритовый вентиль 9, детекторную секцию 10, фильтр 11, дополнительный усилитель 12 на частоте Г , блок 13 сравнения, основной усилитель 14 с АРУ на частоте Г, индикатор 15.Модулированное по амплитуде с частотой Г. ( 10 кГц) электромагнитное излучение СВЧ диапазона от генератора 1 через развязывающий ферритовый вентиль 2 поступает в Н-плечо двойного волноводного тройника 5, где мощность делится на две равные части. В плече, содержащем КЗ поршень 3 и переменный аттенюатор 4, формируется регулируемый по фазе и амплитуде опорный сигнал основной частоты 1 О. В плече, содержащем фазовый модулятор 6 и настроенную на...

Номер патента: 879278

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Гугелев, Резников, Синицкий, Федоров

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, толщины

...с колебательного контура.Поскольку максимальная величина измеряемой толщины диэлектрического материала зависит от расстояния, на которое распространяется электромагнитное поле преобразователя с заданной величиной напряженности, вызывающей реакцию токопроводящей подложки, устройство позволяет расширить диапазон измеряемых толщин путем создания электромагнитного поля большей мощности без увеличения диаметра преобразования, Необходимую добавочную мощность электромагнитного поля преобразователя, добав" ляемую к мощности плоской спирали 2, получают за счет мощности цилиндрической спирали 1, Поскольку оси спиралей совпадают, а витки направлены в одну сторону, электромагнитные поля, создаваемые ими, суммируются.Токопроводящее сечение...

Номер патента: 958846

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Бурмистенков, Марченко, Свиридов, Скрипник

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, измеритель, толщины

...образцового преобразователя 2 с малой высотой зондирующего электрического поля к блоку 10 преобразования емкости в напряжение, и, соответственно, высокопотенциаль-ные электроды 2.2 образцового преобразователя 2 и высокопотенциальный электрод 1.3 измерительного преобразователя 1 подключаются к низкопотенциальным электродам 1.1 и 2.1 при помощи коммутаторов 6,7.этих преобразователей к блокам 9 и 10 преобразования емкости в напряжение, их электрические поля будут пронизывать одни и те же слои диэлектрической подложки 3.При отсутствии контролируемого материала 4 емкости преобразователей 1, 2 одинаковы. Вследствие этого при поочередном их подключении к блокам 9 и 10 преобразования емкости в напряжение постоянного тока с частотой...

Номер патента: 1017907

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Коломиец, Свиридов

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, измеритель, толщины

...сопротивление. подается на дополнительные высокопотенциальные электроды 7:и 8 которые расположены соответственно между основными высокопотенциальными 5 6 и низко- потенциальными 3;4 электродами.При подключенйи измерительного преобразователя 1 к блоку 12.основной 5 высокопотенциальный электрод б образ-цового преобразователя 2 подключается к ннзкопотенциальному электроду 4 и наоборот, при подключении образцового преобразователя 2 к блоку 12 основ- О ной высокопотенциальный. электрод 5 измерительного преобразователя 1 подключается к низкойотенциальному электроду 3Такое переключение электродов позволяет перераспределить электри ческие поля преобразователей 1 и 2 в диэлектрической подложке 9. так, что рри поочередйом подключении этих...