250554
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 250554
Текст
250554 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союэ Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельствал. 42 э, 1/06 1.1967 ( 1170687/18-10) Заявле соединением заявкиПриорите ПК В 06 Комитет по делам эобретений и открь при Совете Министр СССРУДК 534.232 (088.8) бликовано 12 Х 111.1969. Бюллетень26 Дата опубликования описания 1 б.1.197 вторыобретения Мансфельд, В. В, ПроклоГ. Степановоэлектроники АН СССР Гуляев, С. Н. Иванов, Г, Б, А. Станковский институт радиотехники и ра аявите ЬТРАЗВУКОВОЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛ Предмет изобретения Предлагаемый преобразователь может найти применение в ультразвуковых линиях задержки, усилителях ультразвука.Известные преобразователи такого рода, содержащие резонатор и кристалл пьезополуправодника, использующие слой, обедпенный носителями заряда, не обеспечивают получения ультразвуковых колебаний сверхвысоких частот,В предложенном преобразователе кристалл пьезополупроводника связан с центральной жилой резонатора тонкой диэлектрической прослойкой, например слюдой, а к центральной жиле и кристаллу присоединен регулируемый источник напряжения.Такое выполнение преобразователя позволяет получить ультразвуковые колебания сверхвысоких частот.На чертеже показаи оплсываемый преобразователь.В емкостном зазоре проходного резонатора 1 расположена торцовая поверхность пьезополупроводника 2, в котором необходимо возбудить ультразвуковые колебания. Кристалл пьезополупроводника изолирован от центральной жилы резонатора 1 диэлектрической прослойкой Знапример слюдой. Связь резонатора с волноводом 4 осуществляется через щель 5 связи. На поверхности пьезополупроводника имеется слой, обедненный носи телями заряда, СВЧ-мощность, поступающая в резонатор, приводит к появлению переменного электрического поля в зазоре резонатора, Это поле распределяется между воздуш ным зазором и полупроводником. В последнем оно локализуется в обедненном слое, поскольку электрическое сопротивление этого слоя значительно превосходит сопротивление объема полупроводника. Ультразвуковая вол 1 о на, возникающая на поверхности в обедненном слое вследствие обратного пьезоэлектрического эффекта, распространяется от поверхности внутрь кристалла, При использовании данного преобразователя в качестве приемно го падающая на обедненный слой ультразву.ковая волна создает переменное элекгрическое поле в зазоре резонатора вследствие прямого пьезоэффекта, которое по волноводу 4 поступает в регистрирующее устройство.20 Между кристаллом и керном резонатораприкладывается также электрическое напряжение от источника б. Изменением этого напряжения можно варьировать вследствие эффекта поля толщину обедненного слоя, т. е.25 резонансную частоту преобразователя,Ультразвуковой высокочастотный преобраватель, содержащий резонатор и кристаллЗаказ 3638/6 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж.35, Раушская наб., д, 4,5 Типография, пр. Сапунова, 2 пьезополупроводника, и 1 спользующий слой, обедненный носителями заряда, отличающийся тем, что, с целью, получения ультразвуковых колебаний сверхвысоких частот, в нем кристалл пьезополупроводника связан с цент. ральной жилой резонатора тонкой диэлектрической прослойкой, например слюдой, а к центральной жиле резонатора к кристаллу присоединен регулируемый источник,напряже ния.
СмотретьЗаявка
1170687
МПК / Метки
МПК: B06B 1/06
Метки: 250554
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-250554-250554.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">250554</a>
Предыдущий патент: Ультразвуковой генератор
Следующий патент: Датчик для отметки ударных волн
Случайный патент: Фазометр